CsPbBr3基半导体材料、制备方法及其应用技术

本发明专利技术公开了CsPbBr3基半导体材料、制备方法及其应用，涉及半导体光电探测器技术领域，包括以下步骤，将制备好的CsPbBr3前驱体溶液滴在等离子仪处理过的Si/SiO2衬底上，盖上一层光滑平整的PDMS膜，进行干燥；完成干燥后揭掉PDMS膜，利用光学显微镜观察，选择衬底上CsPbBr3MWs生长得较好衬底备用；用移液枪吸取50μL的CdSeNB分散液，将其滴在挑选出的CsPbBr3MWs衬底上，待溶液完全蒸发；利用光学显微镜观察并选出CsPbBr3MWs和CdSeNB复合在一起的样品；用蒸发系统给其蒸镀Au(80nm)电极。CsPbBr3MW/CdSeNB结构有利于提高器件的光电性能，充分发挥了全无机钙钛矿吸收系数大和量子效率高等优点以及二维材料的优异性能，并可能为未来新型高性能光电子器件提供参考和借鉴价值。借鉴价值。借鉴价值。

【技术实现步骤摘要】
CsPbBr3基半导体材料、制备方法及其应用


[0001]本专利技术涉及CsPbBr3基半导体材料在光电器件的应用
，具体为CsPbBr3基半导体材料、制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]与传统半导体材料相比，全无机钙钛矿具有高光吸收系数，灵敏度高，还可以采用多种方法制备，全无机卤化铅钙钛矿(CsPbX3)中的CsPbBr3是一种直接带隙半导体材料，并且具有吸光系数大、载流子迁移率高、扩散长度长等显著的光电性能。
[0003]全无机CsPbBr3作为一种新型半导体材料，具有比有机无机杂化钙钛矿更好的稳定性，因此被研究者们广泛关注，是研究新型高性能的光电器件的候选者之一，在光电探测、太阳能电池、发光二极管等领域具有广阔的应用。
[0004]CdSe纳米带(NB)是一种直接带隙半导体材料，
Ⅱ‑Ⅵ
族化合物，带隙为1.7eV，能带属于直接跃迁结构，具有传输载流子等优异的光学特性；已经以不同的维度(量子点、纳米晶、纳米棒、纳米带)应用在光电子器件上，例如，电子发射器、光谱分析、光导体、半导体和光敏元件等。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于平面内自主装的CsPbBr3MWs的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，基于无光刻胶微结构光滑平整的Si衬底，制成光滑平整的PDMS膜；用电子天平称取等摩尔比的PbBr2和CsBr粉末，溶于盛有1ml二甲基亚砜(DMSO)溶液的容器中，并紧密封闭；将该容器放入油浴锅中，65℃搅拌6h后，取出冷却至室温后用0.45μm聚四氟乙烯针状过滤器过滤；采用移液枪抽取10μL的CsPbBr3溶液将其滴在处理好的Si/SiO2衬底上，然后剪切与硅片大小的PDMS膜压在上面，并将其放入45℃热台上干燥过夜；去除覆盖的基板后得到CsPbBr3MWs材料。2.一种CsPbBr3MWs材料的器件制备方法，所述CsPbBr3MWs材料的由权利要求1中方法制备而成，其特征在于：包括如下步骤：将CsPbBr3MWs前体溶液滴在Si/SiO2衬底上，盖上光滑平整的PDMS膜，然后置于50℃干燥台上过夜；揭掉PDMS膜，在光学显微镜下将形貌较好的Si/SiO2衬底固定在缠绕有直径为10μm钨丝的掩模板上；把掩模板固定的Si/SiO2衬底放入电子束蒸发系统内，蒸镀80nm的金电极；镀膜完成冷却后，取出样品；最后挑选样品两端分别与Au电极接触的，即为CsPbBr3MWs器件。3.一种基于CsPbBr
3 MWs材料的光电元器件，其特征在于，包含权利要求2中所述CsPbBr
3 MWs器件。4.基于CVD生长的CdSeNB制备方法，其特征在于：包括如下步骤，将切成1.0
×
2.0cm的Si/SiO2衬底分别置于丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗10min，后用氮气吹干，接着在衬底上溅射10nm厚的Au膜；取适量的CdSe粉末装进陶瓷舟中并压实，防止其被气体吹飞；将陶瓷舟放入石英管中间位置，将硅衬底置于陶瓷舟下游大约6cm处，用于沉积二维材料；将石英管放进管式炉内确定位置并关闭法兰，然后通入Ar/H
2(
其中H2含量为5％)气体清洗管式炉；清洗完成，抽真空，将混合气体流速控制在15sccm；以10℃/min的...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭秋红，王前进，任丽，刘应开，
申请(专利权)人：云南师范大学，
类型：发明
国别省市：