【技术实现步骤摘要】
一种高比表面积氧空位铕掺杂Co3O4纳米颗粒及其制备方法
[0001]本专利技术涉及纳米材料制备
,特别是指一种高比表面积氧空位铕掺杂Co3O4纳米颗粒及其制备方法。
技术介绍
[0002]具有快速充放电和超长的使用寿命等优点的超级电容器可为工业发展的能源供应需求提供保障。其中,基于氧化还原材料的赝电容器通常表现出远高于碳基双电层电容器的电容性能。在这些氧化还原材料中,过渡金属氧化物(TMOs)因其高的理论比电容、多价态转换、快速的氧化还原反应或离子插入反应而备受关注,被认为是很有前途的赝电容材料。四氧化三钴(Co3O4)作为一种极具代表性的TMOs而成为高性能电容材料的热门选择。然而,因Co3O4具有极差的本征电导率以及低的比表面积,导致其电容性能的优势很难发挥出来。同时,高导电材料作为外源性修饰手段与Co3O4复合可提高其电容性能,但Co3O4的体相内电化学活性仍未激发,其电荷储存能力仍未充分释放。
[0003]近年来,异质离子掺杂制造表面和体相氧空位是有效改善过渡金属氧化物电容性能的途径。与过渡金属元素不 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高比表面积氧空位铕掺杂Co3O4纳米颗粒的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:称取一定量的六水合硝酸钴和铕可溶性盐,溶于水和乙二醇的混合溶剂中,得到混合溶液A;步骤2:称取尿素,溶于混合溶液A中,搅拌均匀后,得到溶液B;步骤3:将步骤2所得的溶液B在80
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90℃的温度下反应8
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12h,自然冷却到室温后,将所得产物离心分离,洗涤干燥,得到铕掺杂Co3O4前驱体;步骤4:将步骤3所得前驱体置于马弗炉中煅烧,煅烧结束后得到最终产物铕掺杂Co3O4纳米颗粒。2.根据权利要求1所述的铕掺杂Co3O4纳米颗粒的制备方法,其特征在于,所述步骤1中,铕可溶性盐为硫酸盐、硝酸盐或氯化盐。3.根据权利要求2所述的铕掺杂Co3O4纳米颗粒的制备方法,其特征在于,所述六水合硝酸钴与铕可溶性盐的摩尔比为100:0.5
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7。4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:周卫强,何垚,徐景坤,蒋丰兴,段学民,李丹琴,
申请(专利权)人:江西科技师范大学,
类型:发明
国别省市:
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