一种直流电源冲击电流抑制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直流电源冲击电流抑制电路，通过电流抑制模块抑制冲击电流，并通过开关模块控制输出的通断，从而能够有效限制冲击电流，设置有导通控制模块，以控制开关模块的通断，从而实现控制输出的通断，并且以充电及泄放模块对导通控制模块中的栅极电容进行充电和泄放，有效地避免了开关模块中场效应晶体管的损坏。应晶体管的损坏。应晶体管的损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种直流电源冲击电流抑制电路


[0001]本技术涉及电子
，具体涉及一种直流电源冲击电流抑制电路。

技术介绍

[0002]在直流供电电源开机瞬间，后级线间电容相当于短路，电容充电时会在其供电母线上产生较大的冲击电流，该冲击电流过大会损坏前级电路器件，或触发前级电源过流保护，造成同源的其他电子设备不能正常工作，故需要对该冲击电流进行抑制。GJB181B
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2012飞机供电特性中对该冲击电流有明确要求：不能超过额定电流的5倍。
[0003]在大电流应用场合，多选用MOS管并联功率电阻的方式限制冲击电流。如图1所示，利用MOS管的延时导通，先用功率电阻抑制冲击电流，在后级电容（滤波电容）电压被充电至接近输入电压时将MOS管导通，将功率电阻旁路，电路以极小的导通压降及损耗工作。
[0004]该冲击电流抑制方法电路简单，应用广泛。但是在某些应用场合有一定的局限性。如在直流270V应用时，快速重复开关机试验时MOS管有时会损坏。究其原因是直流270V关机时，输入电压下降到一定值后，后级负载断开，后级电容和/或MOS管的栅极电容的电压并未泄放干净，后级电容也会为栅极电容充电，使得栅极电容的两端始终有残余电压。短时间再次开机时，MOS管仍保持在导通状态或者在后级电容尚未充满电时就导通，造成瞬间冲击电流过大，将MOS管损坏。

技术实现思路

[0005]本技术目的在于提供一种直流电源冲击电流抑制电路，解决现有技术存在的问题。
[0006]本技术通过下述技术方案实现：
[0007]一种直流电源冲击电流抑制电路，包括滤波模块、开关模块、电流抑制模块、钳位模块、导通控制模块和充电及泄放模块；
[0008]所述滤波模块设置于直流电源的正输出线和负输出线之间，所述滤波模块对直流电源输出滤波；
[0009]所述开关模块包括设置于负输出线上的场效应晶体管，所述电流抑制模块与开关模块并联；所述场效应晶体管导通时，电流抑制模块被旁路，且负输出线导通；所述场效应晶体管关断时，电流抑制模块导通，电流抑制模块连通负输出线至滤波模块；
[0010]所述导通控制模块包括控制场效应晶体管通断的栅极电容，所述栅极电容设置于直流电源的正输出线和负输出线之间，且所述设置于场效应晶体管的源极和栅极之间；
[0011]所述钳位模块设置于场效应晶体管的源极和栅极之间，所述钳位模块对场效应晶体管的栅极电压钳位；
[0012]所述充电及泄放模块与场效应晶体管的源极和漏极连接，且与栅极电容的两端连接；所述充电及泄放模块导通时，栅极电容被泄放；所述充电及泄放模块断开时，栅极电容被充电。
[0013]在一种可能的实施方式中，所述滤波模块包括电容C3，所述电容C3的一端与正输出线连接，所述电容C3的另一端与负输出线连接。
[0014]在一种可能的实施方式中，所述开关模块包括场效应晶体管Q2，所述场效应晶体管Q2的源极与负输出线连接，所述场效应晶体管Q2的漏极与电容C3的另一端连接，所述场效应晶体管Q2的栅极与导通控制模块连接。
[0015]在一种可能的实施方式中，所述电流抑制模块包括功率电阻R7，所述功率电阻R7的一端与场效应晶体管Q2的源极连接，所述功率电阻R7的另一端与场效应晶体管Q2的漏极连接。
[0016]在一种可能的实施方式中，所述导通控制模块包括栅极电容C2和电阻R5，所述栅极电容C2的一端分别与负输出线、功率电阻R7的一端和场效应晶体管Q2的源极连接，所述栅极电容C2的另一端通过电阻R5分别与正输出线和电容C3的一端连接，且所述栅极电容C2的另一端连接至场效应晶体管Q2的栅极。
[0017]在一种可能的实施方式中，还包括电阻R6，所述电阻R6的一端与栅极电容C2的另一端连接，所述电阻R6的另一端与场效应晶体管Q2的栅极连接。
[0018]在一种可能的实施方式中，所述钳位模块包括稳压二极管D3，所述稳压二极管D3的正极分别与栅极电容C2的一端、负输出线、功率电阻R7的一端和场效应晶体管Q2的源极连接，所述稳压二极管D3的负极分别与栅极电容C2的另一端和电阻R6的一端连接。
[0019]在一种可能的实施方式中，所述充电及泄放模块包括三极管Q1、电阻R1、电阻R4以及稳压二极管D2，所述三极管Q1的发射极分别与电阻R1的一端、栅极电容C2的一端、负输出线、功率电阻R7的一端和场效应晶体管Q2的源极连接，所述三极管Q1的基极分别与电阻R1的另一端和电阻R4的一端连接，所述电阻R4的另一端与稳压二极管D2的正极连接，所述三极管Q1的集电极分别与栅极电容C2的另一端和电阻R6的一端连接，所述稳压二极管D2的负极分别与功率电阻R7的另一端、场效应晶体管Q2的漏极和电容C3的另一端连接。
[0020]本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
[0021]本技术提供了一种直流电源冲击电流抑制电路，通过电流抑制模块抑制冲击电流，并通过开关模块控制输出的通断，从而能够有效限制冲击电流，设置有导通控制模块，以控制开关模块的通断，从而实现控制输出的通断，并且以充电及泄放模块对导通控制模块中的栅极电容进行充电和泄放，有效地避免了开关模块中场效应晶体管的损坏。
附图说明
[0022]此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定。
[0023]在附图中：
[0024]图1为本申请实施例提供的现有冲击电流抑制电路的电路图。
[0025]图2为本申请实施例提供的一种直流电源冲击电流抑制电路的电路框图。
[0026]图3为本申请实施例提供的一种直流电源冲击电流抑制电路的电路图。
具体实施方式
[0027]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，
对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。
[0028]实施例1
[0029]如图2和图3共同所示，一种直流电源冲击电流抑制电路，包括滤波模块、开关模块、电流抑制模块、钳位模块、导通控制模块和充电及泄放模块。
[0030]滤波模块设置于直流电源的正输出线和负输出线之间，滤波模块对直流电源输出滤波；开关模块包括设置于负输出线上的场效应晶体管，电流抑制模块与开关模块并联；场效应晶体管导通时，电流抑制模块被旁路，且负输出线导通；场效应晶体管关断时，电流抑制模块导通，电流抑制模块连通负输出线至滤波模块；导通控制模块包括控制场效应晶体管通断的栅极电容，栅极电容设置于直流电源的正输出线和负输出线之间，且设置于场效应晶体管的源极和栅极之间；钳位模块设置于场效应晶体管的源极和栅极之间，钳位模块对场效应晶体管的栅极电压钳位；充电及泄放模块与场效应晶体管的源极和漏极连接，且与栅极电容的两端连接；充电及泄放模块导通时，栅极电容被泄放；充电及泄放模块断开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流电源冲击电流抑制电路，其特征在于，包括滤波模块、开关模块、电流抑制模块、钳位模块、导通控制模块和充电及泄放模块；所述滤波模块设置于直流电源的正输出线和负输出线之间，所述滤波模块对直流电源输出滤波；所述开关模块包括设置于负输出线上的场效应晶体管，所述电流抑制模块与开关模块并联；所述场效应晶体管导通时，电流抑制模块被旁路，且负输出线导通；所述场效应晶体管关断时，电流抑制模块导通，电流抑制模块连通负输出线至滤波模块；所述导通控制模块包括控制场效应晶体管通断的栅极电容，所述栅极电容设置于直流电源的正输出线和负输出线之间，且所述设置于场效应晶体管的源极和栅极之间；所述钳位模块设置于场效应晶体管的源极和栅极之间，所述钳位模块对场效应晶体管的栅极电压钳位；所述充电及泄放模块与场效应晶体管的源极和漏极连接，且与栅极电容的两端连接；所述充电及泄放模块导通时，栅极电容被泄放；所述充电及泄放模块断开时，栅极电容被充电。2.根据权利要求1所述的直流电源冲击电流抑制电路，其特征在于，所述滤波模块包括电容C3，所述电容C3的一端与正输出线连接，所述电容C3的另一端与负输出线连接。3.根据权利要求2所述的直流电源冲击电流抑制电路，其特征在于，所述开关模块包括场效应晶体管Q2，所述场效应晶体管Q2的源极与负输出线连接，所述场效应晶体管Q2的漏极与电容C3的另一端连接，所述场效应晶体管Q2的栅极与导通控制模块连接。4.根据权利要求3所述的直流电源冲击电流抑制电路，其特征在于，所述电流抑制模块包括功率电阻R7，所述功率电阻R7的一端与场效应晶体管Q2的源极连接，所述功率电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊亚丽，王威，李姣艳，
申请(专利权)人：成都新欣神风电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：