可泄放高压直流电源冲击电流抑制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了可泄放高压直流电源冲击电流抑制电路，涉及冲击电流抑制电路，包括：检测电路，用于检测输入电压；开关电路，包括第一开关电路、第二开关电路和第三开关电路；第一开关电路与检测电路和第二开关电路连接，用于根据所述输入电压控制第一开关电路的通断，根据第一开关电路的通断控制第二开关电路的通断；所述第三开关电路包括第一电容C1和场效应管Q3，所述第三开关电路与第二开关电路连接，所述第三开关电路用于在第二开关电路截止时，第一电容C1充电，在第二开关电路导通时，第一电容C1泄电，根据第一电容C1两端的电压导通场效应管Q3；充电电路，包括功率电阻R7，所述场效应管Q3和功率电阻R7并联。效应管Q3和功率电阻R7并联。效应管Q3和功率电阻R7并联。

【技术实现步骤摘要】
可泄放高压直流电源冲击电流抑制电路


[0001]本技术涉及冲击电流抑制电路，具体涉及可泄放高压直流电源冲击电流抑制电路。

技术介绍

[0002]在直流供电电源开机瞬间，后级线间电容相当于短路，电容充电时会在其供电母线上产生较大的冲击电流，该冲击电流过大会损坏前级电路器件，或触发前级电源过流保护，造成同源的其他电子设备不能正常工作，故而需要对该冲击电流进行抑制。
[0003]目前通常利用MOS管并联功率电阻的方式抑制冲击电流，该冲击电流的抑制方法电路简单，应用广泛，但在高压直流电源应用时，快速重复开关机试验会导致MOS管损坏；其原因是高压直流电源关机时，输入电压下降到一定值后，后级负载断开，MOS管栅极电容的电压并未泄放干净，短时间再次开机时，MOS管仍保持在导通状态，造成瞬间冲击电流过大，将MOS管损坏。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是抑制直流电源开机瞬间的冲击电流，目的在于提供可泄放高压直流电源冲击电流抑制电路，解决高压直流电源关机时，输入电压下降到一定值后，后级负载断开，线间电容与MOS管栅极电容的电压并未泄放干净，短时间再次开机时，MOS管仍保持在导通状态或者在线间电容尚未充满电时就导通，造成瞬间冲击电流过大，损坏MOS管的问题，实现在输入电压下降到设定值时，迅速将MOS管栅极电容两端电压泄放，保证再次开机时MOS管可以延时导通，冲击电流得到可靠抑制。
[0005]本技术通过下述技术方案实现：
[0006]可泄放高压直流电源冲击电流抑制电路，包括:/>[0007]检测电路，用于检测输入电压；
[0008]开关电路，所述开关电路包括第一开关电路、第二开关电路和第三开关电路；
[0009]所述第一开关电路与检测电路连接，所述第一开关电路与第二开关电路连接，用于根据所述输入电压控制第一开关电路的通断，根据第一开关电路的通断控制第二开关电路的通断；
[0010]所述第三开关电路包括第一电容C1和场效应管Q3，所述第三开关电路与第二开关电路连接，所述第三开关电路用于在第二开关电路截止时，第一电容C1充电，在第二开关电路导通时，第一电容C1泄电，根据第一电容C1两端的电压导通场效应管Q3；
[0011]充电电路，包括功率电阻R7，所述场效应管Q3和功率电阻R7并联。
[0012]正常开机时：当上述输入电压未达到第一开关电路的导通电压时，第一开关电路处于断开状态，第二开关电路处于导通状态，第一电容C1未被充电，第一电容C1两端的电压为0，因第一电容C1两端的电压小于场效应管Q3的导通电压，该场效应管Q3不能被导通，电源通过功率电阻R7为充电电路充电；
[0013]当上述输入电压上升至第一开关电路的导通电压时，第一开关电路被导通，同时断开第二开关电路，对第一电容C1充电，第一电容C1两端的电压等于场效应管Q3的导通电压时，该场效应管Q3被导通，同时功率电阻R7被旁路，电源通过场效应管Q3为充电电路充电；
[0014]关机或掉电时：上述输入电压变为0，小于第一开关电路的导通电压，第一开关电路被断开，同时第二开关电路被导通，第一电容C1两端的电压迅速被泄放为0，因第一电容C1两端的电压小于场效应管Q3的导通电压，该场效应管Q3被断开；
[0015]再开机时该场效应管Q3处于断开状态，避免了开机瞬间产生的冲击电流过大，损坏场效应管Q3的问题，使该抑制电路处于正常工作状态，保证再次开机时场效应管Q3可以延时导通，冲击电流得到可靠抑制。
[0016]进一步的，上述检测电路包括依次串联的第一稳压管D1、第一电阻R1和第二电阻R2；上述第一稳压管D1的阴极连接正线。
[0017]上述串联的第一稳压管D1、第一电阻R1和第二电阻R2用于检测输入电压，第一电阻R1和第二电阻R2限制流经第一稳压管D1的电流，用于保护第一稳压管D1。
[0018]进一步的，上述第一开关电路包括第一三极管Q1；
[0019]上述第一三极管Q1的基极与连接第一电阻R1和第二电阻R2的导线连接，上述第一三极管Q1的发射极与负线连接。
[0020]若连接上述第一电阻R1和第二电阻R2的导线上的电压小于第一三极管Q1的基极导通电压，则第一三极管Q1不被导通；
[0021]若连接上述第一电阻R1和第二电阻R2的导线上的电压大于或等于第一三极管Q1的基极导通电压，则第一三极管Q1被导通。
[0022]进一步的，所述第一开关电路还包括第二稳压管D2，所述第二稳压管D2的阴极与第一三极管Q1的集电极连接，所述第二稳压管D2的阳极与第一三极管Q1的发射极连接。
[0023]上述第一三极管Q1断开时，将第二稳压管D2的阴极电压钳位至高电位，上述第一三极管Q1闭合时，将第二稳压管D2的阴极电压钳位至低电位。
[0024]进一步的，上述第一开关电路还包括连接于第一三极管Q1集电极的第三电阻R3；
[0025]上述第三电阻R3用于限流，当第一三极管Q1的集电极和发射极被导通时，该条线路上电源的正负线之间连接有第三电阻R3，避免电源短路，烧毁第一三极管Q1。
[0026]进一步的，上述第二开关电路包括第二三极管Q2和第六电阻R6，所述第六电阻R6一端与第二三极管Q2的基极连接，另一端与第二稳压管D2的阴极连接，所述第二三极管Q2的发射极与第二稳压管D2的阳极连接。
[0027]上述第二稳压管D2的阴极电压被拉至高电位时，第二三极管Q2被导通；上述第二稳压管D2的阴极电压被拉低至低电位时，第二三极管Q2被断开。
[0028]通过第一三极管Q1的开断状态钳位第二稳压管D2的阴极电压，再根据钳位电压的高低电平控制第二三极管Q2的开断，实现第一电容C1的充放电。
[0029]进一步的，上述第三开关电路还包括与第一电容C1串联的第四电阻R4，上述第一电容C1还并联有第三稳压管D3，上述第三稳压管D3的阴极与连接第一电容C1和第四电阻R4的导线连接。
[0030]在上述第一开关电路被导通时，第二开关电路断开，第一电容C1被充电，第三稳压
管D3钳位第一电容C1两端的电压，避免第一电容C1的电压超过场效应管Q3可承受的最大电压，用于保护场效应管Q3。
[0031]进一步的，由所述第一电容C1和第四电阻R4串联的电路两端分别连接有正线和负线，上述第二三极管Q2的集电极与连接第一电容C1和第四电阻R4的导线连接，上述第二三极管Q2的发射极与第三稳压管D3的阳极连接。
[0032]在上述第一开关电路被导通时，第二开关电路处于断开状态，第一电容C1被充电，通过第三稳压管D3钳位第一电容C1两端的电压，用于保护场效应管Q3；
[0033]在上述第一开关电路被断开时，第二开关电路处于导通状态，上述第一电容C1两端短路，迅速将第一电容C1的电压拉低，进而断开场效应管Q3；
[0034]在上述第二开关电路被导通时，上述第二三极管Q2的集电极与第四电阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.可泄放高压直流电源冲击电流抑制电路，其特征在于，包括:检测电路（1），用于检测输入电压；开关电路，所述开关电路包括第一开关电路（2）、第二开关电路（3）和第三开关电路（4）；所述第一开关电路（2）与检测电路（1）连接，所述第一开关电路（2）与第二开关电路（3）连接，用于根据所述输入电压控制第一开关电路（2）的通断，根据第一开关电路（2）的通断控制第二开关电路（3）的通断；所述第三开关电路（4）包括第一电容C1和场效应管Q3，所述第三开关电路（4）与第二开关电路（3）连接，所述第三开关电路（4）用于在第二开关电路（3）截止时，第一电容C1充电，在第二开关电路（3）导通时，第一电容C1泄电，根据第一电容C1两端的电压导通场效应管Q3；充电电路（5），包括功率电阻R7，所述场效应管Q3和功率电阻R7并联。2.根据权利要求1所述的可泄放高压直流电源冲击电流抑制电路，其特征在于，所述检测电路（1）包括依次串联的第一稳压管D1、第一电阻R1和第二电阻R2；所述第一稳压管D1的阴极连接正线。3.根据权利要求2所述的可泄放高压直流电源冲击电流抑制电路，其特征在于，所述第一开关电路（2）包括第一三极管Q1；所述第一三极管Q1的基极与连接第一电阻R1和第二电阻R2的导线连接。4.根据权利要求3所述的可泄放高压直流电源冲击电流抑制电路，其特征在于，所述第一开关电路（2）还包括第二稳压管D2，所述第二稳压管D2的阴极与第一三极管Q1的集电极连接，所述第二稳压管D2的阳极与第一三极管Q1的发射极连接。5.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊亚丽，王威，叶冯彬，
申请(专利权)人：成都新欣神风电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：