一种低热阻LED芯片及其制备方法、分离方法技术

本发明专利技术提供了一种低热阻LED芯片及其制备方法、分离方法，提供了一复合衬底，所述复合衬底包括沿第一方向依次堆叠的第一衬底、第一键合层以及第二衬底；从而使外延叠层通过第二键合层键合形成于所述第二衬底背离所述第一键合层的一侧表面，进一步地，所述第二键合层和所述第二衬底具有导电性。从而，通过第二衬底的高热导率解决了LED芯片的热阻；同时，通过复合衬底的临时支撑增强了LED晶片的强度，避免了制备过程中的翘曲和破片问题；同时，通过复合衬底的临时支撑可以免除研磨工艺，保证了LED芯片厚度的一致性，并节约了成本。尤其适用于大电流密度的LED芯片。于大电流密度的LED芯片。于大电流密度的LED芯片。

【技术实现步骤摘要】
一种低热阻LED芯片及其制备方法、分离方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种低热阻LED芯片及其制备方法、分离方法。

技术介绍

[0002]随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用也越来越广泛，人们越来越关注LED在显示屏的发展前景。LED芯片，其功能就是把电能转化为光能，具体的，包括外延发光结构和分别设置在外延发光结构上的N型电极和P型电极。所述外延发光结构包括P型半导体层、N型半导体层以及位于所述N型半导体层和P型半导体层之间的有源层，当有电流通过LED芯片时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会向有源层移动，并在所述有源层复合，使得LED芯片发光。
[0003]由于外延发光结构为在生长衬底上生长的半导体多层结构。该生长衬底通常为GaAs、Si、Al2O3、SiC等衬底，半导体层通常为AlGaInP、AlInGaN 等。在电流密度较小的情况下，外延发光结构在工作过程中释放的热量较少，一般采用不去除生长衬底的正装结构或者倒装结构芯片。随着电流密度的增加，单位面积产生的热量增大，生长衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低热阻LED芯片，其特征在于，包括：复合衬底，所述复合衬底包括沿第一方向依次堆叠的第一衬底、第一键合层以及第二衬底；通过切割道相互隔离的若干个子外延叠层单元，各所述子外延叠层通过第二键合层键合形成于所述第二衬底背离所述第一键合层的一侧表面；且所述切割道裸露所述第一衬底；各所述子外延叠层至少包括沿所述第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层；所述第一方向垂直于所述复合衬底，并由所述复合衬底指向所述外延叠层；第一接触电极，其设置于所述第一型半导体层背离所述有源区的一侧表面。2.根据权利要求1所述的低热阻LED芯片，其特征在于，所述第二键合层和所述第二衬底具有导电性。3.根据权利要求1所述的低热阻LED芯片，其特征在于，所述第二键合层的熔点高于所述第一键合层的熔点。4.根据权利要求2所述的低热阻LED芯片，其特征在于，所述第一键合层具有导电性。5.根据权利要求1所述的低热阻LED芯片，其特征在于，对所述第一衬底进行剥离时所需要的温度，其介于第一键合层的熔点和第二键合层的熔点之间。6.根据权利要求1所述的低热阻LED芯片，其特征在于，所述第二键合层包括欧姆接触层、金属反射层中的至少一种。7.根据权利要求1所述的低热阻LED芯片，其特征在于，所述第二键合层包括Au、In、Ni、Sn、Ag、Cu中的一种或者至少两种所形成的合金。8.一种低热阻LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：S01、提供一生长衬底；S02、生长外延叠层，所述外延叠层包括所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；S03、提供复合衬底，所述复合衬底包括沿生长方向依次堆叠的第一衬底、第一键合层以及第二衬底，其中，所述第一键合层及所述第二衬底具有导电性；S04...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲晓东，陈凯轩，崔恒平，蔡海防，金章育，罗桂兰，赵斌，杨克伟，江土堆，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：