一种低温漂系数振荡器电路制造技术

本说明书实施例提供一种低温漂系数振荡器电路，包括：第一充放电电容CL和第二充放电电容CR分别并联在锁存器电路的第一输入端，第一电流导向开关及第二电流导向开关的电流输入端均连接在偏置电流产生电路的电流输出端，第一电流导向开关和第二电流导向开关的电流输入端分别接至锁存器电路的第一输入端和第二输入端，第一电流导向开关和第二电流导向开关的受控输入端分别连接至第二缓冲器和第一缓冲器的输出端，第一缓冲器和第二缓冲器的输入端分别接至锁存器的第一输出端和第二输出端，第一缓冲器和第二缓冲器的输出端还用于输出互补的第一方波信号CKB和第二方波信号CK，具有利用标准CMOS工艺实现的片上振荡器，降低生产成本的优点。生产成本的优点。生产成本的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种低温漂系数振荡器电路


[0001]本说明书涉及模拟集成电路领域，特别涉及一种低温漂系数振荡器电路。

技术介绍

[0002]振荡器是许多电子系统不可缺少的模块，应用范围从微处理器中的时钟产生电路到无线通信系统中的载波合成。目前较常用的振荡器是石英晶体振荡器，其特点是性能稳定，工艺偏差小，温度系数低。由于石英晶体振荡器采用了石英晶体，使得它不能与标准CMOS工艺相兼容，这将增加制造成本。
[0003]因此，需要提供一种低温漂系数振荡器电路，用于利用标准CMOS工艺实现的片上振荡器来取代片外的石英晶体振荡器，降低生产成本。

技术实现思路

[0004]本说明书实施例之一提供一种低温漂系数振荡器电路，包括：锁存器电路、偏置电流产生电路、第一电流导向开关、第二电流导向开关、第一充电电容CL及第二充电电容CR，所述第一充放电电容CL并联在所述锁存器电路的第一输入端，所述第二充放电电容CR并联在所述锁存器电路的第二输入端，所述第一电流导向开关及所述第二电流导向开关的电流输入端均连接在所述偏置电流产生电路的电流输出端，所述第一电流导向开关和所述第二电流导向开关的电流输入端分别接至所述锁存器电路的第一输入端和第二输入端，所述第一电流导向开关和所述第二电流导向开关的受控输入端分别连接至第二缓冲器和第一缓冲器的输出端，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器的输入端分别接至所述锁存器的第一输出端和第二输出端，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器的输出端还用于输出互补的第一方波信号CKB和第二方波信号CK。
[0005]在一些实施例中，所述锁存器电路包括第一NMOS晶体管M0、第二NMOS晶体管M1、第一PMOS晶体管M2、第二PMOS晶体管M3、第一反相器I0和第二反相器I1；所述第一NMOS晶体管M0的栅极和所述第二NMOS晶体管M1的栅极构成所述锁存器电路的两个互补输入端INL和INR，所述第一NMOS晶体管M0的漏极和所述第二NMOS晶体管M1的漏极构成所述锁存器电路的两个互补输出端X0和X1，所述第一NMOS晶体管M0的源极和所述第二NMOS晶体管M1的源极均接地；所述第一PMOS晶体管M2的源极和所述第二PMOS晶体管M3的源极均接至电源VDD，所述第二PMOS晶体管M3的栅极接至所述第一PMOS晶体管M2的漏极X0，所述第一PMOS晶体管M2的栅极接至所述第二PMOS晶体管M3的漏极X1，所述第一NMOS晶体管M0的漏极电连接至所述第一PMOS晶体管M2的漏极X0，所述第二NMOS晶体管M1的漏极电连接至所述第二PMOS晶体管M3的漏极X1。
[0006]在一些实施例中，所述第一电流导向开关包括第四PMOS晶体管M7和第四NMOS晶体管M6，所述第四PMOS晶体管M7的源极与所述偏置电流产生电路的电流输出端电连接，所述第四PMOS晶体管M7的栅极和所述第四NMOS晶体管M6的栅极均与第二CMOS缓冲器I2的输出端电连接，所述第四PMOS晶体管M7的漏极与所述第四NMOS晶体管M6的漏极电连接，所述第
四PMOS晶体管M7的漏极与所述第四NMOS晶体管M6的漏极的结点INL与所述第一NMOS晶体管M0的栅极电连接，所述第一充电电容CL的其中一个极板与所述结点INL电连接，所述第一充电电容CL的另一个极板接地。
[0007]在一些实施例中，所述第二电流导向开关包括第三NMOS晶体管M4和第三PMOS晶体管M5，所述第三PMOS晶体管M5的源极与所述偏置电流产生电路的电流输出端电连接，所述第三PMOS晶体管M5的栅极和所述第三NMOS晶体管M4的栅极均与第一CMOS缓冲器I3的输出端电连接，所述第三PMOS晶体管M5的漏极与所述第三NMOS晶体管M4的漏极电连接，所述第三PMOS晶体管M5的漏极与所述第三NMOS晶体管M4的漏极的结点INR与所述第二NMOS晶体管M1的栅极电连接，所述第二充电电容CR的其中一个极板与所述结点INR电连接，所述第二充电电容CR的另一个极板接地。
[0008]在一些实施例中，所述偏置电流产生电路包括第五PMOS晶体管M8、第六PMOS晶体管M9、第五NMOS晶体管M10、第一电阻R0、电流源i0和运算放大器AMP；所述第五NMOS晶体管M10的栅极与所述第五NMOS晶体管M10的漏极连接，所述第五NMOS晶体管M10的漏极与所述电流源i0电连接，所述第五NMOS晶体管M10的源极接地，所述第五PMOS晶体管M8的源极和所述第六PMOS晶体管M9的源极均与电源VDD电连接，所述第六PMOS晶体管M9的漏极经所述第一电阻R0接地，所述运算放大器AMP的反相端与所述第五NMOS晶体管M10的漏极电连接，所述运算放大器AMP的同相端与所述第六PMOS晶体管M9的漏极电连接，所述第五PMOS晶体管M8的漏极输出偏置电流i
ref
用于对所述第一充电电容CL或所述第二充电电容CR进行充电。
附图说明
[0009]本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
[0010]图1是根据本说明书一些实施例所示的一种低温漂系数振荡器电路的电路示意图；
[0011]图2是根据本说明书一些实施例所示的振荡器电路中三个关键结点的波形的示意图；
[0012]图3是根据本说明书一些实施例所示的简化的锁存器电路的电路示意图；
[0013]图4是根据本说明书一些实施例所示的电流源的电路示意图；
[0014]图5是根据本说明书另一些实施例所示的电流源的电路示意图；
[0015]图6是根据本说明书一些实施例所示的锁存器电路的电路示意图；
[0016]图7是根据本说明书另一些实施例所示的一种低温漂系数振荡器电路的电路示意图；
[0017]图8是根据本说明书另一些实施例所示的锁存器电路的电路示意图。
具体实施方式
[0018]为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附
图将本说明书应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
[0019]应当理解，本文使用的“系统”、“装置”、“单元”和/或“模块”是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配的一种方法。然而，如果其他词语可实现相同的目的，则可通过其他表达来替换所述词语。
[0020]如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。
[0021]本说明书中使用了流程图用来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温漂系数振荡器电路，其特征在于，包括：锁存器电路、偏置电流产生电路、第一电流导向开关、第二电流导向开关、第一充电电容CL及第二充电电容CR，所述第一充放电电容CL并联在所述锁存器电路的第一输入端，所述第二充放电电容CR并联在所述锁存器电路的第二输入端，所述第一电流导向开关及所述第二电流导向开关的电流输入端均连接在所述偏置电流产生电路的电流输出端，所述第一电流导向开关和所述第二电流导向开关的电流输入端分别接至所述锁存器电路的第一输入端和第二输入端，所述第一电流导向开关和所述第二电流导向开关的受控输入端分别连接至第二缓冲器和第一缓冲器的输出端，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器的输入端分别接至所述锁存器的第一输出端和第二输出端，所述第一缓冲器和所述第二缓冲器的输出端还用于输出互补的第一方波信号CKB和第二方波信号CK。2.如权利要求1所述的低温漂系数振荡器电路，其特征在于，所述锁存器电路包括第一NMOS晶体管M0、第二NMOS晶体管M1、第一PMOS晶体管M2、第二PMOS晶体管M3、第一反相器I0和第二反相器I1；所述第一NMOS晶体管M0的栅极和所述第二NMOS晶体管M1的栅极构成所述锁存器电路的两个互补输入端INL和INR，所述第一NMOS晶体管M0的漏极和所述第二NMOS晶体管M1的漏极构成所述锁存器电路的两个互补输出端X0和X1，所述第一NMOS晶体管M0的源极和所述第二NMOS晶体管M1的源极均接地；所述第一PMOS晶体管M2的源极和所述第二PMOS晶体管M3的源极均接至电源VDD，所述第二PMOS晶体管M3的栅极接至所述第一PMOS晶体管M2的漏极X0，所述第一PMOS晶体管M2的栅极接至所述第二PMOS晶体管M3的漏极X1，所述第一NMOS晶体管M0的漏极电连接至所述第一PMOS晶体管M2的漏极X0，所述第二NMOS晶体管M1的漏极电连接至所述第二PMOS晶体管M3的漏极X1。3.如权利要求2所述的低温漂系数振荡器电路，其特征在于，所述第一电流导向开关包括第四PMOS晶体管M7和第四NMOS晶体管M6，所述第四PMOS晶体管M7的源极与所述偏置电流产生电路的电流输出端电连接，所述第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹宏涛，
申请(专利权)人：光微信息科技合肥有限公司，
类型：新型
国别省市：