温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种氮化物半导体装置(1)，包括：构成电子传输层的第1氮化物半导体层(13)，在第1氮化物半导体层上形成的、构成电子供给层的第2氮化物半导体层(14)，配置在第2氮化物半导体层上的、至少一部分具有脊部(15A)的、含有受主型杂质的半导体栅极...
该专利属于罗姆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。