组合传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种组合传感器，包括第一基板，与第一基板围成容置腔的外壳，以及内壳、麦克风MEMS芯片、麦克风ASIC芯片、压力MEMS芯片和预埋在第一基板内的压力ASIC芯片，内壳将容置腔分为第一容置腔和第二容置腔；第一基板上设置有外通声孔，麦克风MEMS芯片对应外通声孔设置在第一容置腔的第一基板上；内壳上设置有连通第一容置腔和第二容置腔的内通声孔，压力MEMS芯片设置在第二容置腔内的第一基板上；麦克风ASIC芯片与压力MEMS芯片上下设置，麦克风ASIC芯片设置在内壳上且位于第一容置腔内；麦克风ASIC芯片分别与麦克风MEMS芯片和第一基板电连接；压力ASIC芯片分别与压力MEMS芯片和第一基板电连接。本实用新型专利技术组合传感器缩小了体积，解决了占用空间大的问题。解决了占用空间大的问题。解决了占用空间大的问题。

【技术实现步骤摘要】
组合传感器


[0001]本技术涉及芯片封装
，具体涉及一种组合传感器。

技术介绍

[0002]目前，麦克风和压力传感器已成为部分电子产品的标配，为了满足电子产品小型化的设计要求，集麦克风和压力传感器于一体的组合传感器的开发成为一种市场趋势。
[0003]但是，现有的组合传感器采用平铺的结构形式，其体积较大，导致占用空间大，不能满足电子产品小型化的设计要求。

技术实现思路

[0004]针对现有技术存在的以上缺陷，本技术提供一种组合传感器，该组合传感器缩小了体积，解决了占用空间大的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：
[0006]组合传感器，包括第一基板，设置在所述第一基板上且与所述第一基板围成容置腔的外壳，以及内壳、麦克风MEMS芯片、麦克风ASIC芯片、压力MEMS芯片和预埋在所述第一基板内的压力ASIC芯片，所述内壳固定设置在所述容置腔内的所述第一基板上且将所述容置腔分为第一容置腔和第二容置腔；所述第一基板上设置有连通所述第一容置腔和外界的外通声孔，所述麦克风MEMS芯片对应所述外通声孔设置在所述第一容置腔内的所述第一基板上；所述内壳上设置有连通所述第一容置腔和所述第二容置腔的内通声孔，所述压力MEMS芯片设置在所述第二容置腔内的所述第一基板上；所述麦克风ASIC芯片与所述压力MEMS芯片上下设置，所述麦克风ASIC芯片设置在所述内壳上且位于所述第一容置腔内；所述麦克风ASIC芯片分别与所述麦克风MEMS芯片和所述第一基板电连接；所述压力ASIC芯片分别与所述压力MEMS芯片和所述第一基板电连接。
[0007]其中，所述内壳由第二基板制作而成，所述麦克风ASIC芯片通过第一导线与所述内壳电连接，所述内壳与所述第一基板电连接。
[0008]其中，所述内壳通过导电连接剂固定在所述第一基板上，且所述内壳通过所述导电连接剂实现与所述第一基板的电连接。
[0009]其中，所述导电连接剂为锡膏或银浆。
[0010]其中，所述内壳为绝缘体，所述麦克风ASIC芯片通过第一导线与所述第一基板电连接。
[0011]其中，所述外壳、所述内壳、所述麦克风MEMS芯片、麦克风ASIC芯片和所述压力MEMS芯片分别通过绝缘胶进行固定。
[0012]其中，所述麦克风MEMS芯片通过第二导线与所述麦克风ASIC芯片电连接。
[0013]其中，所述压力MEMS芯片通过第三导线与所述第一基板电连接，所述第一基板与压力ASIC芯片电连接。
[0014]其中，所述外通声孔和所述内通声孔均至少包括一个通孔。
[0015]其中，所述外通声孔和所述内通声孔处分别设置有防尘结构。
[0016]采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：
[0017]本技术组合传感器相较于现有技术增加了内壳，并将压力ASIC芯片预埋在了第一基板内，内壳的设置为麦克风ASIC芯片和压力MEMS芯片的上下分层安装提供了安装基础，同时结合压力ASIC芯片的预埋设计，极大的缩小了组合传感器的体积，解决了其占用空间大的问题，满足了电子产品小型化的设计要求。
附图说明
[0018]图1是本技术组合传感器实施例一的结构示意图；
[0019]图2是本技术组合传感器实施例二的结构示意图；
[0020]图中：1、第一基板；11、外通声孔；2、外壳；3、内壳；31、内通声孔；4、麦克风MEMS芯片；5、麦克风ASIC芯片；6、压力MEMS芯片；7、压力ASIC芯片；8、第一容置腔；9、第二容置腔；10、第一导线；12、第二导线；13、第三导线。
具体实施方式
[0021]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本技术，并不用于限定本技术。
[0022]实施例一：
[0023]如图1所示，组合传感器，包括第一基板1，设置在第一基板1上且与第一基板1围成容置腔的外壳2，以及内壳3、麦克风MEMS芯片4、麦克风ASIC芯片5、压力MEMS芯片6和预埋在第一基板1内的压力ASIC芯片7。
[0024]其中，内壳3固定设置在容置腔内的第一基板1上且将容置腔分为第一容置腔8和第二容置腔9；第一基板1上设置有连通第一容置腔8和外界的外通声孔11，麦克风MEMS芯片4对应外通声孔11设置在第一容置腔8内的第一基板1上；内壳3上设置有连通第一容置腔8和第二容置腔9的内通声孔31，压力MEMS芯片6设置在第二容置腔9内的第一基板1上；麦克风ASIC芯片5与压力MEMS芯片6上下设置，麦克风ASIC芯片5设置在内壳1的上部且位于第一容置腔8内；麦克风ASIC芯片5分别与麦克风MEMS芯片4和第一基板1电连接；压力ASIC芯片7分别与压力MEMS芯片6和第一基板1电连接。
[0025]本实施例中的内壳3由第二基板制作而成，麦克风ASIC芯片5通过第一导线10与内壳3电连接，内壳3与第一基板1电连接。
[0026]具体地，第一基板1和第二基板采用树脂基板或陶瓷基板，方便走线设计；内壳3通过导电连接剂固定在第一基板1上，且内壳3通过导电连接剂实现与第一基板1的电连接，优选地，导电连接剂为锡膏或银浆。
[0027]本实施例中的外壳2、麦克风MEMS芯片4、麦克风ASIC芯片5和压力MEMS芯片6分别通过绝缘胶进行固定。
[0028]由于DAF膜是在芯片封装过程中常用到的关键材料，因此，本实施例中的粘结剂优选为绝缘的DAF膜。
[0029]本实施例中的麦克风MEMS芯片4通过第二导线12与麦克风ASIC芯片5电连接；压力
MEMS芯片6通过第三导线13与第一基板1电连接，第一基板1与压力ASIC芯片7电连接，即压力MEMS芯片6通过第三导线13和第一基板1的部分内部线路与压力ASIC芯片7电连接，同时，压力ASIC芯片7也与第一基板1另一部分内部线路电连接。
[0030]由于金线导电系数高，且具有较好的延展性，便于作业，因此，本实施例中的第一导线10、第二导线12和第三导线13均优选为金线。
[0031]本实施例中的外通声孔11和内通声孔31均包括一个通孔，实际应用中，外通声孔11和内通声孔31也可以采用多个通孔组合的结构形式，具体根据实际需求进行选择，本实施例对此不作限制。
[0032]为了防止外部灰尘进入麦克风MEMS芯片4和压力MEMS芯片6，本实施例在外通声孔11处和内通声孔31处均设置了防尘结构，具体地，防尘结构为防尘网(图中未示出)。
[0033]实施例二：
[0034]本实施例与实施例一基本相同，其不同之处仅在于：
[0035]如图2所示，本实施例中的内壳3为绝缘体，麦克风ASIC芯片5通过第一导线10与第一基板1电连接。
[0036]且本实施例中的外壳2、内壳3、麦克风ME本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.组合传感器，其特征在于，包括第一基板，设置在所述第一基板上且与所述第一基板围成容置腔的外壳，以及内壳、麦克风MEMS芯片、麦克风ASIC芯片、压力MEMS芯片和预埋在所述第一基板内的压力ASIC芯片，所述内壳固定设置在所述容置腔内的所述第一基板上且将所述容置腔分为第一容置腔和第二容置腔；所述第一基板上设置有连通所述第一容置腔和外界的外通声孔，所述麦克风MEMS芯片对应所述外通声孔设置在所述第一容置腔内的所述第一基板上；所述内壳上设置有连通所述第一容置腔和所述第二容置腔的内通声孔，所述压力MEMS芯片设置在所述第二容置腔内的所述第一基板上；所述麦克风ASIC芯片与所述压力MEMS芯片上下设置，所述麦克风ASIC芯片设置在所述内壳上且位于所述第一容置腔内；所述麦克风ASIC芯片分别与所述麦克风MEMS芯片和所述第一基板电连接；所述压力ASIC芯片分别与所述压力MEMS芯片和所述第一基板电连接。2.根据权利要求1所述的组合传感器，其特征在于，所述内壳由第二基板制作而成，所述麦克风ASIC芯片通过第一导线与所述内壳电连接，所述内壳与所述第一基板电连接。...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙延娥，闫文明，
申请(专利权)人：青岛歌尔智能传感器有限公司，
类型：新型
国别省市：