半导体光检测元件制造技术

本发明专利技术的光检测元件(10)具备：半导体基板(16)，其具有被检测光入射的主面(16a)、及背对主面(16a)的背面(16b)，在主面(16a)侧具有产生与被检测光的光强度相应的量的电荷的一个或多个光检测区域(11)；及光吸收膜(13)，其设置于半导体基板(16)的背面(16b)上。光吸收膜(13)包含：金属层即反射层(133)、设置于反射层(133)与半导体基板(16)之间的谐振层(132)、及设置于谐振层(132)与半导体基板(16)之间的光吸收层(131)。在被检测光的波长、及光检测区域(11)中所产生的自发光的波长中的至少一者，谐振层(132)的内部的透光率大于光吸收层(131)的内部的透光率，反射层(133)的表面的光反射率大于谐振层(132)的表面的光反射率。由此，实现一种可减少半导体基板的背面的光的反射的半导体光检测元件。半导体光检测元件。半导体光检测元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体光检测元件


[0001]本公开关于一种半导体光检测元件。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开一种与固体摄像元件相关的技术。该固体摄像元件具备传感器部，其形成于半导体基板的表面侧，进行光电转换。在半导体基板的背面侧，形成有对红外光的反射率低的低反射膜。在专利文献2中，公开一种与硅光电倍增管(SiPM)相关的技术。该SiPM具备各自包含雪崩光电二极管的多个单元(cell)。[现有技术文献][专利文献][0003][专利文献1]日本特开2007
‑
305675号公报[专利文献2]美国专利申请公开第2013/0099100号

技术实现思路

[专利技术所要解决的问题][0004]作为半导体光检测元件，有光电二极管等的光检测区域形成于半导体基板的表面而成的元件。在如此的半导体光检测元件中，在自半导体基板的表面侧入射有被检测光时，其一部分在光检测区域中不被吸收，而通过光检测区域。然后，在半导体基板的背面反射，再次到达光检测区域而被光检测区域吸收。
[0005]如此的被检测光的行为引起如下的问题。即，与在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体光检测元件，其包含：半导体基板，其具有被检测光入射的主面、及背对所述主面的背面，在所述主面侧具有产生与所述被检测光的光强度相应的量的电荷的一个或多个光检测区域；及光吸收膜，其设置于所述半导体基板的所述背面上，所述光吸收膜具有包含作为金属层的反射层、设置于所述反射层与所述半导体基板之间的谐振层、及设置于所述谐振层与所述半导体基板之间的光吸收层的多层结构，在所述被检测光的波长、及所述光检测区域中所产生的自发光的波长中的至少一者，所述谐振层的内部的透光率大于所述光吸收层的内部的透光率，所述反射层的表面的光反射率大于所述谐振层的表面的光反射率。2.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚田祥贺，笠森浩平，广瀬真树，藁科祯久，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：