一种稳定气流场的抽气装置及LPCVD管式反应器制造方法及图纸

本发明专利技术涉及镀膜技术领域，具体涉及一种稳定气流场的抽气装置LPCVD管式反应器，抽气装置应用在LPCVD管式反应器上，LPCVD管式反应器内设有工艺区，抽气装置包括主抽气部和至少一个次抽气部；主抽气部位于工艺区的一端，至少一个次抽气部位于工艺区的另一端。本发明专利技术在工艺区的两端分别设置了主抽气部和次抽气部，二者都具有抽气能力，从而使得LPCVD管式反应器中的在远离主抽气部的一端的气体也能够被及时抽走，不会产生紊流而积累气体，从而避免工艺特气提前反应而聚合产生粉尘颗粒落到硅片上造成膜的表面粗糙，确保膜的致密性好，确保硅片上的膜的质量。硅片上的膜的质量。硅片上的膜的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种稳定气流场的抽气装置及LPCVD管式反应器


[0001]本专利技术属于镀膜
，尤其涉及一种稳定气流场的抽气装置及LPCVD管式反应器。

技术介绍

[0002]在TOPCon等钝化接触类太阳能电池片生产过程中，需要在硅片表面沉积多晶硅薄膜，现有技术通常采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低压力化学气相沉积法)设备进行膜的沉积。
[0003]太阳能电池应用的量产设备(LPCVD炉)主要以进舟端为炉口，另一侧为炉尾的结构为主。现有炉体通常通过在炉口安装的进气管或炉尾插入的一组补气管向炉管内喷射镀膜所需的工艺特气(例如硅烷)，在炉管一端进行抽气排空。使用时，将硅片排列在舟上并置入炉内的恒温工艺区，输入工艺特气并抽真空，在特定温度下对硅片进行低压沉积镀膜。
[0004]为了提产提效，将单管LPCVD炉管的硅片的装载量由几百片提高到一两千片，则炉管的长度、恒温工艺区的长度需要加长。然而，在采用加长后的LPCVD炉管进行镀膜生产时，生产出来的硅片上，部分硅片的膜的致密性较差，膜的表面粗糙程度较大，无法达到质量要求。
[0005]因此，需要一种新的技术以解决现有技术中的炉管的长度、恒温工艺区的长度增加后产生的硅片上的膜的致密性较差、膜的表面粗糙程度较大，无法达到质量要求的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术实施例提供一种稳定气流场的抽气装置及LPCVD管式反应器，旨在解决炉管的长度、恒温工艺区的长度增加后产生的硅片上的膜的致密性较差、膜的表面粗糙程度较大，无法达到质量要求的问题。
[0007]本专利技术实施例是这样实现的：
[0008]一种稳定气流场的抽气装置，应用在LPCVD管式反应器上，LPCVD管式反应器内设有工艺区，所述抽气装置包括主抽气部和至少一个次抽气部；
[0009]所述主抽气部位于工艺区的一端，所述至少一个次抽气部位于工艺区的另一端。
[0010]更进一步地，所述次抽气部包括插入所述LPCVD管式反应器内的次抽气管；所述抽气管连接有负压源。
[0011]更进一步地，所述负压源为泵体或所述主抽气部的负压管路。
[0012]更进一步地，所述次抽气管与泵体或所述负压管路之间设有可调开度的控制阀。
[0013]更进一步地，所述泵体抽速可调。
[0014]更进一步地，所述次抽气管由所述LPCVD管式反应器的尾部插入LPCVD管式反应器内。
[0015]更进一步地，所述LPCVD管式反应器设有用于将炉盖和炉身连接密封的的连接结构；
[0016]所述连接结构设有内部孔道，所述内部孔道设有与所述LPCVD管式反应器内连通的气口；
[0017]所述次抽气部包括位于LPCVD管式反应器外的次抽气管，所述次抽气管的一端与所述内部孔道连通，另一端连接有负压源。
[0018]更进一步地，所述主抽气部包括主抽气管，所述主抽气管穿过所述LPCVD管式反应器的尾部延伸至首端。
[0019]更进一步地，所述次抽气部为设置在所述主抽气管上的至少一个开孔。
[0020]更进一步地，所述主抽气管与所述LPCVD管式反应器的首端端盖的距离为5cm
‑
60cm。
[0021]更进一步地，所述次抽气部的抽气量为LPCVD管式反应器的总抽气量的5％
‑
40％。
[0022]一种LPCVD管式反应器，包括上所述的稳定气流场的抽气装置。
[0023]本专利技术所达到的有益效果是：
[0024]本专利技术中的稳定气流场的抽气装置中，在工艺区的两端分别设置了主抽气部和次抽气部，次抽气部和主抽气部都能够在工艺区的两端进行抽气，使得工艺区两端的气体都能够被抽出，不会产生紊流而导致积累气体，使内部气体能够平稳地被抽出，从而避免工艺特气提前反应产生粉尘颗粒落地硅片上造成膜的表面粗糙，确保膜的致密性好，确保硅片上的膜的质量。
附图说明
[0025]图1是本专利技术实施例二、三提供的结构示意图；
[0026]图2是本专利技术实施例四提供的结构示意图；
[0027]图3是本专利技术实施例五提供的结构示意图
[0028]附图标号：
[0029]1、炉首；2、炉身；21、工艺区；22、进气管；3、炉尾；4、抽气装置；41、主抽气部；411、主抽气管；412、负压管路；42、次抽气部；421、次抽气管；43、控制阀；5、连接结构；51、内部孔道；511、气口；512、连通孔道；100、LPCVD管式反应器。
具体实施方式
[0030]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。此外，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0031]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“左”、“右”、“水平”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0032]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者
隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0033]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0034]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0035]下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种稳定气流场的抽气装置，应用在LPCVD管式反应器上，LPCVD管式反应器内设有工艺区，其特征在于，所述抽气装置包括主抽气部和至少一个次抽气部；所述主抽气部位于工艺区的一端，所述至少一个次抽气部位于工艺区的另一端。2.根据权利要求1所述的稳定气流场的抽气装置，其特征在于，所述次抽气部包括插入所述LPCVD管式反应器内的次抽气管；所述抽气管连接有负压源。3.根据权利要求2所述的稳定气流场的抽气装置，其特征在于，所述负压源为泵体或所述主抽气部的负压管路。4.根据权利要求3所述的稳定气流场的抽气装置，其特征在于，所述次抽气管与泵体或所述负压管路之间设有可调开度的控制阀。5.根据权利要求3所述的稳定气流场的抽气装置，其特征在于，所述泵体抽速可调。6.根据权利要求2所述的稳定气流场的抽气装置，其特征在于，所述次抽气管由所述LPCVD管式反应器的尾部插入LPCVD管式反应器内。7.根据权利要求1所述的稳定气流场的抽气装置，其特征在于，所述LPCVD管式反应器设有用于将炉盖和炉身连接密封的的连接结构；所述连接结构设有内部...

【专利技术属性】
技术研发人员：李种玉，张生利，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：天津爱旭太阳能科技有限公司珠海富山爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：