一种带温补功能的宽带混频多功能芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种带温补功能的宽带混频多功能芯片，属于集成电路技术领域，包括依次连接的射频双向放大滤波网络、宽带变频网络和中频温补衰减滤波匹配网络。本发明专利技术的混频多功能芯片可同时实现信号上变频和下变频功能，通过射频双向放大滤波网络采用四个SPDT开关、共源共栅负反馈放大结构和高抑制度滤波结构共同实现射频信号的双向放大滤波功能；变频网络采用无源双平衡混频结构结合本振放大，放大部分采用两级电流复用结合RLC并联负反馈和串联负反馈结构实现宽带阻抗匹配；中频滤波衰减匹配网络包含滤波单元和温补衰减单元。本发明专利技术具有功耗低、增益较高、信号隔离度和带外抑制度高、温补特性良好、双向工作模式、集成度高等优点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种带温补功能的宽带混频多功能芯片


[0001]本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种带温补功能的宽带混频多功能芯片。

技术介绍

[0002]混频器作为现代通信系统中不可或缺的核心元件，在各种通讯系统中都发挥着重要作用。混频器的主要功能是频率转换。混频多功能芯片是T/R组件的关键部件，主要由微波单片集成电路技术实现。将T/R组件中的混频器、滤波器、放大器和衰减器等通过设计在芯片内部集成，就得到了典型的混频多功能芯片。这种设计方案有利于通讯系统的小型化和集成化发展，因此有着良好且广泛的应用前景，但同时也对混频多功能芯片在低功耗、低噪声、高增益、高端口隔离度、高交调抑制和高集成度等各方面性能提出了较高的设计需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术为了解决以上问题，提出了一种带温补功能的宽带混频多功能芯片。
[0004]本专利技术的技术方案是：一种带温补功能的宽带混频多功能芯片包括依次连接的射频双向放大滤波网络、宽带变频网络和中频温补衰减滤波匹配网络；射频双向放大滤波网络上设置有射频输入端；宽带变频网络上设置有本振输入端；中频温补衰减滤波匹配网络上设置有中频输入端。
[0005]本专利技术的有益效果是：本专利技术的混频多功能芯片可同时实现信号上变频和下变频功能，通过射频双向放大滤波网络采用四个SPDT开关、共源共栅负反馈放大结构和高抑制度滤波结构共同实现射频信号的双向放大滤波功能；变频网络采用无源双平衡混频结构结合本振放大，放大部分采用两级电流复用结合RLC并联负反馈和串联负反馈结构实现宽带阻抗匹配；中频滤波衰减匹配网络包含滤波单元和温补衰减单元。本专利技术具有功耗低、增益较高、信号隔离度和带外抑制度高、温补特性良好、双向工作模式、集成度高等优点。
[0006]进一步地，射频双向放大滤波网络包括电阻R1、接地电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、接地电阻R6、电阻R7、电容C1、接地电容C2、接地电容C3、电容C4、接地电容C5、接地电容C6、电容C7、接地电容C8、电容C28、接地电容C29、接地电容C30、电容C31、接地电感L1、电感L2、电感L3、电感L15、电感L16、接地电感L17、接地电感L18、微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、微带线TL4、微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9、微带线TL10、微带线TL11、微带线TL12、微带线TL13、微带线TL14、微带线TL15、微带线TL16、微带线TL17、微带线TL18、微带线TL19、微带线TL20、微带线TL21、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8、晶体管M9、晶体管M10、晶体管M11、晶体管M12、晶体管M13、晶体管M14、晶体管M15、晶体管M16、晶体管M17和晶体管M18；微带线TL1的一端作为射频双向放大滤波网络的射频输入端，其另一端分别与晶体管M1的源极和晶体管M2的源极连接；晶体管M1的栅极和高电平控制信号V1连接，其漏极
和微带线TL2的一端连接；晶体管M2的栅极和低电平控制信号V11连接，其漏极和微带线TL3的一端连接；晶体管M3的栅极和高电平控制信号V1连接，其源极分别与微带线TL3的另一端和微带线TL4的一端连接；晶体管M4的栅极和低电平控制信号V11连接，其源极分别与微带线TL2的另一端和微带线TL14的一端连接；晶体管M5的栅极和高电平控制信号V2连接，其源极分别与微带线TL15的一端和晶体管M6的源极连接，其漏极和微带线TL13的一端连接；晶体管M6的栅极和低电平控制信号V22连接，其漏极和微带线TL12的一端连接；晶体管M7的栅极和低电平控制信号V22连接，其源极分别与微带线TL13的另一端和微带线TL14的另一端连接；晶体管M8的栅极和高电平控制信号V2连接，其源极分别与微带线TL11的一端和微带线TL12的另一端连接；晶体管M9的栅极和高电平控制信号V3连接，其源极分别与微带线TL9的一端和晶体管M10的源极连接，其漏极和微带线TL10的一端连接；晶体管M11的源极和低电平控制信号V33连接，其源极分别与微带线TL10的另一端和微带线TL11的另一端连接；晶体管M10的栅极和低电平控制信号V33连接，其漏极和微带线TL8的一端连接；晶体管M12的栅极和高电平控制信号V3连接，其源极分别与微带线TL7的一端和微带线TL8的另一端连接；晶体管M13的栅极和高电平控制信号V4连接，其源极分别与微带线TL21的一端和晶体管M14的源极连接，其漏极和微带线TL5的一端连接；晶体管M14的栅极和低电平控制信号V44连接，其漏极和微带线TL6的一端连接；晶体管M15的栅极和低电平控制信号V44连接，其源极分别与微带线TL4的另一端和微带线TL5的另一端连接；晶体管M16的栅极和高电平控制信号V4连接，其源极分别与微带线TL6的另一端和微带线TL7的一端连接；晶体管M17的栅极分别与电阻R1的一端和微带线TL16的一端连接，其源极和微带线TL17的一端连接，其漏极和微带线TL18的一端连接；晶体管M18的栅极和电阻R3的一端连接，其源极和微带线TL18的另一端连接，其漏极和微带线TL19的一端连接；微带线TL15的另一端和电容C1的一端连接；电容C1的另一端分别与接地电感L1和微带线TL16的另一端连接；微带线TL17的另一端分别与接地电阻R2和接地电容C2连接；电阻R1的另一端和电容C4的一端连接；电容C4的另一端和电感L2的一端连接；电感L2的另一端分别与微带线TL19的另一端、微带线TL20的一端和电感L3的一端连接；微带线TL20的另一端分别与电容C7的一端和接地电容C8连接；电容C7的另一端和微带线TL21的另一端连接；电阻R3的另一端分别与电阻R5的一端和接地电容C3连接；电阻R5的另一端分别与电阻R4的一端和接地电阻R6连接；电感L3的另一端分别与电阻R4的另一端、接地电容C5、电阻R7的一端和漏极电源VD1连接；电阻R7的另一端和接地电容C6连接；微带线TL9的另一端分别与电感L15的一端、电感L16的另一端、接地电容C29、电容C31的一端和接地电感L17连接；电感L15的另一端和电容C28的一端连接；电容C28的另一端分别与电感L16的另一端、接地电感L18、接地电容C30、电容C31的另一端和宽带变频网络连接；晶体管M3的漏极、晶体管M4的漏极、晶体管M7的漏极、晶体管M8的漏极、晶体管M11的漏极、晶体管M12的漏极、晶体管M15的漏极、晶体管M16的漏极均接地。
[0007]上述进一步方案的有益效果是：本专利技术输入端采用射频双向放大滤波网络，实现射频信号的双向放大功能。双向放大滤波网络包含一个共源共栅放大单元、四个单刀双掷开关单元和一个滤波单元，其中，共源共栅放大单元结合了RLC并联负反馈和串联负反馈结构实现宽带阻抗匹配，该结构可以有效地降低芯片功耗，实现低噪声、高增益和低功耗的特性，VD1漏极电源滤波部分采用并联C到地和串联RC到地电路，主要实现对电源低频和高频自激不稳定信号进行抑制。同时采用四个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带温补功能的宽带混频多功能芯片，其特征在于，包括依次连接的射频双向放大滤波网络、宽带变频网络和中频温补衰减滤波匹配网络；所述射频双向放大滤波网络上设置有射频输入端；所述宽带变频网络上设置有本振输入端；所述中频温补衰减滤波匹配网络上设置有中频输入端。2.根据权利要求1所述的带温补功能的宽带混频多功能芯片，其特征在于，所述射频双向放大滤波网络包括电阻R1、接地电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、接地电阻R6、电阻R7、电容C1、接地电容C2、接地电容C3、电容C4、接地电容C5、接地电容C6、电容C7、接地电容C8、电容C28、接地电容C29、接地电容C30、电容C31、接地电感L1、电感L2、电感L3、电感L15、电感L16、接地电感L17、接地电感L18、微带线TL1、微带线TL2、微带线TL3、微带线TL4、微带线TL5、微带线TL6、微带线TL7、微带线TL8、微带线TL9、微带线TL10、微带线TL11、微带线TL12、微带线TL13、微带线TL14、微带线TL15、微带线TL16、微带线TL17、微带线TL18、微带线TL19、微带线TL20、微带线TL21、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8、晶体管M9、晶体管M10、晶体管M11、晶体管M12、晶体管M13、晶体管M14、晶体管M15、晶体管M16、晶体管M17和晶体管M18；所述微带线TL1的一端作为射频双向放大滤波网络的射频输入端，其另一端分别与晶体管M1的源极和晶体管M2的源极连接；所述晶体管M1的栅极和高电平控制信号V1连接，其漏极和微带线TL2的一端连接；所述晶体管M2的栅极和低电平控制信号V11连接，其漏极和微带线TL3的一端连接；所述晶体管M3的栅极和高电平控制信号V1连接，其源极分别与微带线TL3的另一端和微带线TL4的一端连接；所述晶体管M4的栅极和低电平控制信号V11连接，其源极分别与微带线TL2的另一端和微带线TL14的一端连接；所述晶体管M5的栅极和高电平控制信号V2连接，其源极分别与微带线TL15的一端和晶体管M6的源极连接，其漏极和微带线TL13的一端连接；所述晶体管M6的栅极和低电平控制信号V22连接，其漏极和微带线TL12的一端连接；所述晶体管M7的栅极和低电平控制信号V22连接，其源极分别与微带线TL13的另一端和微带线TL14的另一端连接；所述晶体管M8的栅极和高电平控制信号V2连接，其源极分别与微带线TL11的一端和微带线TL12的另一端连接；所述晶体管M9的栅极和高电平控制信号V3连接，其源极分别与微带线TL9的一端和晶体管M10的源极连接，其漏极和微带线TL10的一端连接；所述晶体管M11的源极和低电平控制信号V33连接，其源极分别与微带线TL10的另一端和微带线TL11的另一端连接；所述晶体管M10的栅极和低电平控制信号V33连接，其漏极和微带线TL8的一端连接；所述晶体管M12的栅极和高电平控制信号V3连接，其源极分别与微带线TL7的一端和微带线TL8的另一端连接；所述晶体管M13的栅极和高电平控制信号V4连接，其源极分别与微带线TL21的一端和晶体管M14的源极连接，其漏极和微带线TL5的一端连接；所述晶体管M14的栅极和低电平控制信号V44连接，其漏极和微带线TL6的一端连接；所述晶体管M15的栅极和低电平控制信号V44连接，其源极分别与微带线TL4的另一端和微带线TL5的另一端连接；所述晶体管M16的栅极和高电平控制信号V4连接，其源极分别与微带线TL6的另一端和微带线TL7的一端连接；所述晶体管M17的栅极分别与电阻R1的一端和微带线TL16的一端连接，其源极和微带线TL17的一端连接，其漏极和微带线TL18的一端连接；所述晶体管M18的栅极和电阻R3的一端连接，其源极和微带线TL18的另一端连接，其漏极和微带线TL19的一端连接；所述微带线TL15的另一端和电容C1的一端连接；所述电容C1的另一端分别与接地电感L1和微带线TL16的另一端连接；所述微带线TL17
的另一端分别与接地电阻R2和接地电容C2连接；所述电阻R1的另一端和电容C4的一端连接；所述电容C4的另一端和电感L2的一端连接；所述电感L2的另一端分别与微带线TL19的另一端、微带线TL20的一端和电感L3的一端连接；所述微带线TL20的另一端分别与电容C7的一端和接地电容C8连接；所述电容C7的另一端和微带线TL21的另一端连接；所述电阻R3的另一端分别与电阻R5的一端和接地电容C3连接；所述电阻R5的另一端分别与电阻R4的一端和接地电阻R6连接；所述电感L3的另一端分别与电阻R4的另一端、接地电容C5、电阻R7的一端和漏极电源VD1连接；所述电阻R7的另一端和接地电容C6连接；所述微带线TL9的另一端分别与电感L15的一端、电感L16的另一端、接地电容C29、电...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莹，王测天，邬海峰，廖学介，滑育楠，王为，罗梓航，罗彬，张帆，于鸿，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：