半导体装置制造方法及图纸

提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括混频器电路及偏置电路。混频器电路包括电压电流转换部、电流开关部及电流电压转换部。此外，偏置电路包括偏置供应部及第一晶体管。电压电流转换部包括第二晶体管及第三晶体管。偏置供应部具有输出对第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极供应的偏置电压的功能。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的栅极及第三晶体管的栅极电连接。当供应偏置电压时使第一晶体管处于关闭状态，当停止偏置电压的供应时使第一晶体管处于开启状态。的供应时使第一晶体管处于开启状态。的供应时使第一晶体管处于开启状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置。
[0002]本说明书等所公开的专利技术的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition ofmatter)。
[0003]更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法、它们的制造方法或它们的检查方法。本专利技术的一个方式不限定于上述

[0004]在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。因此，晶体管或二极管等半导体元件和包括半导体元件的电路是半导体装置。此外，显示装置、发光装置、照明装置、电光装置、摄像装置、通信装置以及电子设备等有时包括半导体元件或半导体电路。因此，显示装置、发光装置、照明装置、电光装置、摄像装置、通信装置以及电子设备等也有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：混频器电路；以及偏置电路，其中，所述混频器电路包括电压电流转换部、电流开关部及电流电压转换部，所述偏置电路包括偏置供应部及第一晶体管，所述电压电流转换部包括第二晶体管及第三晶体管，所述偏置电路具有输出对所述第二晶体管的栅极及所述第三晶体管的栅极供应的偏置电压的功能，并且，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的栅极及所述第三晶体管的栅极电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述偏置电路包括：与所述偏置供应部电连接的电压保持部；以及与所述电压保持部电连接的缓冲部，所述缓冲部的输出与所述第二晶体管的栅极及所述第三晶体管的栅极电连接，所述电压保持部具有保持所述偏置电压的功能，并且，所述缓冲部具有进行所述偏置电压的功率放大的功能。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述电压保持部包括第四晶体管，并且，所述第四晶体管在沟道形成区域包含氧化物半导体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：八洼裕人，宫田翔希，铃木阳夫，池田隆之，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：