一种低噪声高增益混频器制造技术

本发明专利技术涉及一种低噪声高增益混频器，采用一组电流复用跨导放大电路与一组交叉耦合负载电路，通过对称的P型跨导管和N型跨导管对信号进行放大，在不增加通路电流的前提下获得更大的等效跨导，同时在跨导管的输入与输出之间接入负反馈电阻，无需额外引入偏置电路进行偏压，跨导管源极与地之间加入电感构成源极负反馈结构，在不增加功耗和噪声的前提下增大电路稳定性；再利用交叉耦合负载电路产生更大的等效负载，在不增加功耗的前提下获得更大的增益并改善电路噪声。该混频器增益大，噪声低，功耗低。低。低。

【技术实现步骤摘要】
一种低噪声高增益混频器


[0001]本专利技术属于集成电路领域，具体涉及一种低噪声高增益混频器。

技术介绍

[0002]在射频信号接收通道和发射通道中，混频器的作用是将信号由一个频率变为另一个频率，例如在接收通路中，可以将信号的频率由输入射频频率转变输出中频频率。但是，传统的混频器存在噪声高、增益低等问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种低噪声高增益混频器，该混频器增益大，噪声低，功耗低。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种低噪声高增益混频器，采用一组电流复用跨导放大电路与一组交叉耦合负载电路，通过对称的P型跨导管和N型跨导管对信号进行放大，在不增加通路电流的前提下获得更大的等效跨导，同时在跨导管的输入与输出之间接入负反馈电阻，无需额外引入偏置电路进行偏压，跨导管源极与地之间加入电感构成源极负反馈结构，在不增加功耗和噪声的前提下增大电路稳定性；再利用交叉耦合负载电路产生更大的等效负载，在不增加功耗的前提下获得更大的增益并改善电路噪声。
[0005]进一步地，包括电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低噪声高增益混频器，其特征在于，采用一组电流复用跨导放大电路与一组交叉耦合负载电路，通过对称的P型跨导管和N型跨导管对信号进行放大，在不增加通路电流的前提下获得更大的等效跨导，同时在跨导管的输入与输出之间接入负反馈电阻，无需额外引入偏置电路进行偏压，跨导管源极与地之间加入电感构成源极负反馈结构，在不增加功耗和噪声的前提下增大电路稳定性；再利用交叉耦合负载电路产生更大的等效负载，在不增加功耗的前提下获得更大的增益并改善电路噪声。2.根据权利要求1所述的一种低噪声高增益混频器，其特征在于，包括电流复用跨导放大电路（1）、开关级电路（2）和交叉耦合负载电路（3）；其中，电流复用跨导放大电路（1）包括第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M3）、第一PMOS管（M2）、第二PMOS管（M4）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、第一电容（C1）、第二电容（C2）、第一电感（L1）、第二电感（L2）、第三电感（L3）、第四电感（L4）；开关级电路（2）包括第三NMOS管（M5）、第四NMOS管（M6）、第五NMOS管（M7）、第六NMOS管（M8）；交叉耦合负载电路（3）包括第三PMOS管（M9）、第四PMOS管（M10）、第五PMOS管（M11）、第六PMOS管（M12）、第三电阻（R3）。3.根据权利要求2所述的一种低噪声高增益混频器，其特征在于，所述第一电容（C1）的一端作为差分输入信号端口VINP，第一电容（C1）的另一端与第一NMOS管（M1）的栅极、第一PMOS管（M2）的栅极、第一电阻（R1）的一端相连接，第一NMOS管（M1）的源端与第一电感（L1）的一端相连接，第一电感（L1）的另一端与GND相连接，第一PMOS管（M2）的源端与第二电感（L2）的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王少昊，尤西，刘雄，何琳，黄利，
申请(专利权)人：南通瑞镛科信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：