显示装置及制造其的方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置及制造其的方法。所述显示装置包括：基底；多个第一堤，在基底上在第一方向上延伸并且彼此间隔开；第一电极和第二电极，在第一方向上延伸并且在不同的第一堤上布置为彼此间隔开；第一绝缘层，设置在基底上并且部分地覆盖第一电极和第二电极；以及多个发光元件，布置在第一绝缘层上并且具有分别布置在第一电极和第二电极上的两端，其中，当向第一电极和第二电极施加磁场时，第一电极和第二电极产生电场。二电极产生电场。二电极产生电场。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及制造其的方法
[0001]本申请要求于2020年5月22日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0061734号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种显示装置及制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0003]显示装置的重要性随着多媒体的发展而增大，并且已经使用了诸如有机发光二极管(OLED)显示装置、液晶显示(LCD)装置等的各种类型的显示装置。
[0004]作为用于显示图像的装置的显示装置包括诸如OLED显示面板或LCD面板的显示面板。显示面板可以包括诸如发光二极管(LED)的发光元件，并且LED可以被分类为使用有机材料作为荧光材料的OLED和使用无机材料作为荧光材料的无机LED。
[0005]使用无机半导体作为荧光材料的无机LED即使在高温环境中也是耐用的，并且具有比OLED高的蓝光效率。此外，为了克服常规无机LED的限制，已经开发了使用介电泳(DEP)的转移方法。因此，对相比于有机发光二极管具有优异的耐久性和效率的无机发光二极管的研究一直在继续。

技术实现思路

[0006]技术问题
[0007]为了解决上述问题，本专利技术的示例性实施例提供了一种可以改善电极上的发光元件的对准度的制造显示装置的方法。
[0008]本专利技术的示例性实施例还提供了一种能够使电极的氧化最小化的显示装置。
[0009]专利技术的另外的优点、主题和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在浏览以下内容后将变得明显，或者可以从专利技术的实践获知。
[0010]技术方案
[0011]根据公开的实施例，显示装置包括：基底；多个第一堤，在基底上在第一方向上延伸，第一堤设置为彼此间隔开；第一电极和第二电极，在第一方向上延伸，第一电极和第二电极设置在不同的第一堤上以彼此间隔开；第一绝缘层，设置在基底上，第一绝缘层部分地覆盖第一电极和第二电极；以及多个发光元件，设置在第一绝缘层上，多个发光元件中的每个的两个端部分别放置在第一电极和第二电极上，其中，响应于被施加的磁场，第一电极和第二电极产生电场。
[0012]第一电极和第二电极对于400nm至700nm的波段具有20％至85％的反射率。
[0013]第一电极和第二电极具有800℃或更低的居里温度。
[0014]第一电极和第二电极包括选自BiFeO3、六角铁氧体、TbMn2O5和CoCr2O4中的至少一种。
[0015]响应于被施加的电场，第一电极和第二电极产生磁场。
[0016]显示装置还可以包括设置在第一电极与第一绝缘层之间以及第二电极与第一绝缘层之间的反射层。
[0017]反射层具有比第一电极或第二电极高的反射率。
[0018]显示装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一电极上以与发光元件的第一端部接触；以及第二接触电极，设置在第二电极上以与发光元件的第二端部接触。
[0019]发光元件中的每个包括第一半导体层、第二半导体层和设置在第一半导体层与第二半导体层之间的至少一个发光层，并且第一半导体层、第二半导体层和至少一个发光层被绝缘膜围绕。
[0020]根据公开的实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤：制备包括第一电极层和第二电极层的目标基底，并且将包括溶剂和分散在溶剂中的发光元件的墨喷涂到目标基底上；在目标基底上产生第一电场，并且在目标基底上使发光元件在第一电场上初次对准；以及通过向第一电极层或第二电极层施加磁场来产生第二电场，并且在目标基底上使发光元件二次对准。
[0021]通过使电流流入第一电极层或第二电极层中来产生第一电场。
[0022]在使发光元件二次对准的步骤中，通过使用外部线圈将磁场施加到第一电极层或第二电极层。
[0023]第一电极层或第二电极层根据磁场的强度产生第二电场。
[0024]通过用第二电场在发光元件中诱导偶极矩以向发光元件施加旋转扭矩来使发光元件旋转并且重新对准。
[0025]通过向其施加磁场的第一电极层或第二电极层的磁力将旋转扭矩添加到发光元件。
[0026]在使发光元件初次对准的步骤之后，从目标基底的一个区域到另一区域测量发光元件的对准度，并且将磁场施加到其中发光元件的对准度低的区域。
[0027]通过使用包括相机的检查装置获取目标基底的每个区域的图像并且测量发光元件的方位方向来测量发光元件的对准度。
[0028]通过测量设置在第一电极层与第二电极层之间的发光元件中的每个的两个端部的位置来测量发光元件的方位方向。
[0029]所述方法还可以包括以下步骤：在使发光元件二次对准的步骤之后，去除溶剂，从而固定发光元件，使得发光元件的第一端部放置在第一电极上，并且发光元件的第二端部放置在第二电极上。
[0030]所述方法还可以包括以下步骤：在目标基底上形成第一绝缘层，并且从目标基底去除溶剂，并且将第一电极层的部分和第二电极层的部分断开。
[0031]其它实施例的细节包括在具体实施方式和附图中。
[0032]有益效果
[0033]根据本公开的示例性实施例，由于用于使发光元件对准的第一电极和第二电极由氧化物材料形成，因此可以防止第一电极和第二电极在显示装置的制造期间被氧化。
[0034]此外，由于用于使发光元件对准的第一电极和第二电极由具有多铁性性质的材料形成，因此通过电场对准的发光元件可以通过磁场重新对准，因此，可以改善发光元件的对
准度。
[0035]根据实施例的效果不受上面例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
[0036]图1是根据本公开的实施例的显示装置的示意性平面图；
[0037]图2是根据本公开的实施例的显示装置的像素的平面图；
[0038]图3是沿着图2的线Q1
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Q1'、Q2
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Q2'和Q3
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Q3'截取的剖视图；
[0039]图4是根据本公开的实施例的发光元件的透视图；
[0040]图5是根据本公开的另一实施例的发光元件的透视图；
[0041]图6是示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的流程图；
[0042]图7和图8是示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的一些制造工艺的剖视图；
[0043]图9是在图8中所示的制造工艺期间的子像素的平面图；
[0044]图10和图11是示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的一些制造工艺的剖视图；
[0045]图12是在根据示例性实施例的显示装置的制造期间的子像素的平面图；
[0046]图13是示出根据示例性实施例的在显示装置的制造期间发光元件的布局的示意性剖视图；
[0047]图14是示出在根据示例性实施例的显示装置的制造期间如何布置发光元件的示意图；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，所述显示装置包括：基底；多个第一堤，在所述基底上在第一方向上延伸，所述第一堤设置为彼此间隔开；第一电极和第二电极，在所述第一方向上延伸，所述第一电极和所述第二电极设置在不同的第一堤上以彼此间隔开；第一绝缘层，设置在所述基底上，所述第一绝缘层部分地覆盖所述第一电极和所述第二电极；以及多个发光元件，设置在所述第一绝缘层上，所述发光元件中的每个的两个端部分别放置在所述第一电极和所述第二电极上，其中，响应于被施加的磁场，所述第一电极和所述第二电极产生电场。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极对于400nm至700nm的波段具有20％至85％的反射率。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极具有800℃或更低的居里温度。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极包括选自BiFeO3、六角铁氧体、TbMn2O5和CoCr2O4中的至少一种。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，响应于被施加的电场，所述第一电极和所述第二电极产生磁场。6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：反射层，设置在所述第一电极与所述第一绝缘层之间以及所述第二电极与所述第一绝缘层之间。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述反射层具有比所述第一电极或所述第二电极高的反射率。8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：第一接触电极，设置在所述第一电极上以与所述发光元件的第一端部接触；以及第二接触电极，设置在所述第二电极上以与所述发光元件的第二端部接触。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件中的每个包括第一半导体层、第二半导体层和设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的至少一个发光层，并且所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述至少一个发光层被绝缘膜围绕。10.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：制备包括第一电极层和第二电极层的目标基底，并且将包括溶剂和分散在所述溶剂中的发光元件的墨喷涂到所述目标基底上；在所述目标基...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪光泽，宋明勳，金珍泽，裵城槿，李承珉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：