接合体、陶瓷铜电路基板、及半导体装置制造方法及图纸

实施方式的接合体具备：陶瓷基板、铜板、以及配置于上述陶瓷基板的至少一面且将上述陶瓷基板与上述铜板接合的接合层。上述接合层含有钛。上述接合层具有第一区域、和位于上述第一区域与上述铜板之间的第二区域，上述第一区域包含以钛作为主成分的层，上述层形成于上述接合层与上述陶瓷基板的界面。通过EDX测定上述第一区域及上述第二区域各自的测定区域的200μm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接合体、陶瓷铜电路基板、及半导体装置


[0001]后述的实施方式涉及接合体、陶瓷铜电路基板、及半导体装置。

技术介绍

[0002]陶瓷基板与铜板的接合体被用作用于搭载半导体元件等的电路基板。国际公开第2018/021472号公报(专利文献1)中公开了一种将陶瓷基板与铜板接合而成的陶瓷铜电路基板。在专利文献1中，在接合层中使用含有Ag、Cu、Ti等的钎料。另外，通过控制接合层的纳米压痕硬度，提高温度循环试验(TCT)特性。在专利文献1中，通过使接合层中存在AgTi晶体、TiC，控制纳米压痕硬度。在专利文献1中，通过控制纳米压痕硬度，提高接合强度和TCT特性。
[0003]另一方面，接合体变大时，TCT特性有时会降低。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2018/021472号公报
[0007]专利文献2：日本专利第4077888号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的问题
[0009]追究其原因可知，接合层中的Ti分布存在原本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种接合体，其特征在于，其具备：陶瓷基板、铜板、以及配置于所述陶瓷基板的至少一面且将所述陶瓷基板与所述铜板接合的接合层，所述接合层含有钛，所述接合层具有：第一区域，其包含以钛作为主成分的层，所述层形成于所述接合层与所述陶瓷基板的界面，和位于所述第一区域与所述铜板之间的第二区域，通过EDX测定所述第一区域及所述第二区域各自的测定区域的200μm
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厚度的范围中的Ti浓度时，所述第一区域的钛浓度M1at％与所述第二区域的钛浓度M2at％之比M1/M2为0.1～5。2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，所述比M1/M2在0.5～5的范围内。3.根据权利要求1或2所述的接合体，其特征在于，在所述第二区域中，所述测定区域彼此之间的Ti浓度的偏差在
±
20％以内。4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合体，其特征在于，所述第一区域的厚度为5μm以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的接合...

【专利技术属性】
技术研发人员：米津麻纪，末永诚一，藤泽幸子，佐野孝，
申请(专利权)人：东芝高新材料公司，
类型：发明
国别省市：