一种电子传输材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种电子传输材料及其制备方法和应用，所述电子传输材料具有如式I所示结构，其中，L1和L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C60亚芳基、取代或未取代的C3～C60环烷基、取代或未取代的C2～C60杂环基中的任意一种；Ar1和Ar2选自取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C2～C60杂环基、取代或未取代的C3～C60环烷基中的至少一种。本发明专利技术所述电子传输材料具有优异的电荷转移能力和良好的热稳定性，其作为电致发光器件的电子传输材料，能够有效提高器件的发光性能和使用寿命。命。

【技术实现步骤摘要】
一种电子传输材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及有机光电材料
，尤其涉及一种电子传输材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光(EL)是电能激发有机材料发光的，有机发光二极管(OLED)是一种利用多层有机薄膜结构产生电激发光的器件，制备简单，而且只需要很低的驱动电压，与LCD相比拥有优异的显示特征和品质，如自发光、广视角、高效率、广色域、可柔性显示。
[0003]选择高性能的OLED功能材料并进行合理的搭配，从而发挥器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。构成有机材料层的材料，如空穴传输材料、发光材料、电子传输材料等，应当具有以下特点，在可见光区具有较高效率的荧光，具有较高的导电率，呈现良好的半导体特性；具有良好的成膜特性，形成的薄膜具有较好的均一性等。
[0004]CN109942552A公开了一种包含三嗪基、芴基和杂芴基的化合物，具体地，其公开的化合物适用作电子器件的层材料，并且其公开的化合物作为有机半导体层，其还公开了包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。
[0005]CN106103441B公开了一种具有氮杂芴环结构的螺环化合物、发光材料和有机电致发光器件，其公开的螺环化合物作为高效率的有机电致发光器件用的材料，提供发射荧光和迟滞荧光的化合物，进而使用该化合物，提供有机光致发光器件、高效率、高亮度的有机电致发光器件。其公开的有机电致发光器件为具有一对电极和夹在其间的至少一层有机层的有机电致发光器件，其公开的化合物作为至少1个有机层的构成材料。
[0006]CN112390780A公开了一种含氮杂螺二芴的电子传输材料，其公开的化合物是具有氮杂螺二芴结构的化合物，可用作电致发光器件中的电子传输材料。这些新型化合物能提供更长的器件寿命，其还公开了一种电致发光器件和化合物配方。
[0007]虽然现有技术中已经公开了电子传输材料及其在OLED器件中的应用，但是电子传输材料的种类仍然较少，而且还存在热稳定性差、传输效率低、在使用过程中发生结晶影响器件寿命等问题，不能满足器件的制备工艺要求和使用性能要求。
[0008]综上所述，开发更多种类的具有优异稳定性和高效传输性能的电子传输材料，以满足低驱动电压、高效率、高亮度和长寿命的OLED的需要，是本领域的研究重点。

技术实现思路

[0009]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种电子传输材料及其制备方法和应用，通过化合物母核结构的设计以及特定位点上取代基的引入，赋予了所述电子传输材料优异的电荷转移能力和良好的热稳定性，其作为电致发光器件的电子传输材料，能够有效提高器件的发光性能和使用寿命。
[0010]为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0011]第一方面，本专利技术提供一种电子传输材料，所述电子传输材料具有如式I所示结
构：
[0012][0013]其中，L1和L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C60亚芳基、取代或未取代的C3～C60环烷基、取代或未取代的C2～C60杂环基中的任意一种；
[0014]Ar1和Ar2选自取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C2～C60杂环基、取代或未取代的C3～C60环烷基中的至少一种。
[0015]本专利技术所述“C6～C60”指的是所述基团中碳原子的个数，“C3～C60”和“C2～C60”同理。
[0016]所述C6～C60可以为C6、C7、C8、C9、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C24、C25、C27、C29、C32、C35、C38、C40、C42、C45、C48、C50、C52、C55、C57、C59等。
[0017]所述C3～C60可以为C4、C5、C6、C8、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C24、C25、C27、C29、C32、C35、C38、C40、C42、C45、C48、C50、C52、C55、C57、C59等。
[0018]所述C2～C60可以为C3、C4、C5、C6、C8、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C24、C25、C27、C29、C32、C35、C38、C40、C42、C45、C48、C50、C52、C55、C57、C59等。
[0019]本专利技术提供的电子传输材料是一类含有不饱和键的多环芳烃化合物，大共轭体系和三嗪的强吸电子性组成利于电子传输的母核结构，具有共轭效应的取代基与母核结构协同作用，能进一步提升电子传输材料的共轭效应，使电子传输材料拥有优异的电子传输能力，从而有效提高器件的发光性能和使用寿命，降低驱动电压。
[0020]优选地，所述杂环基中的杂原子选自O、N、S或Si中的任意一种。
[0021]本专利技术中，所述亚芳基，示例性地包括但不限于：亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基或亚芴基等。
[0022]所述芳基，示例性地包括但不限于：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基或螺芴基等。
[0023]所述杂芳基，示例性地包括但不限于：N
‑
苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、咔唑基、吖啶基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、喹啉基或异喹啉基等。
[0024]优选地，所述亚芳基选自亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基或亚芴基中的任意一种。
[0025]优选地，所述芳基选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基或螺芴基中的任意一种。
[0026]优选地，所述杂芳基选自N
‑
苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、咔唑基、吖啶基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、喹啉基或异喹啉基中的任意一种。
[0027]优选地，所述L1和L2各自独立地选自单键或C6～C12亚芳基(例如C7、C8、C9、C10、C11等)，进一步优选单键。
[0028]优选地，所述Ar1和Ar2各自独立地选自如下基团中的至少一种：
[0029][0030][0031]其中，“—”代表基团的连接键。
[0032]优选地，所述电子传输材料包括如下化合物H1
‑
H14中的任意一种或至少两种的组合：
[0033][0034][0035][0036][0037]第二方面，本专利技术提供一种第一方面所述的电子传输材料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
[0038]将与在催化剂作用下进行偶联反应，得到所述电子传输材
料；
[0039]L1、L2、Ar1和Ar2各自独立地具有与权利要求1相同的限定范围；
[0040]所述X为卤素。
[0041]优选地，所述催化剂为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子传输材料，其特征在于，所述电子传输材料具有如式I所示结构：其中，L1和L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C6～C60亚芳基、取代或未取代的C3～C60环烷基、取代或未取代的C2～C60杂环基中的任意一种；Ar1和Ar2选自取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C2～C60杂环基、取代或未取代的C3～C60环烷基中的至少一种。2.根据权利要求1所述的电子传输材料，其特征在于，所述杂环基中的杂原子选自O、N、S或Si中的任意一种。3.根据权利要求1或2所述的电子传输材料，其特征在于，所述亚芳基选自亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基或亚芴基中的任意一种；优选地，所述芳基选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、芴基或螺芴基中的任意一种；优选地，所述杂芳基选自N
‑
苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、咔唑基、吖啶基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、喹啉基或异喹啉基中的任意一种。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的电子传输材料，其特征在于，所述L1和L2各自独立地选自单键或C6～C12亚芳基；优选地，所述Ar1和Ar2各自独立地选自如下基团中的至少一种：
其中，“—”代表基团的连接键。5.根据权利要求1
‑

【专利技术属性】
技术研发人员：于蕾，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：