一种采用退化电感技术的宽带低相位误差可变增益放大器制造技术

本发明专利技术属于射频集成电路领域，具体提供一种采用退化电感技术的150

【技术实现步骤摘要】
一种采用退化电感技术的宽带低相位误差可变增益放大器


[0001]本专利技术属于射频集成电路领域，涉及可变增益放大器(VGA)，具体提供一种采用退化电感技术的150
‑
170GHz宽带低相位误差可变增益放大器。

技术介绍

[0002]毫米波段(30
‑
300GHz)具有丰富的频谱资源，可以为5G提供需要的频率，随着工艺技术的不断发展和晶体管性能的提高，在过去的几年里，人们一直在积极地研究毫米波(mm
‑
wave)频段的电路结构和设计技术。
[0003]在各种类型的电路模块中，可变增益放大器(VGA)控制跨导，导致增益变化，并在各种毫米波波段应用中发挥重要作用。例如，VGA用于波束形成或波束成形系统，以降低增益误差和旁瓣电平；VGA用于动态偏振控制系统，以控制偏振方向。最近，随着对Gb/s级高数据速率应用需求的增加，电路设计工程师们开发了各种结构的宽带VGA，但如何在宽频带范围内实现低相位误差的增益调节仍是需要解决的一大难题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用退化电感技术的宽带低相位误差可变增益放大器，其特征在于，由依次级联的四个可变增益放大器单元电路构成，其中，每个可变增益放大器单元电路均为电流舵型cascode结构，并且，每个可变增益放大器单元电路中共基管与共射管的中间节点连接相位补偿电感MTL到地，电感MTL与地之间连接隔直电容C
D
。2.按权利要求1所述采用退化电感技术的宽带低相位误差可变增益放大器，其特征在于，第一级可变增益放大器单元电路与第二级可变增益放大器单元电路中相位补偿电感MTL的电感值为MTL
N
，第三级可变增益放大器单元电路与第四级可变增益放大器单元电路中相位补偿电感MTL的电感值为MTL
P
，且MTL
N
与MTL
P
满足：MTL
N
＝1/jw(1+α)CB
CONV
，MTL
P
＝1/jw(1
‑
α)CB
CONV
，α＞0；其中，α为预设约束条件，CB
CONV
为可变增益放大器单元电路中共基管与共射管的中间节点处的到地电容。3.按权利要求1所述采用退化电感技术的宽带低相位误差可变增益放大器，其特征在于，第一级可变增益放大器单元电路与第二级可变增益放大器单元电路中相位补偿电感MTL的电感值为MTL
P
，第三级可变增益放大器单元电路与第四级可变增益放大器单元电路中相位补偿电感MTL的电感值为MTL
N
，且MTL
N
与MTL
P
满足：MTL
N
＝1/jw(1+α)CB
CONV
，MTL
P
＝1/jw(1
‑
α)CB
CONV
，α＞0；其中，α为预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：王政，杨茂旋，谢倩，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：