一种太阳能电池及其制备方法技术

本申请公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括基底，在所述基底上依次层叠有所述空穴传输层以及钙钛矿吸收层，所述空穴传输层包含Cs2Sn

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制备方法


[0001]本申请涉及太阳能电池
，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]钙钛矿太阳能电池器件可以分为p
‑
i
‑
n和n
‑
i
‑
p两种构型。其中，p与i分别代表空穴传输层及电子传输层空穴传输层。常见的无机空穴传输层材料为NiOx(氧化镍)，而非掺杂NiOx其空穴迁移率仅仅只有0.12cm2v
‑1s
‑1，价带为
‑
5.21，常见的有机空穴传输材料有2,2
’
,7,7
’‑
四[N,N
‑
二(4
‑
甲氧基苯基)氨基]‑
9,9
’‑
螺二芴(Spiro
‑
OMeTAD)、聚(3,4
‑
乙烯二氧噻吩)
‑
聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)、(聚[双(4
‑
苯基)(2,4,6
‑
三甲基苯基)胺](PTAA)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括基底，在所述基底上依次层叠有所述空穴传输层以及钙钛矿吸收层，所述空穴传输层包含Cs2Sn
ɑ
a
β
b
γ
c
，其中
ɑ
、β、γ分别独立地为Cl、Br或I中的一种或两种以上；0≤a≤6，0≤b≤6，0≤c≤6，a+b+c＝6。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底为电池衬底或硅电池。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述Cs2Sn
ɑ
a
β
b
γ
c
选自Cs2SnI6、Cs2SnCl6、Cs2SnBr6、Cs2SnI
a
Br
b
Cl
c
、Cs2SnBr
b
Cl
c
、Cs2SnI
a
Cl
c
、Cs2SnI
a
Br
b
中的一种或两种以上。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述Cs2Sn
ɑ
a
β
b
γ
c
选自Cs2SnCl6、Cs2SnBr6、Cs2SnI3Br2Cl、Cs2SnBr4Cl2、Cs2SnI4Br2中的一种或两种以上，优选为Cs2SnI3Br2Cl、Cs2SnBr4Cl2、Cs2SnI4Br2。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为60
‑
120nm，优选为100nm。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿吸收层通式为ABX3，A选自MA
+
、FA
+
或Cs
+
中一种或两种以上的组合，B选自Pb
2+
或Sn
2+
，X选自Cl
‑
、Br
‑
或I
‑
，优选为Cs
x
FA1‑
x

【专利技术属性】
技术研发人员：李巧艳，秦媛，徐希翔，何博，顾小兵，何永才，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：