半导体器件制造技术

一种半导体器件，其具备：包含第一氮化物半导体的势垒层；沟道层，包含第二氮化物半导体，同时在第一表面处与势垒层结合；包含n型氮化物半导体的再生长层，同时设置在从势垒层的第二表面延伸到深度比势垒层和沟道层之间的界面更深的区域中，所述第二表面在第一表面的反面；包含氮捕捉元素的空孔形成区域，同时设置在再生长层的区域中，所述区域位于比势垒层和沟道层之间的界面浅的深度处；源极或漏极，设置在再生长层上。设置在再生长层上。设置在再生长层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件


[0001]本公开涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]最近，使用氮化物半导体的高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor：HEMT)在功率放大器等应用中实用化(例如，专利文献1)。高电子迁移率晶体管是其中形成在氮化物半导体的异质结的界面处的二维电子气层用作沟道的场效应晶体管。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]PTL1：日本未经审查专利申请公开第2019
‑
192698号

技术实现思路

[0006]然而，因为在高电子迁移率晶体管中使用的氮化物半导体是宽带隙半导体，所以难以与电极形成低电阻欧姆接触。因此，关于高电子迁移率晶体管，期望降低在氮化物半导体的异质结的界面处形成的沟道与电极之间的电阻。
[0007]因此，希望提供其中电极与沟道之间的电阻进一步减小的半导体器件。
[0008]根据本公开的实施例的半导体器件包括势垒层、沟道层、再生长层、空孔产生区域、以及源极或漏极。所述势垒层包括第一氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，包括：势垒层，所述势垒层包括第一氮化物半导体；沟道层，所述沟道层包括第二氮化物半导体并且在第一表面处被接合至所述势垒层；再生长层，所述再生长层包括n型氮化物半导体，并且设置在从所述势垒层的与所述第一表面相反侧的第二表面挖掘至比所述势垒层与所述沟道层之间的界面更深的区域中；空孔产生区域，所述空孔产生区域包括氮捕捉元素并且设置在所述再生长层的比所述势垒层和所述沟道层之间的界面浅的区域；以及设置在所述再生长层上的源极或漏极。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述氮捕捉元素包括Ti或Al。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极或漏极包括所述氮捕捉元素。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述空孔产生区域还包括所述氮捕捉元素的氮化物。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述再生长层在与所述势垒层与所述沟道层...

【专利技术属性】
技术研发人员：福岛圣，蟹谷裕也，柳田将志，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：