显示器件和发光器件制造技术

公开电致发光显示器件和发光器件，其包括蓝色光发射层。所述电致发光显示器件和所述发光器件包括：第一电极、第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的光发射层。光发射层包括包含多个纳米结构体的蓝色光发射层，所述多个纳米结构体不包括镉。在施加偏压时，蓝色光发射层配置成发射在大于或等于约445nm且小于或等于约480nm的范围内的发射峰波长(λ

【技术实现步骤摘要】
显示器件和发光器件
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年6月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
‑
0084197的优先权以及由其产生的所有权益，将其内容全部通过引用引入本文中。


[0003]本公开内容涉及显示器件(装置)(例如，电致发光显示器件)和发光器件。

技术介绍

[0004]纳米结构体例如量子点(下文中，称为量子点(QD))是具有纳米级尺寸的颗粒的形式的半导体材料，并且可呈现出量子限域效应且可呈现出发光。当例如通过光激发或通过施加电压，在激发态下的电子从导带跃迁到价带时，可产生量子点的光发射。通过控制量子点的尺寸和/或组成，量子点可被构造成发射期望波长区域的光。
[0005]包括纳米结构体例如量子点的电致发光器件可用于显示器件中。光发射可通过施加电压而引起并且由包括在器件中的光发射层中的被激发的电荷的辐射性复合导致。

技术实现思路

[0006]实施方式提供发光(例如，光致发光或电致发光)显示器件，例如，通过向纳米结构体(例如，量子点)施加电压，所述发光显示器件发射光。
[0007]实施方式提供显示器件(例如，量子点发光器件(QD
‑
LED)显示器)，其在蓝色像素以及任选的红色像素和/或绿色像素中包括纳米结构体(例如，量子点)作为光发射材料。
[0008]实施方式提供发光器件，其包括所述纳米结构体。
[0009]在实施方式中，电致发光显示器件包括蓝色像素，其中所述器件包括：具有彼此相对的表面(即，各自具有面对另一个的表面)的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光发射层，所述光发射层包括设置在所述蓝色像素中且包含多个纳米结构体的蓝色光发射层，其中所述多个纳米结构体不包括镉，
[0010]其中所述蓝色光发射层配置成在所述第一电极和所述第二电极之间施加偏压时呈现出大于或等于约445纳米且小于或等于约480纳米的发射峰波长(λ
最大
)，
[0011]其中在从第一电压到比所述第一电压大至少约5伏、例如大约6伏的第二电压的偏压变化期间，所述蓝色光发射层的发射峰波长(λ
最大
)配置成呈现出比在所述第一电压下的发射峰波长(在第一电压下的λ
最大
)和在所述第二电压下的发射峰波长(在第二电压下的λ
最大
)小的第一(例如，最低)发射峰波长(第一λ
最大
)，并且
[0012]在所述偏压变化期间，所述发射峰波长(λ
最大
)的变化宽度小于或等于约4纳米。所述发射峰波长的变化宽度可大于0纳米。
[0013]在实施方式中，在所述第一和第二电压下的发射峰波长之间的差(即，在第一电压下的λ
最大
和在第二电压下的λ
最大
之间的差)可为小于或等于约4nm(例如，约3nm、约2nm、约1nm、或0nm)。
[0014]所述第一电压可为约3伏且所述第二电压可为约8伏或约9伏。所述第一电压可为这样的电压：给定器件配置成在该电压下呈现出约10坎德拉/平方米(cd/m2)至约250cd/m2的亮度、和/或约0.8毫安/平方厘米(mA/cm2)至约3.5mA/cm2的电流密度。
[0015]所述显示器件可进一步包括在所述光发射层和所述第一电极之间、和/或在所述光发射层和所述第二电极之间的电荷辅助层。
[0016]所述电荷辅助层可包括包含有机化合物的空穴辅助层、和/或包含金属氧化物纳米颗粒的电子辅助层。
[0017]所述多个纳米结构体可包括：第一半导体纳米晶体(例如，包括第一半导体纳米晶体的芯)和第二半导体纳米晶体(例如，设置在所述芯上并且包括第二半导体纳米晶体的壳)，所述第一半导体纳米晶体包括锌、硒、和碲，所述第二半导体纳米晶体包括锌硫属化物且不同于所述第一半导体纳米晶体。
[0018]所述多个纳米结构体的平均尺寸可大于或等于约7nm、大于或等于约8nm、大于或等于约9nm、或大于或等于约10nm。
[0019]所述多个纳米结构体的平均尺寸可小于或等于约30nm、小于或等于约20nm、小于或等于约15nm、小于或等于约12nm、或小于或等于约10nm。
[0020]在所述多个纳米结构体中(或在所述第一半导体纳米晶体中)，
[0021]碲对硒的摩尔比可大于或等于约0.0021:1且小于或等于约0.051:1、或者小于或等于约0.03:1，和/或
[0022]硫对硒的摩尔比可大于或等于约0.1:1、大于或等于约0.2:1、大于或等于约0.3:1、大于或等于约0.4:1、或者大于或等于约0.45:1且小于或等于约1:1、小于或等于约0.9:1、小于或等于约0.8:1、小于或等于约0.7:1、小于或等于约0.6:1、或者小于或等于约0.55:1。
[0023]在所述多个纳米结构体中(或在所述第一半导体纳米晶体中)，
[0024]碲对硒的摩尔比可大于或等于约0.001:1且小于或等于约0.05:1，和
[0025]硫对锌的摩尔比可大于或等于约0.23:1、大于或等于约0.3:1、或者大于或等于约0.35:1且小于或等于约0.40:1。
[0026]所述多个半导体纳米结构体可包括包含所述第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上且包含所述第二半导体纳米晶体的壳。
[0027]所述蓝色光发射层在“A”伏的电压(电压A)下可具有第一发射峰波长(第一λ
最大
)的最小值，A伏(电压A)可大于或等于所述第一电压(例如，大于约3伏)且小于或等于所述第二电压(例如，小于约8伏)。在A伏下的第一(最低)发射峰波长(第一λ
最大
)可小于在第一电压下的λ
最大
和/或在第二电压下的λ
最大
。在A伏下的第一(最低)发射峰波长(第一λ
最大
)和在第一电压下的λ
最大
(或在第二电压下的λ
最大
)之间的差可大于或等于约1nm、2nm、3nm、或4nm并且小于或等于约5nm。
[0028]在施加第一偏压(第一电压)(例如，约3伏)时所述蓝色光发射层的发射峰波长可大于在施加第二偏压(第二电压)(例如，约8伏)时所述蓝色光发射层的发射峰波长。
[0029]在施加第一偏压(例如，约3伏)时所述蓝色光发射层的发射峰波长可小于或等于在施加第二偏压(例如，约8伏)时所述蓝色光发射层的发射峰波长。
[0030]在实施方式中，在第二偏压下的发射峰波长(在第二电压下的λ
最大
)可小于或等于
在第一偏压下的发射峰波长(在第一电压下的λ
最大
)。
[0031]在施加第二偏压(例如，约8伏)时所述蓝色光发射层的发射峰的半宽度(FWHM)可小于在施加第一偏压(例如，约3伏)时所述蓝色光发射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.电致发光显示器件，其包括蓝色像素，其中所述电致发光显示器件包括：具有彼此相对的表面的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光发射层，其中所述光发射层包括设置在所述蓝色像素中且包含多个纳米结构体的蓝色光发射层，其中所述多个纳米结构体不包括镉，其中所述蓝色光发射层配置成在所述第一电极和所述第二电极之间施加偏压时呈现出大于或等于445纳米且小于或等于480纳米的发射峰波长(λ
最大
)，其中在从第一电压到比所述第一电压大至少5伏的第二电压的偏压变化期间，所述蓝色光发射层的发射峰波长(λ
最大
)配置成呈现出比在所述第一电压下的发射峰波长和在所述第二电压下的发射峰波长小的第一发射峰波长，其中在所述偏压变化期间，所述发射峰波长(λ
最大
)的变化宽度小于或等于4纳米。2.如权利要求1所述的电致发光显示器件，其中在所述第一和第二电压下的发射峰波长之间的差小于4nm。3.如权利要求1所述的电致发光显示器件，其进一步包括电荷辅助层，所述电荷辅助层包括包含有机化合物的空穴辅助层、和/或包含金属氧化物纳米颗粒的电子辅助层。4.如权利要求1所述的电致发光显示器件，其中所述多个纳米结构体包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括锌、硒、和碲，所述第二半导体纳米晶体包括包含锌、硒、和硫的锌硫属化物且不同于所述第一半导体纳米晶体，并且在所述多个纳米结构体中，碲对硒的摩尔比大于或等于0.0021:1且小于或等于0.05:1，和硫对硒的摩尔比大于或等于0.1:1且小于或等于1:1。5.如权利要求1所述的电致发光显示器件，其中所述多个纳米结构体包括第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括锌、硒、和碲，所述第二半导体纳米晶体包括包含锌、硒、和硫的锌硫属化物且不同于所述第一半导体纳米晶体，并且在所述多个纳米结构体中，碲对硒的摩尔比大于或等于0.001:1且小于或等于0.05:1，和硫对锌的摩尔比大于或等于0.23:1且小于或等于0.40:1。6.如权利要求1所述的电致发光显示器件，其中所述蓝色光发射层在电压A下具有第一发射峰波长(第一λ
最大
)的最小值，其中电压A大于所述第一电压且小于或等于所述第二电压。7.如权利要求1所述的电致发光显示器件，其中在所述蓝色光发射层中，在所述第一电压下的发射峰波长和在所述第二电压下的发射峰波长之间的差小于或等于3纳米。8.如权利要求1所述的电致发光显示器件，其中在所述第二电压下的发射峰的半宽度小于在所述第一电压下的发射峰的半宽度。9.如权利要求8所述的电致发光显示器件，其中在所述第二电压下的发射峰的半宽度和...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰亨，郑希在，张银珠，朴秀珍，元裕镐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：