一种沉积镀膜设备及工艺制造技术

技术编号:36507890 阅读:55 留言:0更新日期:2023-02-01 15:34
本发明专利技术公开了光伏领域内的一种沉积镀膜设备及工艺,包括外密闭腔室,内密闭反应腔结构,内密闭反应腔升降机构,传送机构,气体控制系统。其中1.采用导磁屏蔽材料的内外双腔体结构,能多层有效的屏蔽地效磁场及周边电磁场,获取设备内部稳定反应场,进而提高镀膜品质,提高沉积薄膜的均匀一致性。2.腔中腔的设计高效精准的控制气体沉积反应区域,降低反应气体外泄污染设备其他部位,降低开腔检修保养设备次数,提高设备利用率,极大降低内腔的反应气体的使用量降低生产成本。反应腔室温度控制更精准,降低设备能耗。3.内反应腔体升降,替代托盘升降。避免沉积工件因抖动造成的破损和移位,从而提高设备生产良品率。从而提高设备生产良品率。从而提高设备生产良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种沉积镀膜设备及工艺


[0001]本专利技术涉及一种光伏领域内的一种沉积镀膜设备及工艺。

技术介绍

[0002]在光伏产业庞大的产业链中,光伏电池的制造无疑是其中的核心环节。其中光伏电池制造行业有以下两点为主要目标:一是提高电池片的光电转换效率,二是降低生产成本。本专利以此为目标专利技术了一种光伏PECVD镀膜设备内外腔体结构及其控制方法,与传统技术相比,本专利得益于腔中腔的双腔体结构,使薄膜沉积反应在内腔体内反应。相对传统单腔,内外腔体提供了二次屏蔽磁场,为内反应腔提供了稳定的沉积反应环境,且沉积镀膜过程中减少了对外腔体内壁及其它部位的污染,能有效的减少开腔清洗次数和降低清洗难度。同时对比传统设备,本腔中腔镀膜过程中沉积空间更小,进而腔内用气需求量更少,温度控制更精准,沉积速度更快。同时通过内反应腔体的升降可以减少下升降可能造成的坏片和沉积工件位移,使升降过程更平稳精准。综上本专利技术相对传统设备可提高生产效率、降低生产成本、提高沉积薄膜的品质以及提高良品率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种沉积镀膜设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沉积镀膜设备,其特征在于:包括外密闭腔室,外密闭腔室的下部设置有传送机构,传送机构配套设置升降机构,升降机构和传送机构之间配套设置有内反应腔结构,外密闭腔室和内反应腔结构之间通过气体控制系统连通,气体控制系统包括外密闭腔室上开设的进气口和出气口,进气口与出气口均和内反应腔结构连通。2.根据权利要求1所述的一种沉积镀膜设备,其特征在于:内反应腔结构包括反应罩,反应罩与升降机构相连,反应罩内的顶部设置有上极板,上极板配套设置有下极板,下极板经传送机构送入外密闭腔室内与反应罩相配合构成内反应腔室,进气口与出气口均与反应罩相连通。3.根据权利要求2所述的一种沉积镀膜设备,其特征在于,外密闭腔室和内反应腔室均采用屏蔽、导磁材料。4.根据权利要求3所述的一种沉积镀膜设备,其特征在于,升降机构设置在外密闭腔室的顶部。5.一种沉积镀膜工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,送入沉积工件;步骤2,形成内反应腔室;步骤3,进行镀膜沉积;步骤4,出料前准备;步骤5,送出沉积工件并重复步骤2

5。6.根据权利要求5所述的一种沉积镀膜设备,其特征在于,步骤1的具体内容如下:打开外密闭腔室的进口,传送机构将下极板从进口送入外密闭腔室内,其中沉积工件放置在下极板上。7.根据权利要求6所述的一种沉积镀膜工艺,其特征在于,步骤2的具体内...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜国宏马忠帅
申请(专利权)人:江苏舜大新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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