【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路设计，特别是涉及一种高压正线冲击电流抑制电路。
技术介绍
1、在直流供电电源开机瞬间，后级线间电容相当于短路。电容充电时会在其供电母线上产生较大的冲击电流，该冲击电流过大会损坏前级电路器件或触发前级电源过流保护，导致同源的其他电子设备不能正常工作，故需要对该冲击电流进行抑制。gjb181b-2012飞机供电特性5.4.9中对该冲击电流有明确要求：不能超过额定电流的5倍。目前现有技术中多选用mos管并联功率电阻的方式限制冲击电流，其工作原理是利用mos管的延时导通，先用功率电阻抑制冲击电流，在后级电容电压被充电至接近输入电压时将mos管导通，将功率电阻旁路，电路以极小的导通压降及损耗工作。该冲击电流抑制方法电路简单、应用广泛，但是在某些应用场合有一定的局限性。
2、由于机载设备常常将供电负线与地线进行连接，在这种应用场景下，电流会直接通过地线形成回路，使得处于负线回路的冲击电流抑制电路无法有效对启动瞬间的冲击电流进行抑制，需要将冲击电流抑制电路置于正线上。置于正线的冲击电流抑制方法常规是采用p沟道mos管，驱动简单。但是p沟道mos管的导通电阻较大，会导致工作时功率损耗较大，不适宜用于大电流场景。尤其是对于高压直流供电系统，如直流270v和直流540v供电系统，没有如此高耐压的p沟道mos管可供选择使用。此外，常规方法选用接触器作为主开关置于输入正线上，将使得整个产品的体积增大很多倍，且接触器的损耗也很大。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种高
2、为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
3、一种高压正线冲击电流抑制电路，包括：第一nmos管、功率电阻、emi滤波电路、隔离型高压dc-dc变换器以及输出电容；
4、所述第一nmos管与所述功率电阻并联后置于输入电源正线上；所述第一nmos管的漏极与所述输入电源正线连接；所述第一nmos管的源极与所述emi滤波电路的第一引脚连接；所述emi滤波电路的第二引脚与输入电源负线连接；所述emi滤波电路的第三引脚与输出电源正线连接；所述emi滤波电路的第四引脚与输出电源负线连接；所述隔离型高压dc-dc变换器的第一端子分别与所述输出电容的一端以及所述第一nmos管的栅极连接；所述隔离型高压dc-dc变换器的第二端子分别与所述输出电容的另一端以及所述第一nmos管的源极连接；所述隔离型高压dc-dc变换器的第三端子和使能端均与输出电源正线连接；所述隔离型高压dc-dc变换器的第四端子与输出电源负线连接。
5、可选地，所述功率电阻并联在所述第一nmos管的源极和漏极之间。
6、可选地，所述emi滤波电路具体包括：第一电容、共模电感、第二电容、第三电容以及第四电容；
7、所述共模电感的第一端分别与所述第一电容的一端以及第一nmos管的源极连接；所述共模电感的第二端分别与所述第一电容的另一端以及输入电源负线连接；所述共模电感的第三端分别与所述第二电容的一端、所述第三电容的一端以及输出电源正线连接；所述第三电容的另一端以及所述第四电容的一端均接地；所述共模电感的第四端分别与所述第二电容的另一端、所述第四电容的另一端以及输出电源负线连接；所述共模电感的第一端、第二端、第三端和第四端分别作为所述emi滤波电路的第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚。
8、可选地，所述第一nmos管为硅基nmos管或碳化硅nmos管。
9、可选地，所述高压正线冲击电流抑制电路用于高压270v直流供电系统或高压540v直流供电系统。
10、一种带防反接保护功能的高压正线冲击电流抑制电路，包括：第一nmos管、第二nmos管、功率电阻、emi滤波电路、隔离型高压dc-dc变换器以及输出电容；
11、所述第一nmos管与所述功率电阻并联后置于输入电源正线上；所述第一nmos管的漏极与所述输入电源正线连接；所述第一nmos管的源极与所述第二nmos管的源极连接；所述第二nmos管的漏极与所述emi滤波电路的第一引脚连接；所述第一nmos管的栅极与所述第二nmos管的栅极连接；所述emi滤波电路的第二引脚与输入电源负线连接；所述emi滤波电路的第三引脚与输出电源正线连接；所述emi滤波电路的第四引脚与输出电源负线连接；所述隔离型高压dc-dc变换器的第一端子分别与所述输出电容的一端以及所述第一nmos管的栅极连接；所述隔离型高压dc-dc变换器的第二端子分别与所述输出电容的另一端以及所述第一nmos管的源极连接；所述隔离型高压dc-dc变换器的第三端子和使能端均与输出电源正线连接；所述隔离型高压dc-dc变换器的第四端子与输出电源负线连接。
12、可选地，所述功率电阻并联在所述第一nmos管的源极和漏极之间。
13、可选地，所述emi滤波电路具体包括：第一电容、共模电感、第二电容、第三电容以及第四电容；
14、所述共模电感的第一端分别与所述第一电容的一端以及第二nmos管的漏极连接；所述共模电感的第二端分别与所述第一电容的另一端以及输入电源负线连接；所述共模电感的第三端分别与所述第二电容的一端、所述第三电容的一端以及输出电源正线连接；所述第三电容的另一端以及所述第四电容的一端均接地；所述共模电感的第四端分别与所述第二电容的另一端、所述第四电容的另一端以及输出电源负线连接；所述共模电感的第一端、第二端、第三端和第四端分别作为所述emi滤波电路的第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚。
15、可选地，所述第一nmos管和第二nmos管均为硅基nmos管或碳化硅nmos管。
16、可选地，所述带防反接保护功能的高压正线冲击电流抑制电路用于高压270v直流供电系统或高压540v直流供电系统。
17、根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
18、本专利技术提供了一种高压正线冲击电流抑制电路，包括：第一nmos管、功率电阻、emi滤波电路、隔离型高压dc-dc变换器以及输出电容；通过对隔离型高压dc-dc变换器的使能端控制，使得隔离型高压dc-dc变换器延时启动工作，进而延时驱动导通置于输入电源正线的第一nmos管，第一nmos管导通后将功率电阻旁路，通过功率电阻对后级线间电容进行充电，有效抑制开机瞬间高压正线上的冲击电流，实现基于nmos管的高压正线冲击电流的抑制，并降低正常工作时功率损耗。此外，本专利技术高压正线冲击电流抑制电路还可通过增加第二nmos管以扩展为带防反接保护功能的高压正线冲击电流抑制电路，实现防反接保护作用。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、功率电阻、EMI滤波电路、隔离型高压DC-DC变换器以及输出电容；
2.根据权利要求1所述的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述功率电阻并联在所述第一NMOS管的源极和漏极之间。
3.根据权利要求1所述的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述EMI滤波电路具体包括：第一电容、共模电感、第二电容、第三电容以及第四电容；
4.根据权利要求1所述的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述第一NMOS管为硅基NMOS管或碳化硅NMOS管。
5.根据权利要求1所述的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述高压正线冲击电流抑制电路用于高压270V直流供电系统或高压540V直流供电系统。
6.一种带防反接保护功能的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、功率电阻、EMI滤波电路、隔离型高压DC-DC变换器以及输出电容；
7.根据权利要求6所述的带防反接保护功能的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述功率
8.根据权利要求6所述的带防反接保护功能的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述EMI滤波电路具体包括：第一电容、共模电感、第二电容、第三电容以及第四电容；
9.根据权利要求6所述的带防反接保护功能的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述第一NMOS管和第二NMOS管均为硅基NMOS管或碳化硅NMOS管。
10.根据权利要求6所述的带防反接保护功能的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述带防反接保护功能的高压正线冲击电流抑制电路用于高压270V直流供电系统或高压540V直流供电系统。
...【技术特征摘要】
1.一种高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，包括：第一nmos管、功率电阻、emi滤波电路、隔离型高压dc-dc变换器以及输出电容；
2.根据权利要求1所述的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述功率电阻并联在所述第一nmos管的源极和漏极之间。
3.根据权利要求1所述的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述emi滤波电路具体包括：第一电容、共模电感、第二电容、第三电容以及第四电容；
4.根据权利要求1所述的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述第一nmos管为硅基nmos管或碳化硅nmos管。
5.根据权利要求1所述的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，所述高压正线冲击电流抑制电路用于高压270v直流供电系统或高压540v直流供电系统。
6.一种带防反接保护功能的高压正线冲击电流抑制电路，其特征在于，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：王威，熊亚丽，彭亭，刘强，
申请(专利权)人：成都新欣神风电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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