高频场效应晶体管及其制备方法技术

本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了高频场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在金刚石衬底上形成氢终端；在氢终端上表面形成源极与漏极金属层，源极与漏极间隔设置，形成源漏欧姆接触；在氢终端上表面形成第一钝化层，在第一钝化层与栅极对应的区域，形成有裸露氢终端的栅槽；在氢终端上和栅槽内形成栅金属层；在第一钝化层上形成第二钝化层，在第二钝化层与源极与漏极对应的区域，形成有裸露源极与漏极的刻蚀图形；根据刻蚀图形，刻蚀形成源极与漏极。本申请通过采用可控的介质代替不可控的空气气氛吸附，通过低损伤的湿法腐蚀实现介质的刻蚀，从而实现基于氢终端金刚石衬底高频场效应晶体管的低损伤制备。端金刚石衬底高频场效应晶体管的低损伤制备。端金刚石衬底高频场效应晶体管的低损伤制备。

【技术实现步骤摘要】
高频场效应晶体管及其制备方法


[0001]本申请属于半导体器件制造
，尤其涉及高频场效应晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]金刚石在射频方面的材料特性优值，显著优于SiC和GaN材料，是制作大功率、高频微波器件的理想材料。基于氢终端金刚石衬底高频场效应晶体管作为放大器件，具有较大的输出功率和较高的工作频率。而且金刚石优异的导热性能可以有效减小散热成本及体积，适用于高频大功率的微波领域。
[0003]目前基于氢终端金刚石的MESFET器件，其栅源和栅漏之间存在裸露的氢终端，而其导电特性受空气中的吸附物影响较大，导致器件稳定性差；基于氢终端金刚石的MISFET或者MOSFET器件，其栅下存在一层厚的栅介质，导致它的工作频率较低。

技术实现思路

[0004]为克服相关技术中存在的问题，本申请实施例提供了高频场效应晶体管及其制备方法。
[0005]本申请是通过如下技术方案实现的：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种高频场效应晶体管，包括：金刚石衬底；氢终端，形成于所述金刚石衬底上表面，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频场效应晶体管，其特征在于，包括：金刚石衬底；氢终端，形成于所述金刚石衬底上表面，包括多条导电沟道；源极金属与漏极金属层，形成于所述氢终端上表面，所述源极与所述漏极间隔设置，形成源漏欧姆接触；第一钝化层，形成于所述氢终端和源极与漏极金属层上表面，且所述第一钝化层在与栅极对应的区域形成有裸露所述氢终端的栅槽；栅金属层，形成于所述氢终端上和所述栅槽内，且与所述氢终端形成肖特基结；第二钝化层，形成于所述第一钝化层上，且所述第二钝化层在与源极、漏极与栅极对应的区域形成有裸露所述源极、漏极与栅极的刻蚀图形。2.如权利要求1所述的高频场效应晶体管，其特征在于，所述第一钝化层的材质包括以下至少一种材料：氧化铝、SiN
x
、SiO2、TiO2、MoO3与AlN；所述第一钝化层厚度为5nm～500nm。3.如权利要求1所述的高频场效应晶体管，其特征在于，所述第二钝化层的材料包括以下至少一种材料：SiN
x
、氧化铝、SiO2、TiO2、MoO3与AlN；所述第二钝化层厚度为5nm～20μm之间。4.一种高频场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括：在金刚石衬底上形成氢终端；在所述氢终端上表面形成源极与漏极金属层，所述源极与漏极间隔设置，形成源漏欧姆接触；在所述氢终端上表面形成第一钝化层，在所述第一钝化层与栅极对应的区域，形成有裸露所述氢终端的栅槽；在所述氢终端上和所述栅槽内形成栅金属层；在所述第一钝化层上形成第二钝化层，在所述第二钝化层与源极与漏极对应的区域，形成有裸露所述源极与漏极的刻蚀图形；根据所述刻蚀图形，刻蚀形成所述源极与漏极。5.如权利要求4所述的高频场效应晶体管制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周闯杰，蔚翠，何泽召，郭建超，马孟宇，刘庆彬，余浩，高学栋，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：