一种扇出封装方法技术

本发明专利技术公开了一种扇出封装方法，涉及半导体封装技术领域。用以解决现有扇形结构弊端，实现扇形芯片堆叠和贴装被动器件，避免翘边问题。包括：在Dummy硅片的内部钻孔并电镀出TSV导通线路；在Dummy硅片的上表面刻蚀出凹槽，在凹槽内设置第一芯片，以使第一芯片和Dummy硅片的上表面具有相同的高度；在第一芯片的上表面制备第一次扇出布线层，第一次扇出布线层完全覆盖Dummy硅片的上表面；在第一次扇出布线层的上表面贴装倒装FC芯片，并对FC芯片进行贴膜塑封，以使塑封材料的上表面高于与FC芯片的上表面；在Dummy硅片的下表面制备第二次扇出布线层，在第二次扇出布线层的上表面制备多个锡球。锡球。锡球。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，更具体的涉及一种扇出封装方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品小型化和集成化的潮流，微电子封装技术的高密度化已在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了顺应新一代电子产品的发展，尤其是手机、笔记本等产品的发展，芯片将向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型方片级封装技术的出现，作为扇出型晶圆级封装技术的升级技术，拥有更广阔的发展前景。
[0003]对于封装小型化和规模化封装需求，现有的扇形工艺由于本身结构限制无法实现芯片堆叠和大量贴装被动器件，且容易出现翘曲问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种扇出封装方法，用以解决现有扇形结构弊端，实现扇形芯片堆叠和贴装被动器件，避免翘边问题。
[0005]本专利技术实施例提供一种扇出封装方法，包括：
[0006]在Dummy硅片的内部钻孔并电镀形成TSV导通线路；
[0007]在Dummy硅片的上表面刻蚀出凹槽，在所述凹槽内设置第一芯片，以使所述第一芯片和所述Dummy硅片的上表面具有相同的高度；
[0008]在所述第一芯片的上表面制备第一次扇出布线层，所述第一次扇出布线层完全覆盖所述Dummy硅片的上表面；
[0009]在所述第一次扇出布线层的上表面贴装倒装FC芯片，并对所述FC芯片进行贴膜塑封，以使塑封材料的上表面高于与所述FC芯片的上表面；
[0010]在Dummy硅片的下表面制备第二次扇出布线层，在所述第二次扇出布线层的上表面制备多个锡球。
[0011]优选地，在所述第一次扇出布线层的上表面贴装倒装FC芯片，具体包括：
[0012]在所述第一次扇出布线层的上表面贴装倒装FC芯片，并间隔两个所述FC 芯片设置被动元器件；
[0013]相邻的FC芯片之间存在间隙，被动元器件与相邻的FC芯片之间存在间隙。
[0014]优选地，所述在Dummy硅片的内部钻孔电镀形成多条TSV导通线路。
[0015]优选地，所述第一次扇出布线层和第二次扇出布线层通过所述TSV导通线路连接。
[0016]优选地，所述在第二次扇出布线层的上表面制备多个锡球之后，还包括：
[0017]将整块panel进行切割，得到多个单颗封装芯片。
[0018]本专利技术实施例提供一种扇出封装方法，包括：在Dummy硅片的内部钻孔电镀形成TSV导通线路；在Dummy硅片的上表面刻蚀出凹槽，在所述凹槽内设置第一芯片，以使所述第一芯片和所述Dummy硅片的上表面具有相同的高度；在所述第一芯片的上表面制备第一次扇出布线层，所述第一次扇出布线层完全覆盖所述Dummy硅片的上表面；在所述第一次扇出
布线层的上表面贴装倒装FC芯片，并对所述FC芯片进行贴膜塑封，以使塑封材料的上表面高于与所述FC芯片的上表面；在Dummy硅片的下表面制备第二次扇出布线层，在所述第二次扇出布线层的上表面制备多个锡球。该方法通过在Dummy硅片上垂直堆叠设置第一芯片和FC芯片的方法，可以有效缩短信号传输路径，提高产品电性能；再者，通过埋入贴装被动元器件，可以实现封装系统化集成需求；以Dummy硅片为基础进行扇出布线，产品的塑封平整度比较好，提高产品的散热性能的同时也解决了产品翘曲的问题。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本专利技术实施例提供的扇出封装方法流程示意图；
[0021]图2A为本专利技术实施例提供的在Dummy硅片内设置第一芯片结构示意图；
[0022]图2B为本专利技术实施例提供的图2A包括的单颗封装芯片放大示意图；
[0023]图3A为本专利技术实施例提供的在第一次扇出布线层上是设置FC芯片结构示意图；
[0024]图3B为本专利技术实施例提供的图3A包括的单颗封装芯片放大示意图；
[0025]图4A为本专利技术实施例提供的对FC芯片进行贴膜塑封结构示意图；
[0026]图4B为本专利技术实施例提供的图4A包括的单颗封装芯片放大示意图；
[0027]图5A为本专利技术实施例提供的在Dummy硅片的下表面制备第二次扇出布线层结构示意图；
[0028]图5B为切割后单颗封装芯片结构示意图；
[0029]其中，101～Dummy硅片；102～第一芯片；103～TSV导通线路；104～第一次扇出布线层；105～FC芯片；106～被动元器件；107～塑封材料；108～第二凸块；109～第二次扇出布线层；110～锡球。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]图1为本专利技术实施例提供的扇出封装方法流程示意图图2A为本专利技术实施例提供的在Dummy硅片内设置第一芯片结构示意图；图2B为本专利技术实施例提供的图2A包括的单颗封装芯片放大示意图；图3A为本专利技术实施例提供的在第一扇出布线层上是设置FC芯片结构示意图；图3B为本专利技术实施例提供的图3A包括的单颗封装芯片放大示意图；图4A为本专利技术实施例提供的对FC 芯片进行贴膜塑封结构示意图；图4B为本专利技术实施例提供的图4A包括的单颗封装芯片放大示意图；图5A为本专利技术实施例提供的在Dummy硅片的下表面制备第二重布线层结构示意图；图5B为切割后单颗封装芯片结构示意图；
[0032]以下结合图1、图2A～图5B为例，详细介绍本专利技术实施例提供的扇出封装方法。
[0033]具体地，如图1所示，本专利技术实施例提供的基于扇出封装方法包括有以下步骤：
[0034]步骤101，在Dummy硅片的内部钻孔电镀形成TSV导通线路；
[0035]步骤102，在Dummy硅片的上表面刻蚀出凹槽，在所述凹槽内设置第一芯片，以使所述第一芯片和所述Dummy硅片的上表面具有相同的高度；
[0036]步骤103，在所述第一芯片的上表面制备第一重布线层，所述第一重布线层完全覆盖所述Dummy硅片的上表面；
[0037]步骤104，在所述第一次扇出布线层104的上表面贴装倒装FC芯片，并对所述FC芯片进行贴膜塑封，以使塑封材料的上表面高于与所述FC芯片的上表面；
[0038]步骤105，在Dummy硅片的下表面制备第二次扇出布线层109，在所述第二次扇出布线层109的上表面制备多个锡球。
[0039]在步骤101中，如图2A和2B所示，在提供的Dummy硅片101内部刻蚀 TSV(Through S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出封装方法，其特征在于，包括：在Dummy硅片的内部钻孔并电镀形成TSV导通线路；在Dummy硅片的上表面刻蚀出凹槽，在所述凹槽内设置第一芯片，以使所述第一芯片和所述Dummy硅片的上表面具有相同的高度；在所述第一芯片的上表面制备第一次扇出布线层，所述第一次扇出布线层完全覆盖所述Dummy硅片的上表面；在所述第一次扇出布线层的上表面贴装倒装FC芯片，并对所述FC芯片进行贴膜塑封，以使塑封材料的上表面高于与所述FC芯片的上表面；在Dummy硅片的下表面制备第二次扇出布线层，在所述第二次扇出布线层的上表面制备多个锡球。2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓建，刘卫东，张婕，苏亚兰，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：