制备稀土永磁体的方法技术

本发明专利技术涉及一种制备稀土永磁体的方法，其包括以下步骤：准备NdFeB烧结磁体；制备包含稀土金属氢化合物的第一晶界扩散物质；制备包含混合有稀土金属和过渡金属的氢化合物的第二晶界扩散物质；在NdFeB烧结磁体的表面涂覆第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质以形成晶界扩散涂层；通过热处理使第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质扩散到NdFeB烧结磁体的晶界；以及将通过热处理使第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质扩散到晶界的NdFeB烧结磁体进行稳定化。行稳定化。行稳定化。

【技术实现步骤摘要】
制备稀土永磁体的方法


[0001]本专利技术涉及一种制备稀土永磁体的方法，并且涉及一种涂覆包含稀土元素的合金粉末后进行热处理以使稀土元素扩散到烧结磁体的晶界内部的制备稀土永磁体的方法。更详细地，本专利技术涉及一种如下的制备稀土永磁体的方法，其中，利用含有稀土金属和用于降低稀土金属的熔点的过渡金属的合金粉末，使稀土金属扩散到NdFeB基烧结磁体的晶界内部，从而提高矫顽力。

技术介绍

[0002]通常，稀土永磁体是诸如R
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Fe
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B烧结磁体(其中，“R”是钕(Nd)、镝(Dy)、铽(Tb)等稀土元素或稀土元素组合)的磁力优异的磁体，可以实现马达的高功率化和尺寸的缩小，因此利用范围逐渐扩大。
[0003]特别地，近年来，随着混合动力汽车或电动汽车的需求增加，与现有的铁氧体磁铁相比，可以将磁力提高3倍至5倍的稀土永磁体的需求有望进一步增加。
[0004]另外，磁体的磁特性可以用剩余磁通密度和矫顽力表示，其中，剩余磁通密度由稀土永磁体主相的分数、密度和磁取向度所决定，矫顽力可以说是磁体由于外部磁场或热而具有的磁力的持久性，矫顽力与组织的微细结构具有决定性的关系，并且由晶粒尺寸的微细化或者晶界上的均匀的分布所决定。
[0005]另外，作为制备永磁体的方法，使用磁体晶粒微细化技术和晶界扩散技术，特别是晶界扩散技术可以降低稀土金属的使用量，因此是通常使用的方法。
[0006]晶界扩散工艺主要包括以下工艺：制备包含稀土金属的晶界扩散物质，将制备的晶界扩散物质涂覆在烧结磁体表面，然后对烧结磁体进行热处理，从而使晶界扩散物质扩散到烧结磁体的晶粒内部。但是，晶界扩散物质的熔点形成在比作为晶粒的富Nd(Nd
‑
rich)的熔点高400℃以上的1000℃，因此存在晶界扩散物质不容易扩散到晶界内部的问题。
[0007]上述作为
技术介绍
所说明的内容仅仅是为了提高对本专利技术的背景的理解，不应将其视为对应于本
中的普通技术人员已知的现有技术。
[0008][现有技术文献][0009][专利文献][0010](专利文献1)KR10
‑
2012
‑
0124039A(2012年11月12日)

技术实现思路

[0011]要解决的技术问题
[0012]本专利技术是为了解决这些问题而提出的，本专利技术的目的在于提供一种制备稀土永磁体的方法，其中，制备包含稀土金属和过渡金属的第二晶界扩散物质，先涂覆熔点低于仅包含稀土金属的第一晶界扩散物质的第二晶界扩散物质，而且制备稀土金属和过渡金属的混合比不同的多种第二晶界扩散物质并涂覆，以具有浓度梯度，从而使稀土金属可以顺利扩散到晶粒内部。
[0013]技术方案
[0014]用于实现上述目的的本专利技术的制备稀土永磁体的方法包括以下步骤：准备NdFeB烧结磁体；制备包含稀土金属氢化合物的第一晶界扩散物质；制备包含混合有稀土金属和过渡金属的氢化合物的第二晶界扩散物质；在NdFeB烧结磁体的表面涂覆第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质以形成晶界扩散涂层；通过热处理使第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质扩散到NdFeB烧结磁体的晶界；以及将通过热处理使第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质扩散到晶界的NdFeB烧结磁体进行稳定化。
[0015]在制备第一晶界扩散物质的步骤和制备第二晶界扩散物质的步骤中，稀土金属可以是选自Tb、Dy、Ho、Ga中的一种以上的金属，过渡金属可以是选自Co、Cu、Al、Ga、Fe、Ni、Zn中的一种以上的金属。
[0016]在制备第二晶界扩散物质的步骤中，以原子百分比为基准，稀土金属和过渡金属的混合比可以为60:40至95:5。
[0017]在制备第二晶界扩散物质的步骤中，可以制备稀土金属和过渡金属的混合比不同的两种以上的第二晶界扩散物质。
[0018]在涂覆晶界扩散物质以形成晶界扩散涂层的步骤中，可以在制备的两种以上的第二晶界扩散物质中按过渡金属的比例由高到低的顺序涂覆第二晶界扩散物质，并且最后涂覆第一晶界扩散物质。
[0019]在制备第一晶界扩散物质的步骤和制备第二晶界扩散物质的步骤中，第一晶界扩散物质可以通过将稀土金属氢化合物与乙醇进行混合而形成，第二晶界扩散物质可以通过将混合有稀土金属和过渡金属的氢化合物与乙醇进行混合而形成。
[0020]在形成晶界扩散涂层的步骤中，可以通过超声波喷涂法、悬浮液粘附法或辊涂法，将第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质涂覆在NdFeB 烧结磁体的表面以形成晶界扩散涂层。
[0021]在通过热处理使第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质扩散到 NdFeB烧结磁体的晶界的步骤中，可以在真空或氩气气氛中加热至600℃以上且900℃以下，从而使第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质扩散到 NdFeB烧结磁体的晶界。
[0022]在将NdFeB烧结磁体进行稳定化的步骤中，可以在真空或氩气气氛中加热至400℃以上且900℃以下，从而将NdFeB烧结磁体进行稳定化。
[0023]有益效果
[0024]根据本专利技术的制备稀土永磁体的方法，稀土金属沿烧结磁体的晶界有效扩散，从而可以提高所制备的稀土永磁体的矫顽力。
附图说明
[0025]图1是示出根据本专利技术的一个实施方案的制备稀土永磁体的方法的流程图。
[0026]图2是示出根据本专利技术的一个实施方案的制备稀土永磁体的方法的示意图。
[0027]图3是示出铽
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铝合金的熔点的曲线图。
[0028]附图标记的说明
[0029]10：NdFeB烧结磁体
[0030]100：晶界
[0031]200：晶界扩散物质
[0032]300：扩散有晶界扩散物质的晶界
具体实施方式
[0033]以下，参照附图，对上述目的、解决问题的具体的内容进行详细的说明。另外，在理解本专利技术的方面，当对相同领域的公知的技术的详细的说明对理解专利技术的核心内容没有帮助时，省略该说明，并且本专利技术的技术思想并不限定于此，本领域技术人员可以通过改变进行各种实施。
[0034]图1是示出根据本专利技术的一个实施方案的制备稀土永磁体的方法的流程图，图2是示出通过晶界扩散的稀土永磁体的制备方法的示意图。通过图2简单地说明通过晶界扩散的稀土永磁体的制备方法，准备包含晶界100的烧结磁体10，在其表面涂覆晶界扩散物质200并加热时，形成扩散有晶界扩散物质的晶界300，从而制备稀土永磁体。
[0035]如图1中所示，用于实现上述目的的本专利技术的制备稀土永磁体的方法包括以下步骤：准备NdFeB烧结磁体的步骤S100；制备包含稀土金属氢化合物的第一晶界扩散物质的步骤S200；制备包含混合有稀土金属和过渡金属的氢化合物的第二晶界扩散物质的步骤S300；在NdFeB烧结磁体的表面涂覆第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质以形成晶界扩散涂层的步骤S400；通过热处理使第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质扩散到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备稀土永磁体的方法，其包括以下步骤：准备NdFeB烧结磁体；制备包含稀土金属氢化合物的第一晶界扩散物质；制备包含混合有稀土金属和过渡金属的氢化合物的第二晶界扩散物质；在NdFeB烧结磁体的表面涂覆第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质以形成晶界扩散涂层；通过热处理使第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质扩散到NdFeB烧结磁体的晶界；以及将通过热处理使第一晶界扩散物质或第二晶界扩散物质扩散到晶界的NdFeB烧结磁体进行稳定化。2.根据权利要求1所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，在制备第一晶界扩散物质的步骤和制备第二晶界扩散物质的步骤中，稀土金属是选自Tb、Dy、Ho、Ga中的一种以上的金属，过渡金属是选自Co、Cu、Al、Ga、Fe、Ni、Zn中的一种以上的金属。3.根据权利要求1所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，在制备第二晶界扩散物质的步骤中，以原子百分比为基准，稀土金属和过渡金属的混合比为60:40至95:5。4.根据权利要求3所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，在制备第二晶界扩散物质的步骤中，制备稀土金属和过渡金属的混合比不同的两种以上的第二晶界扩散物质。5.根据权利要求4所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，在涂覆晶界扩散物质以形成晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩辅熲，孔君胜，金东奂，
申请(专利权)人：起亚株式会社，
类型：发明
国别省市：