一种QLED器件及QLED器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种QLED器件及QLED器件的制备方法。该QLED器件包括叠层设置的阳极、发光层、电子传输层、以及阴极，其中，所述发光层和所述电子传输层中至少一者的材料当中包括抗氧化剂。所述抗氧化剂可以防止量子点量子效率的降低，还能防止氧自由基的产生吸附在材料表面从而影响器件的效率。本发明专利技术提供的QLED器件及QLED器件的制备方法能够有效防止氧化物质对器件的破坏，延长器件使用寿命。延长器件使用寿命。延长器件使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种QLED器件及QLED器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及光电器件领域，具体涉及一种QLED器件及QLED器件的制备方法。

技术介绍

[0002]量子点(Quantum Dots)是一种半径小于或接近激子玻尔半径的纳米晶体，其粒径通常介于1～20nm之间。显著的量子限域效应使得量子点具有了诸多独特的纳米性质：发光波长可通过控制粒径尺寸进行调节，光谱线宽窄，吸收光谱宽，色纯度高，电子迁移性高，光稳定性好，生物相容性好，可用于柔性显示等优点，在发光显示、光伏太阳能以及生物标记等领域得到广泛应用。
[0003]从1994年，第一个量子点发光二极管(Quantum dot light
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emitting diodes，QLED)制备出来，经过20多年的发展，无论是从材料的合成，器件的制备，还是发光的机理都取得了很大的进步。但无论是在器件效率还是器件工作稳定性等基本器件性能参数上还有相当大的差距，器件的寿命一直是限制其商业化应用最关键问题，其中发光层和电子传输层的稳定性又是影响寿命的关键因素。
[0004]因此，有必要提供一种QLED器件及QLED器件的制备方法，以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种QLED器件及QLED器件的制备方法，以改善QLED器件效率。
[0006]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0007]本专利技术提供一种QLED器件，包括叠层设置的阳极、发光层、电子传输层、以及阴极，其中，所述发光层和所述电子传输层中至少一者的材料当中包括抗氧化剂。
[0008]可选地，所述抗氧化剂选自二丁基羟基甲苯、抗氧剂1010、抗氧剂1076、抗氧剂168、维生素C、维生素A、维生素E、茶多酚、乙氧基喹啉、乙氧基喹、丁基羟基茴香醚、叔丁基对苯二酚、没食子酸丙酯中的一种或多种。
[0009]可选地，所述抗氧化剂在所述发光层或所述电子传输层中的摩尔分数范围为0.1％
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20％。
[0010]可选地，所述发光层的材料还包括量子点，所述量子点选自II
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VI族化合物半导体的量子点、III
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V族化合物半导体的量子点、I
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III
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VI族化合物半导体的量子点、钙钛矿量子点中的一种或多种。
[0011]可选地，所述量子点为核壳结构量子点。
[0012]可选地，所述电子传输层的材料还包括无机氧化物半导体，所述无机氧化物半导体选自ZnO、SnO2、TiO2、Mg或Al掺杂的ZnO中的一种或多种。
[0013]可选地，所述发光层的材料由抗氧化剂及量子点组成；或者所述电子传输层的材料由抗氧化剂及无机氧化物半导体组成
[0014]相应地，一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
[0015]分别提供发光层材料溶液、以及电子传输层材料溶液；
[0016]在阳极基板上沉积所述发光层材料溶液，形成所述发光层；
[0017]在所述发光层上沉积所述电子传输层材料溶液，形成所述电子传输层；
[0018]或者在阴极基板上沉积所述电子传输层材料溶液，形成所述电子传输层；
[0019]在所述电子传输层上沉积所述发光层材料溶液，形成所述发光层；
[0020]其中，所述发光层材料溶液和所述电子传输层材料溶液中至少一种包括抗氧化剂。
[0021]可选地，所述发光层材料溶液还包括分散于烷烃类有机试剂的量子点；所述电子传输层材料溶液还包括分散于醇类有机试剂的无机氧化物半导体。
[0022]可选地，以所述分散于烷烃类有机试剂的量子点或所述分散于醇类有机试剂的无机氧化物半导体的总质量计，所述抗氧化剂的质量分数为1％
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50％。
[0023]可选地，所述量子点的浓度为10～40mg/mL。
[0024]有益效果：
[0025]本专利技术提供的QLED器件，包括依次叠层设置的阴极、电子传输层、量子点发光层、以及阳极，其中，所述电子传输层和量子点发光层中至少一者的材料当中包括抗氧化剂。所述抗氧化剂可以防止量子点量子效率的降低，还能防止氧自由基的产生吸附在材料表面从而影响器件的效率，可以有效提高器件性能以及使用寿命。制备方法上只需在现有的QLED器件的制备方法的基础上，在电子传输层或量子点发光层的材料溶液内添加抗氧化剂即可，可通过多种方式沉积获得相应叠层。该制备工艺简单可控，有利于规模化生产应用。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1是本申请实施例1提供的一种倒置结构QLED器件的结构示意图；
[0028]附图说明：
[0029]衬底110；阴极120；电子传输层130；发光层140；空穴传输层150；空穴注入层160；阳极170。
具体实施方式
[0030]为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案以及技术效果更加清楚明白，以下将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]本申请实施例提供一种QLED器件及QLED器件的制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本专利技术的各种实施例可以以一个范围的型式
存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本专利技术范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
[0032]本专利技术提供了一种QLED器件，包括叠层设置的阳极、发光层、电子传输层、以及阴极，其中，发光层和电子传输层中至少一者的材料当中包括抗氧化剂。抗氧化剂能够防止空气中氧气或氧自由基等氧化物质对发光层或电子传输层材料产生破坏。提升QLED器件的抗氧化性能，延长器件使用寿命。
[0033]可选地，抗氧化剂为二丁基羟基甲苯(BHT)、抗氧剂1010(Irganox1010)、抗氧剂1076(Irganox1076)、抗氧剂168(Irgafos168)、维生素C、维生素A、维本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件，其特征在于，包括叠层设置的阳极、发光层、电子传输层、以及阴极，其中，所述发光层和所述电子传输层中至少一者的材料当中包括抗氧化剂。2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述抗氧化剂选自二丁基羟基甲苯、抗氧剂1010、抗氧剂1076、抗氧剂168、维生素C、维生素A、维生素E、茶多酚、乙氧基喹啉、乙氧基喹、丁基羟基茴香醚、叔丁基对苯二酚、没食子酸丙酯中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述抗氧化剂在所述发光层和/或所述电子传输层中的摩尔分数范围为0.1％
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20％。4.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述发光层的材料还包括量子点，所述量子点选自II
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VI族化合物半导体的量子点、III
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V族化合物半导体的量子点、I
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III
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VI族化合物半导体的量子点、钙钛矿量子点中的一种或多种。5.根据权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述量子点为核壳结构量子点。6.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的材料还包括无机氧化物半导体，所述无机氧化物半导体选自ZnO、SnO2、TiO2、Mg或...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚浩天，庄锦勇，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：