一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路，可以对场效应晶体管的栅极电容泄压，控制场效应晶体管的栅极电容充电和放电。可在滤波电容充电接近完成时才开始对栅极电容充电，即能有效抑制开机冲击电流，又可保证场效应晶体管在滤波电容充满时导通，降低了场效应晶体管导通时的电应力，也可在输入电压掉电到一定值时对栅极电容进行泄放，避免再次开机时场效应晶体管仍处于导通状态或提前导通，导致的出现二次冲击电流将场效应晶体管损坏的问题。坏的问题。坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路


[0001]本技术属于电子技术以及冲击电流抑制领域，具体涉及一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路。

技术介绍

[0002]在直流供电电源开机瞬间，后级线间电容相当于短路，电容充电时会在其供电母线上产生较大的冲击电流，该冲击电流过大会损坏前级电路器件，或触发前级电源过流保护，造成同源的其他电子设备不能正常工作，故需要对该冲击电流进行抑制。GJB181B
‑
2012飞机供电特性中对该冲击电流有明确要求：不能超过额定电流的5倍。
[0003]在大电流应用场合，多选用MOS管并联功率电阻的方式限制冲击电流。如图1所示，利用MOS管的延时导通，先用功率电阻抑制冲击电流，在后级电容（滤波电容）电压被充电至接近输入电压时将MOS管导通，将功率电阻旁路，电路以极小的导通压降及损耗工作。
[0004]该冲击电流抑制方法电路简单，应用广泛。但是在某些应用场合有一定的局限性。如在直流270V应用时，快速重复开关机试验时MOS管有时会损坏。究其原因是直流270V关机时，输入电压下降到一定值后，后级负载断开，后级电容和/或MOS管的栅极电容的电压并未泄放干净，后级电容也会为栅极电容充电，使得栅极电容的两端始终有残余电压。短时间再次开机时，MOS管仍保持在导通状态或者在后级电容尚未充满电时就导通，造成瞬间冲击电流过大，将MOS管损坏。

技术实现思路

[0005]本技术目的在于提供一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路，解决现有技术中存在的问题。
[0006]本技术通过下述技术方案实现：
[0007]一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路，包括泄放模块、控制模块、开关模块、滤波模块、电流抑制模块、正输入端、负输入端、正输出端以及负输出端；
[0008]所述滤波模块设置于正输出端和负输出端之间，并且正输出端与正输入端连接，所述正输入端与外部直流电源的正输出连接，所述负输入端与外部直流电源的负输出连接，所述滤波模块对直流电源进行滤波并输出；
[0009]所述开关模块和电流抑制模块并联后设置于负输入端与负输出端之间，所述开关模块采用场效应晶体管作为开关器件；所述开关模块中场效应晶体管导通时，电流抑制模块被旁路；所述开关模块中场效应晶体管断开时，电流抑制模块处于工作状态；
[0010]所述控制模块包括设置于正输入端与负输入端之间的栅极电容，所述栅极电容电压控制场效应晶体管的通断；所述栅极电容电压高于场效应晶体管的导通门槛电压时，开关模块导通；所述栅极电容电压被泄放拉低时，开关模块断开；
[0011]所述泄放模块与控制模块并联，且所述泄放模块用于泄放控制模块中栅极电容的电压。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述滤波模块包括滤波电容C3，所述滤波电容C3的一端与负输出端连接，所述滤波电容C3的另一端与正输出端连接。
[0013]在一种可能的实施方式中，所述电流抑制模块包括功率电阻R7，所述功率电阻R7的一端与负输入端连接，所述功率电阻R7的另一端分别与滤波电容C3的一端和负输出端连接。
[0014]在一种可能的实施方式中，所述开关模块包括场效应晶体管Q2，所述场效应晶体管Q2的源极分别与功率电阻R7的一端和负输入端连接，所述场效应晶体管Q2的漏极分别与电阻R7的另一端、滤波电容C3的一端以及负输出端连接，所述场效应晶体管Q2的栅极与控制模块连接。
[0015]在一种可能的实施方式中，所述控制模块包括栅极电容C2，所述栅极电容C2的一端分别与场效应晶体管Q2的源极、功率电阻R7的一端和负输入端连接，所述栅极电容C2的另一端通过电阻R5分别与滤波电容C3的另一端、正输入端和正输出端连接，且所述栅极电容C2的另一端还与场效应晶体管Q2的栅极连接。
[0016]在一种可能的实施方式中，还包括电阻R6，所述电阻R6的一端与栅极电容C2的另一端连接，所述电阻R6的另一端与场效应晶体管Q2的栅极连接。
[0017]在一种可能的实施方式中，还包括钳位模块，所述钳位模块包括稳压二极管D3，所述稳压二极管D3的正极分别与栅极电容C2的一端、场效应晶体管Q2的源极、功率电阻R7的一端和负输入端连接，所述稳压二极管D3的负极分别与栅极电容C2的另一端和电阻R6的一端连接。
[0018]在一种可能的实施方式中，所述泄放模块包括光电耦合器U1，所述光电耦合器U1中输出端三极管的发射极分别与栅极电容C2的一端、稳压二极管D3的正极、场效应晶体管Q2的源极、功率电阻R7的一端和负输入端连接，所述光电耦合器U1中输出端三极管的集电极分别与栅极电容C2的另一端、稳压二极管D3的负极和电阻R6的一端连接。
[0019]在一种可能的实施方式中，所述光电耦合器U1中输入端二极管的正极与外部正电压信号连接，所述光电耦合器U1中输入端二极管的负极与外部负电压信号连接。
[0020]在一种可能的实施方式中，还包括电阻R3，所述光电耦合器U1中输入端二极管的正极通过电阻R3与外部正电压信号连接。
[0021]本技术提供的一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路，可以对场效应晶体管的栅极电容泄压，控制场效应晶体管的栅极电容充电和放电。可在滤波电容充电接近完成时才开始对栅极电容充电，即能有效抑制开机冲击电流，又可保证场效应晶体管在滤波电容充满时导通，降低了场效应晶体管导通时的电应力，也可在输入电压掉电到一定值时对栅极电容进行泄放，避免再次开机时场效应晶体管仍处于导通状态或提前导通，导致的出现二次冲击电流将场效应晶体管损坏的问题。
附图说明
[0022]此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定。在附图中：
[0023]图1为本申请实施例提供的现有冲击电流抑制电路的电路图。
[0024]图2为本申请实施例提供的一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路的电路结构框
图。
[0025]图3为本申请实施例提供的一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路的电路图。
具体实施方式
[0026]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。
实施例
[0027]如图2和图3共同所示，一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路，包括泄放模块、控制模块、开关模块、滤波模块、电流抑制模块、正输入端Vin+、负输入端Vin
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、正输出端Vout+以及负输出端Vout
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。
[0028]滤波模块设置于正输出端Vout+和负输出端Vout
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之间，并且正输出端Vout+与正输入端Vin+连接，正输入端Vin+与外部直流电源的正输出连接，负输入端Vin
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与外部直流电源的负输出连接，滤波模块对直流电源进行滤波并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种隔离可控泄放的冲击电流抑制电路，其特征在于，包括泄放模块、控制模块、开关模块、滤波模块、电流抑制模块、正输入端、负输入端、正输出端以及负输出端；所述滤波模块设置于正输出端和负输出端之间，并且正输出端与正输入端连接，所述正输入端与外部直流电源的正输出连接，所述负输入端与外部直流电源的负输出连接，所述滤波模块对直流电源进行滤波并输出；所述开关模块和电流抑制模块并联后设置于负输入端与负输出端之间，所述开关模块采用场效应晶体管作为开关器件；所述开关模块中场效应晶体管导通时，电流抑制模块被旁路；所述开关模块中场效应晶体管断开时，电流抑制模块处于工作状态；所述控制模块包括设置于正输入端与负输入端之间的栅极电容，所述栅极电容电压控制场效应晶体管的通断；所述栅极电容电压高于场效应晶体管的导通门槛电压时，开关模块导通；所述栅极电容电压被泄放拉低时，开关模块断开；所述泄放模块与控制模块并联，且所述泄放模块用于泄放控制模块中栅极电容的电压。2.根据权利要求1所述的隔离可控泄放的冲击电流抑制电路，其特征在于，所述滤波模块包括滤波电容C3，所述滤波电容C3的一端与负输出端连接，所述滤波电容C3的另一端与正输出端连接。3.根据权利要求2所述的隔离可控泄放的冲击电流抑制电路，其特征在于，所述电流抑制模块包括功率电阻R7，所述功率电阻R7的一端与负输入端连接，所述功率电阻R7的另一端分别与滤波电容C3的一端和负输出端连接。4.根据权利要求3所述的隔离可控泄放的冲击电流抑制电路，其特征在于，所述开关模块包括场效应晶体管Q2，所述场效应晶体管Q2的源极分别与功率电阻R7的一端和负输入端连接，所述场效应晶体管Q2的漏极分别与电阻R7的另一端、滤波电容C3的一端以及负输出端连接，所述场效应晶体管Q2的栅极与控制模块连接。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王威，熊亚丽，彭亭，
申请(专利权)人：成都新欣神风电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：