氮化物半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种氮化物半导体装置(1)，包括：构成电子传输层的第1氮化物半导体层(13)，在第1氮化物半导体层上形成的、构成电子供给层的第2氮化物半导体层(14)，配置在第2氮化物半导体层上的、至少一部分具有脊部(15A)的、含有受主型杂质的半导体栅极层(15)，在半导体栅极层的至少脊部上形成的栅极(4)，配置在第2氮化物半导体层上的源极(3)和漏极(5)，以及为了提取半导体栅极层内的空穴而在半导体栅极层上形成的、与源极电连接的空穴提取电极(6)。源极电连接的空穴提取电极(6)。源极电连接的空穴提取电极(6)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及由III族氮化物半导体(以下有时简单地称为“氮化物半导体”。)构成的氮化物半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]III族氮化物半导体是在III
‑
V族半导体中使用氮作为V族元素的半导体。代表例是氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)。一般可以表示为Al
x
In
y
Ga1‑
x
‑
y
N(0≦x≦1，0≦y≦1，0≦x+y≦1)。
[0003]已经提出有使用这样的氮化物半导体的HEMT(High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管)。这样的HEMT例如包含由GaN构成的电子传输层和由在该电子传输层上外延生长的AlGaN构成的电子供给层。以与电子供给层接触的方式形成一对源极和漏极，在它们之间配置栅极。
[0004]由于因GaN与AlGaN的晶格失配导致的极化，在电子传输层内，在距离电子传输层与电子供给层的界面仅数的内侧位置形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮化物半导体装置，包括：构成电子传输层的第1氮化物半导体层，在所述第1氮化物半导体层上形成的、构成电子供给层的第2氮化物半导体层，配置在所述第2氮化物半导体层上的、至少一部分具有脊部的、含有受主型杂质的半导体栅极层，在所述半导体栅极层的至少所述脊部上形成的栅极，配置在所述第2氮化物半导体层上的源极和漏极，以及为了提取所述半导体栅极层内的空穴而在所述半导体栅极层上形成的、与所述源极电连接的空穴提取电极。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体装置，所述源极具有与所述脊部平行的源主电极部，所述漏极以夹着所述脊部与所述源主电极部相对的方式配置，所述半导体栅极层具有在所述源主电极部与所述漏极不相对的区域形成的延长部，在所述延长部的表面上的未形成所述栅极的区域形成有所述空穴提取电极。3.根据权利要求2所述的氮化物半导体装置，在平面观察时，所述半导体栅极层以包围所述源主电极部的方式配置，所述半导体栅极层具有分别配置在所述源主电极部两侧的一对所述脊部、以及将这些脊部的相对应的端部彼此连接的2个脊连接部，所述漏极夹着所述一对脊部中的一个脊部与所述源主电极部相对，所述空穴提取电极形成在所述2个脊连接部中的至少一个脊连接部上。4.根据权利要求3所述的氮化物半导体装置，所述栅极具有分别在所述一对脊部上形成的一对栅主电极部、以及在所述脊连接部上形成的、将所述一对栅主电极部的相对应的端部彼此连接的2个基部，在所述2个基部中的至少一个基部形成有未形成所述基部的除去区域，在所述除去区域内，在所述脊连接部的表面上形成有所述空穴提取电极。5.根据权利要求4所述的氮化物半导体装置，在所述源主电极部的两侧，从距所述源主电极部由近到远依次配置有所述栅主电极部和所述漏极。6.根据权利要求1～5中任一项所述的氮化物半导体装置，所述半导体栅极层中的形成所述空穴提取电极的区域的厚度比所述脊部的厚度薄。7.根据权利要求4所述的氮化物半导体装置，所述除去区域的正下方的所述脊连接部具有厚度比所述脊部的厚度薄的薄膜区域，在所述薄膜区域的表面形成有所述空穴提取电极。8.根据权利要求1～7中任一项所述的氮化物半导体装置，所述空穴提取电极与所述栅极由不同材料构成。9.根据权利要求8所述的氮化物半导体装置，所述栅极与所述半导体栅极层第1肖特基接触，所述空穴提取电极与所述半导体栅极层第2肖特基接触，所述第1肖特基接触对空穴的势垒高度比所述第2肖特基接触高。10.根据权利要求8所述的氮化物半导体装置，
所述栅极与所述半导体栅极层肖特基接触，所述空穴提取电极与所述半导体栅极层欧姆接触。11.根据权利要求1～10中任一项所述的氮化物半导体装置，所述空穴提取电极与所述半导体栅极层之间形成有第3氮化物半导体层。12.根据权利要求1～11中任一项所述的氮化物半导体装置，所述第1氮化物半导体层由GaN层构成，所述第2氮化物半导体层由Al
x
G...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岳浩隆，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：