【技术实现步骤摘要】
一种IQ双平衡FET阻性混频器
[0001]本专利技术属于微波毫米波信号源
，特别涉及IQ双平衡FET阻性混频器。
技术介绍
[0002]混频器是射频微波电路系统中不可或缺的部件。不论是微波通信、雷达、遥控、遥感、还是侦察与电子对抗，以及微波测量系统，都必须把微波信号用混频器降到中低频来进行处理。在实际中，绝大多数的调幅、单边带和数字发射机都需要混频器把信号频率变换到一个较高的频率，然后发射到空中；而为了便于系统后端的数字处理，需要利用混频器把接收到的信号频率变换到较低的中频频段，从而便于在中频频段进行有效的放大和滤波，同时也容易优化频段，从而提高接收机的增益和选择性。
[0003]现有技术的结构参见图1，为射频信号和本振信号经过变压器后产生差分信号加在四个相同的二极管上，现有技术的结构的优势在于可以抑制本振信号和射频信号的偶次谐波分量，且端口间具有良好的隔离度，但是现有技术的双平衡混频器结构存在带宽较窄，且变频损耗较差，需要通过改进结构来改善这些问题。
[0004]采用IQ双平衡FET阻性混频器这种结...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IQ双平衡FET阻性混频器，其特征在于，包括本振正交耦合器、本振第一功放、本振第二功放、本振第一巴伦、本振第二巴伦、两个双平衡FET阻性混频器、四个本振阻抗匹配网络、两个射频T型结功分器和射频巴伦，其中，本振信号从本振正交耦合器输入，经过本振第一功放和本振第二功放，本振第一功放输出连接本振第一巴伦，本振第二功放输出连接本振第二巴伦，将本振信号转化为四个本振输出信号，分别连接四个本振阻抗匹配网络，经本振第一巴伦转化连接的两个本振阻抗匹配网络输入第一双平衡FET阻性混频器，经本振第二巴伦转化连接的两个本振阻抗匹配网络输入第二双平衡FET阻性混频器，两个双平衡FET阻性混频器的输出各经过一个射频T型结功分器后，均输入一个射频巴伦，从两个双平衡FET阻性混频器引出四个彼此相位差为90度的中频信号。2.如权利要求1所述的一种IQ双平衡FET阻性混频器，其特征在于，所述第一双平衡FET阻性混频器包括第一FET管f1、第二FET管f2、第三FET管f3和第四FET管f4，所述第二双平衡阻性FET混频器包括第五FET管f5、第六FET管f6、第七FET管f7和第八FET管f8，其中，第一FET管f1的栅极与第三FET管f3的栅极连接，第一FET管f1的漏极与第二FET管f2的漏极连接，第一FET管f1的源极与第四FET管f4的源极连接，，第二FET管f2的栅极与第四FET管f4的栅极连接，第二FET管f2的源极与第三FET管f3的源极连接，第三FET管f3的漏极与第四FET管f4的漏极连接；第五FET管f5的栅极与第七FET管f7的栅极连接，第五FET管f5的漏极与第七FET管f7的漏极连接，，第五FET管f5的源极与第八FET管f8的源极连接，第六FET管f6的栅极与第八FET管f8的栅极连接，第六FET管f6的源极与第七FET管f7的源极连接，第七FET管f7的漏极与第八FET管f8的漏极连接。3.如权利要求2所述的一种IQ双平衡FET阻性混频器，其特征在于，所述第一FET管f1的源极与第四FET管f4的源极输出信号为第一中频IF1，与所述第二FET管f2的源极与第三FET管f3的源极输出信号为第二中频IF2，作为一对差分信号输出；所述第六FET管f6的源极与第七FET管f7的源极输出信号为第三中频IF3，与所述第五FET管f5的源极与第八FET管f8的源极输出信号为第四中频IF4，作为一对...
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