量子点印刷OLED器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及OLED显示技术领域，具体涉及一种量子点印刷OLED器件，具体包括阳极基板层、空穴传输层、功能膜层、空穴阻挡层和金属阴极层，制作时，使用光刻、喷墨印刷及真空蒸镀相结合的方式制备OLED，同时在量子点中引入了无机盐卤化物，使量子点的化学基团与无机盐卤化物反应钝化，形成具有保护作用的功能膜层，该方法可以减少表面张力对量子点成膜的影响，在提高电荷传输能力的同时，提高印刷OLED器件像素内成膜的均匀度，进而提高印刷OLED器件的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
量子点印刷OLED器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及OLED显示
，具体涉及一种量子点印刷OLED器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode)，又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED属于一种电流型的有机发光器件，是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入的电流成正比。OLED在电场的作用下，阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，迁移到发光层。当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
[0003]OLED由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，OLED在平板显示领域颇受关注。作为平板显示的关键技术，近年来获得较大发展。目前，在小尺寸显示领域，例如手机等的应用领域，已经实现了量产，进入了市场化阶段；但是在电脑、电视等大尺寸显示领域，由于材料、工艺尚未成熟，仍然存在较多研发难点。
[0004]量子点喷墨印刷工艺技术，在印刷OLED技术中成膜工艺是一项关键技术，量子点印刷OLED器件因其优异的颜色纯度(FWHM为30nm)、高亮度(高达20万cd/m2)、低工作电压(开启电压<2V)以及易加工等特点，受到了极大的关注。无机发光量子点(QDs)的热稳定性和空气稳定性可以增强显示器的寿命和耐用性。传统的OLED打印技术在喷墨打印时，无机发光量子点(QDs)墨水液滴在基板上铺展，液滴表面会受到表面张力等作用力，导致溶质在接触线处发生“钉扎”作用，此时液滴会继续保持此铺展形状，由于接触线处溶剂挥发速度快，溶液会从液滴中部向液滴边缘转移补偿挥发掉的溶剂，最终溶质在基板上沉积形成边缘厚中间薄的不均匀薄膜，在干燥后会形成中间薄两侧厚的不均匀成膜结构，导致发光不均和器件性能降低。因此，喷墨印刷工艺中如何提高像素内成膜的均匀度成为一个难点。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种量子点印刷OLED器件其制作方法。
[0006]一种量子点印刷OLED器件的制作方法，包括以下步骤：
[0007]S1：选择氧化烟锡作为阳极基板材料，并对阳极基板进行前处理；
[0008]S2：在阳极基板上真空蒸镀空穴传输层；
[0009]S3：在待形成像素点位置光刻处理形成子像素坑，以喷墨印刷工艺往子像素坑内注入QDs墨水，后使用无机盐卤化物的醇溶液与QDs墨水反应形成功能膜层；
[0010]S4：在功能膜层的表面真空蒸镀空穴阻挡层；
[0011]S5：真空蒸镀阴极金属Al形成金属阴极层；
[0012]S6：UV固化封装。
[0013]进一步的，所述步骤S3中，所述QDs墨水由量子点及非极性溶剂组成，所述量子点包括CdSe、CuInS2、CdS/M混合量子点中的一种。
[0014]进一步的，所述步骤S3中，所述量子点占所述QDs墨水的质量百分含量为1.8
‑
2.5％。
[0015]进一步的，所述步骤S3中，所述无机盐卤化物包括ZnCl2、ZnBr2中的一种。
[0016]进一步的，所述步骤S3中，所述无机盐卤化物的醇溶液中，所述无机盐卤化物的质量百分比为8
‑
12％。
[0017]进一步的，所述步骤S3中，待子像素坑内注入QDs墨水干燥后，将无机盐卤化物的醇溶液滴加至子像素坑处直至铺满覆盖整个QDs墨水层，反应3
‑
5min后，干燥处理，再次将无机盐卤化物的醇溶液铺满覆盖整个QDs墨水层，反应28
‑
35min后，清洗多余的无机盐卤化物。
[0018]进一步的，所述S2步骤中，所述空穴传输层使用的材料为1，2，4，5
‑
四(三氟甲基)苯，所述空穴传输层的厚度为35
‑
45nm；
[0019]所述S4步骤中，所述空穴阻挡层使用的材料为1，3，5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1H
‑
苯并咪唑
‑2‑
基)苯，所述空穴阻挡层的厚度为35
‑
45nm。
[0020]进一步的，所述步骤S3中，光刻处理采用的光刻胶为以2
‑
烯丙六氟异丙醇为共聚单体合成的含氟树脂光刻胶、或以六氟二酐作为共聚单体合成的含氟的聚酰亚胺光刻胶。
[0021]进一步的，所述S3步骤中，所述子像素坑的尺寸范围为180
‑
220μm。
[0022]本专利技术的目的之二在于提供一种量子点印刷OLED器件，采用上述的量子点印刷OLED器件的制作方法制作而成，具体包括阳极基板层、空穴传输层、功能膜层、空穴阻挡层和金属阴极层；其中，各层的厚度范围如下：阳极基板层的厚度为50
‑
55nm、空穴传输层的厚度为35
‑
45nm、功能膜层的厚度为40
‑
60nm、空穴阻挡层的厚度为35
‑
45nm和金属阴极层的厚度为50
‑
55nm。
[0023]本专利技术的有益效果：本专利技术在QDs墨水形成保护膜的过程中，向子像素坑中的量子点材料中添加ZnCl2，使之与量子点发生反应，钝化量子点表面长链，形成具有保护作用的功能膜层，从而改变局部墨水的挥发速率，进而削减表面张力对QDs生成膜的影响，提高印刷OLED器件像素内成膜的均匀度，进而提高印刷OLED器件制作工艺的良率；制备的OLED器件发光均匀且性能有较大的提升。
附图说明
[0024]图1为本专利技术一种量子点印刷OLED器件的制作步骤图；
[0025]图2为本专利技术一种量子点印刷OLED器件的剖面示意图；
[0026]其中，1、阳极基板层；2、空穴传输层；3、功能膜层；4、空穴阻挡层；5、金属阴极层。
具体实施方式
[0027]为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例对本专利技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本专利技术的限定。
[0028]本专利技术所用原料、设备均可以通过市售购得。
[0029]一种量子点印刷OLED器件的制作方法，如附图1所示，具体包括以下步骤：
[0030]S1：选择氧化烟锡作为阳极基板材料，并对阳极基板进行前处理；
[0031]S2：在阳极基板上真空蒸镀空穴传输层；
[0032]S3：在待形成像素点位置光刻处理形成子像素坑，以喷墨印刷工艺往子像素坑内注入QDs墨水，后使用无机盐卤化物的醇溶液与QDs墨水反应形成具有保护作用的功能膜层；
[0033]S4：在功能膜层的表面真空蒸镀空穴阻挡层；
[0034]S5：真空蒸镀阴极金属Al形成金属阴极层；
[0035]S6：U本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点印刷OLED器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选择氧化烟锡作为阳极基板材料，并对阳极基板进行前处理；S2：在阳极基板上真空蒸镀空穴传输层；S3：在待形成像素点位置光刻处理形成子像素坑，以喷墨印刷工艺往子像素坑内注入QDs墨水，后使用无机盐卤化物的醇溶液与QDs墨水反应形成功能膜层；S4：在功能膜层的表面真空蒸镀空穴阻挡层；S5：真空蒸镀阴极金属Al形成金属阴极层；S6：UV固化封装。2.根据权利要求1所述的量子点印刷OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述QDs墨水由量子点及非极性溶剂组成，所述量子点包括CdSe、CuInS2、CdS/M混合量子点中的一种。3.根据权利要求2所述的量子点印刷OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述量子点占所述QDs墨水的质量百分含量为1.8
‑
2.5％。4.根据权利要求1所述的量子点印刷OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述无机盐卤化物包括ZnCl2、ZnBr2中的一种。5.根据权利要求4所述的量子点印刷OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述无机盐卤化物的醇溶液中，所述无机盐卤化物的质量百分比为8
‑
12％。6.根据权利要求5所述的量子点印刷OLED器件的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，待子像素坑内注入QDs墨水干燥后，将无机盐卤化物的醇溶液滴加至子像素坑处直至铺满覆盖整个QDs墨水层，反应3
‑
5min后，干燥处理，再次将无机盐卤化物的醇溶液铺满覆盖整个QDs墨水层，反应28
‑
35min后，清洗多余的无机盐卤...

【专利技术属性】
技术研发人员：马松绵，肖鹏，马楚力，马家慧，马楚邦，马楚衡，邓健珍，罗爽爽，
申请(专利权)人：力嘉包装东莞有限公司，
类型：发明
国别省市：