合成负阻抗的电路制造技术

本发明专利技术提供一种重复利用电流来合成负阻抗的电路，包括一电流源电路、一差动电路以及一负阻抗转换电路。该电流源电路可用来提供至少一预定电流，其中该电流源电路具有一第一端口与一第二端口，且该电流源电路的该第一端口可耦接至一第一参考电压。该差动电路可耦接于该电流源电路的该第二端口与一第二参考电压之间，且可用以接收一差动输入对并产生一差动输出对，其中该差动电路具有一差动输出端口。该负阻抗转换电路可耦接于该差动输出端口与一第三参考电压之间，其中该第三参考电压不同于该第一参考电压。于该第一参考电压。于该第一参考电压。

【技术实现步骤摘要】
合成负阻抗的电路


[0001]本专利技术有关于合成负阻抗的技术，且尤指一种重复利用电流来合成负阻抗的电路。

技术介绍

[0002]一般来说，在放大器电路中，输入端与输出端之间的寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会根据米勒效应(Miller effect)而扩大，该些寄生电容除了会影响放大器电路的稳定性外，也会限制放大器电路的工作带宽，因此，负阻抗转换电路常会用来耦接于放大器电路的输出端(例如一合成负阻抗的电路包括有一放大器电路以及一负阻抗转换电路)，以将寄生电容补偿掉，进而改善该放大器电路的工作带宽。在现有的负阻抗转换电路中通常会包括有两个交叉耦合(cross
‑
coupled)晶体管以及一固定电容，并且负阻抗转换电路的一端并联于该放大器电路的输出端，另一端接地，由于该固定电容在输出端看到的等效阻抗为负电容效应，因此可以将寄生电容补偿掉，进而得到较高的带宽，然而，现有的合成负阻抗电路有个致命的缺点即是需要额外的电流消耗，除了合成负阻抗的电路的整体功耗会相当高之外，伴随而来的成本也会跟着提高，因此，极需一种新颖的合成负阻抗的电路来解决此问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一目的在于提供一种重复利用电流来合成负阻抗的电路，以解决上述问题。
[0004]本专利技术的至少一实施例提供一种合成负阻抗的电路，其是重复利用电流来合成负阻抗。该合成负阻抗的电路可包括一电流源电路、一差动电路以及一负阻抗转换电路。该电流源电路可用来提供至少一预定电流，其中该电流源电路具有一第一端口与一第二端口，且该电流源的该第一端口可耦接至一第一参考电压。该差动电路可耦接于该电流源电路的该第二端口与一第二参考电压之间，且可用以接收一差动输入对并产生一差动输出对，其中该差动电路具有一差动输出端口，用以输出该差动输出对。该负阻抗转换电路可耦接于该差动输出端口与一第三参考电压之间，其中该第三参考电压不同于该第一参考电压。
[0005]本专利技术的好处之一是，通过在差动电路的差动输出端口并联负阻抗转换电路，负阻抗转换电路是使用差动电路的部分电流来达成负电容效应，因此不需要消耗额外的电流，除了可以增加合成负阻抗的电路的带宽外，整体电路的功耗以及成本都能降低。
附图说明
[0006]图1为依据本专利技术一实施例的合成负阻抗电路的方块图。
[0007]图2为依据本专利技术一实施例的负阻抗转换电路的示意图。
[0008]图3为图1所示的合成负阻抗电路的一实施例的电路示意图。
[0009]图4为图1所示的合成负阻抗电路的另一实施例的电路示意图。
[0010]图5为依据本专利技术另一实施例的合成负阻抗电路的方块图。
[0011]图6为图5所示的合成负阻抗电路的一实施例的电路示意图。
[0012]图7为图5所示的合成负阻抗电路的另一实施例的电路示意图。
具体实施方式
[0013]图1为依据本专利技术一实施例的合成负阻抗电路10的方块图。合成负阻抗电路10可包括一电流源电路100、一差动电路(differential circuit)102以及一负阻抗转换电路104。电流源电路100可用以提供至少一预定电流，即电流源电路100可根据设计需求而包括一个或多个电流源，且可包括复数个连接端口106、108，其中连接端口106可耦接至一参考电压V1。差动电路102可耦接至电流源电路100的连接端口108与一参考电压V2之间，且可用以接收一差动输入对(即差动输入电压INN、INP)并产生一差动输出对(即差动输出电压OUTN、OUTP)，其中参考电压V2大于参考电压V1，此外，差动电路102具有一差动输出端口110，其中差动输出端口110可包括有复数个输出端120、122，用以输出该差动输出对(例如分别输出差动输出电压OUTN、OUTP)。负阻抗转换电路104可耦接于输出端120、122与一参考电压V3之间，其中参考电压V3不同于参考电压V2，例如，参考电压V3大于参考电压V1、V2。此外，差动电路102还包括有复数个负载112、114，其中负载112可耦接于输出端120与参考电压V2之间，负载114可耦接于输出端122与参考电压V2之间，且负阻抗转换电路104与负载112并联于输出端120，并且与负载114并联于输出端122。如图1所示，差动电路102以及负阻抗转换电路104可共享电流源电路100所提供的该至少一预定电流，因此，当负阻抗转换电路104要达成负电容效应时，仅需消耗该至少一预定电流的一部份电流，并不需要消耗额外的电流，除了可以增加合成负阻抗电路10的带宽外，合成负阻抗电路10的功耗以及成本都能降低。
[0014]图2为依据本专利技术一实施例的负阻抗转换电路200的示意图。图1所示的负阻抗转换电路104可以利用图2所示的负阻抗转换电路200来实施，如图2所示，负阻抗转换电路200可包括有一可变电容202以及复数个P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET；为简便起见，称为晶体管)204、206，其中P型晶体管204的栅极可耦接至P型晶体管206的漏极，P型晶体管206的栅极可耦接至P型晶体管204的漏极(即P型晶体管204、206之间为交叉耦合(cross
‑
coupled))，且可变电容202可耦接于P型晶体管204的源极与P型晶体管206的源极之间，此外，可通过调整可变电容202的电容值来微调合成负阻抗电路10在高频时的频率响应。
[0015]图3为图1所示的合成负阻抗电路10的一实施例的电路示意图。图1所示的合成负阻抗电路10可以利用图3所示的合成负阻抗电路30来实施，即合成负阻抗电路30同样采用图1所示的架构，如图3所示，合成负阻抗电路30可包括有一电流源300、一电流模式逻辑(current mode logic，CML)放大器302以及一负阻抗转换电路304，其中电流源300用以实现图1所示的电流源电路100，电流模式逻辑放大器302用以实现图1所示的差动电路102，以及负阻抗转换电路304用以实现图1所示的负阻抗转换电路104。本实施例中，电流源300(例如图1所示的电流源电路100)的一端可接地(例如图1所示的参考电压V1＝0)，电流源300的另一端可耦接至电流模式逻辑放大器302(例如图1所示的差动电路102)，且电流源300可用来提供一预定电流I1。电流模式逻辑放大器302可耦接于电流源300以及一电源电压VDD2
(例如图1所示的参考电压V2)之间，且可用以接收一差动输入对(即差动输入电压INN、INP)并产生一差动输出对(即差动输出电压OUTN、OUTP)，且可包括复数个寄生电容314、316、复数个N型晶体管318、320以及复数个输出端328、330(例如图1所示的输出端120、122)，其中寄生电容314、316可分别位于输出端328、330与接地之间，N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种合成负阻抗的电路，其特征在于，包括有：电流源电路，用以提供至少一预定电流，其中该电流源电路具有第一端口与第二端口，且该电流源电路的该第一端口耦接至第一参考电压；差动电路，耦接于该电流源电路的该第二端口与第二参考电压之间，用以接收差动输入对并产生差动输出对，其中该差动电路具有差动输出端口，用以输出该差动输出对；以及负阻抗转换电路，耦接于该差动输出端口与第三参考电压之间，其中该第三参考电压不同于该第一参考电压。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，该第二参考电压与该第三参考电压均高于该第一参考电压。3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，该第三参考电压不同于该第二参考电压。4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，该第三参考电压高于该第二参考电压。5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，该第二参考电压等于该第三参考电压。6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，该差动输出端口包括有第一输出端以及第二输出端，该差动电路包括有：第一负载，耦接于该第一输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：欉冠璋，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：