一种电子传输材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种电子传输材料及其制备方法和应用，所述电子传输材料具有如式I所示结构，是一种具有稠环

【技术实现步骤摘要】
一种电子传输材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于有机光电材料
，具体涉及一种电子传输材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光(EL)是通过电能激发有机材料进行发光的，该现象在50年前被发现，但直到1987年有机发光二极管(OLED)的诞生，这种电致发光的现象才得到广泛关注。OLED是一种利用多层有机薄膜结构产生电激发光的器件，它具有易制作，需要的驱动电压低的优点。与液晶显示器相比，有机电致发光显示器不需要背光源，视角大，功率低，其响应速度可达液晶显示器的1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器，因此，有机电致发光器件具有广阔的应用前景。
[0003]有机电致发光的产生是依靠有机电致材料中传输的载流子即电子和空穴的重组，有机材料根据在OLED器件中所起到的作用不同，分为空穴传输材料、发光材料、电子传输材料等。与无机半导体相比，有机材料的导电性较差。
[0004]因此，为了提高OLED器件的使用性能，就必须要解决有机电致材料电荷注入以及传输能力差的问题。目前的研究中，为进一步提高的OLED器件的使用寿命，常需要对应用于OLED器件的有机材料进行改进和创新。例如，CN106243014A公开了一种苯并芘衍生物，通过优化分子结构设计，该专利技术所得到的苯并芘衍生物具有更高的电子传输效率，可用于制备有机电致发光器件，尤其是作为有机电致发光器件中的电子传输材料，能够有效提高OLED器件的发光效率，器件最大亮度达到1000cd/m2。CN109734648A公开了一种有机电致器件用化合物，其分子结构通式为Z1‑
L
‑
Z2，其中，Z1、Z2独立的选自取代或未取代的C6～C30的咔唑、苯并咔唑、二苯并咔唑、吡啶并吲哚、苯并吡啶吲哚、吲哚并喹啉、吡啶并咔唑、吲哚并咔唑或联咔唑衍生物；同一个结构式中Z1、Z2不能同时具有同样的母体结构；L选自取代或未取代的芴、二苯并噻吩、二苯并呋喃、咔唑、吩噻嗪、吖啶衍生物。其能够解决现有技术中有机光电材料发光效率低、驱动电压较高、使用寿命短等发光性能差的技术问题。
[0005]虽然现有技术中已经公开了电子传输材料及其在OLED器件中的应用，但是电子传输材料的种类仍然较少，而且还存在驱动电压较高、传输效率低，从而导致使用寿命缩短的问题。
[0006]因此，开发出更多种类的具有优异稳定性、传输效率高的电子传输材料，以满足低驱动电压、高效率和长寿命的OLED的需要，具有重要的实际意义。

技术实现思路

[0007]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种电子传输材料及其制备方法与应用，所述电子传输材料利用特定结构的母核与特殊位点上的取代基的协效作用，赋予了电子传输材料优异的电子传输性能，将其应用于OLED器件中时，可有效降低驱动电压、提高器件的发光效率，延长使用寿命。
[0008]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种电子传输材料，所述电子传输材料具有如式I所示结构：
[0010][0011]其中，A1、A2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基、取代或未取代的C3～C30亚环烷基中的任意一种。
[0012]L1、L2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C3～C30环烷基中的任意一种。
[0013]m为0～4的整数(例如可以为1、2或3等)，p为1～4的整数(例如可以为2或3等)。
[0014]所述C6～C30可以为C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C24、C25、C27或C29等。
[0015]所述C3～C30可以为C4、C5、C6、C8、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C24、C25、C27或C29等。
[0016]本专利技术中，电子传输材料的母核是稠环
‑
咔唑基化合物，为大共轭结构，该结构使得电子云分布更均匀，有利于电子传输，同时降低分子内能，提高分子稳定性，使材料在蒸镀过程中更不易变质，母核结构与取代基协效作用，赋予了电子传输材料优异的电子传输性能，将其应用于OLED器件，可以有效提高器件的发光效率，降低驱动电压，延长工作寿命。
[0017]本专利技术中，A1、A2、L1、L2中所述取代的取代基各自独立地选自C6～C30(例如C6、C8、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C24、C27或C29等)芳基、C3～C30(例如C4、C5、C6、C8、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27或C29等)杂芳基或C3～C30(例如C4、C5、C6、C8、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27或C29等)环烷基中的至少一种。
[0018]优选地，所述m为0或1。
[0019]优选地，所述p为1。
[0020]本专利技术中，所述A1、A2各自独立地为单键或C6～C18亚芳基中的任意一种。
[0021]所述“A1为单键”，意指取代基L1与母核结构通过单键连接，所述“A2为单键”，意指取代基L2与母核结构通过单键连接，下文涉及相同描述时(“A1为单键”或“A2为单键”)，具有相同的意义。
[0022]优选地，所述A1、A2各自独立地选自单键、亚苯基、亚联苯基或亚萘基。
[0023]本专利技术中，所述L1选自C6～C20芳基中的任意一种。
[0024]所述C6～C20芳基，例如可以为C6、C8、C9、C10、C12、C16或C18等的芳基，示例性地包括但不限于：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基或芴基等。
[0025]优选地，所述L1为苯基或联苯基。
[0026]优选地，所述L2选自取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种。
[0027]所述C3～C30杂芳基，例如可以为C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C13、C15、C18、C20、C23、C25、C27或C29等的杂芳基，所述杂芳基的杂原子包括N、O或S等，示例性地包括但不限于：N
‑
苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、咔唑基、吖啶基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、喹啉基或异喹啉基等。
[0028]优选地，所述L2选自苯并吖啶基、二苯并吖啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基中的任意一种。
[0029]所述取代的取代基各自独立地选自C6～C20芳基或C3～C20杂芳基中的至少一种。
[0030]优选地，所述L2选自如下基团中的任意一种：
[0031]其中虚线代表基团的连接位点。
[0032]本专利技术中，所述电子传输材料包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子传输材料，其特征在于，所述电子传输材料具有如式I所示结构：其中，A1、A2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基、取代或未取代的C3～C30亚环烷基中的任意一种；L1、L2各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基、取代或未取代的C3～C30环烷基中的任意一种；m为0～4的整数，p为1～4的整数。2.根据权利要求1所述的电子传输材料，其特征在于，A1、A2、L1、L2中所述取代的取代基各自独立地选自C6～C30芳基、C3～C30杂芳基或C3～C30环烷基中的至少一种；优选地，所述m为0或1；优选地，所述p为1。3.根据权利要求1或2所述的电子传输材料，其特征在于，所述A1、A2各自独立地为单键或C6～C18亚芳基中的任意一种；优选地，所述A1、A2各自独立地选自单键、亚苯基、亚联苯基或亚萘基。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的电子传输材料，其特征在于，所述L1选自C6～C20芳基中的任意一种；优选地，所述L1为苯基或联苯基；优选地，所述L2选自取代或未取代的C3～C30杂芳基中的任意一种；优选地，所述L2选自苯并吖啶基、二苯并吖啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基中的任意一种；所述取代的取代基各自独立地选自C6～C20芳基或C3～C20杂芳基中的至少一种；优选地，所述L2选自如下基团中的任意一种：

【专利技术属性】
技术研发人员：于蕾，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：