【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于hbt晶体管射频功率放大器和集成电路，具体涉及一种提高大带宽下线性度的功率放大器的设计。
技术介绍
1、随着无线通信的快速发展，射频前端收发器也要求随之向高集成、低功耗、结构紧凑、价格低廉的方向发展。
2、射频与微波功率放大器作为发射机的重要模块，是整个发射机中耗能最多的电路，其输出功率要求比较高，当采用集成电路工艺设计实现射频与微波功率放大器芯片电路时，其性能和成本受到了一定制约，主要体现在以下几方面：
3、(1)宽带线性度的能力受限：目前通信市场从4g到5g，wifi6到wifi7的演进，都有一个共同的特点：频率带宽越来越宽。频率带宽的变宽给功率放大器的设计带来非常大的挑战，也是需要攻克的关键技术之一。
4、(2)低成本高功率放大能力受限：民用市场的通信对价格是非常的敏感，减小die的尺寸是降低成本的重要方向。
5、目前，常见的高线性放大器的电路结构有很多，要想同时满足各项参数的要求十分困难。其高线性指标必然带来其他指标的恶化，同时会增加功耗或芯片面积。
6、...
【技术保护点】
1.一种提高大带宽下线性度的功率放大器，其特征在于，包括输入匹配网络、异质结三极管Q5、电感L1、高线性度偏置网络和输出匹配网络，所述输入匹配网络的输入端为功率放大器的射频输入端，其输出端分别与异质结三极管Q5的基极以及高线性度偏置网络连接，所述异质结三极管Q5的发射极接地，其集电极分别与输出匹配网络的输入端以及电感L1的一端连接，所述电感L1的另一端与电源电压Vcc连接，所述输出匹配网络的输出端为功率放大器的射频输出端。
2.根据权利要求1所述的提高大带宽下线性度的功率放大器，其特征在于，所述输入匹配网络包括电容C3和接地电感L2，所述电容C3的一端与接...
【技术特征摘要】
1.一种提高大带宽下线性度的功率放大器，其特征在于，包括输入匹配网络、异质结三极管q5、电感l1、高线性度偏置网络和输出匹配网络，所述输入匹配网络的输入端为功率放大器的射频输入端，其输出端分别与异质结三极管q5的基极以及高线性度偏置网络连接，所述异质结三极管q5的发射极接地，其集电极分别与输出匹配网络的输入端以及电感l1的一端连接，所述电感l1的另一端与电源电压vcc连接，所述输出匹配网络的输出端为功率放大器的射频输出端。
2.根据权利要求1所述的提高大带宽下线性度的功率放大器，其特征在于，所述输入匹配网络包括电容c3和接地电感l2，所述电容c3的一端与接地电感l2连接，并作为输入匹配网络的输入端，所述电容c3的另一端作为输入匹配网络的输出端。
3.根据权利要求1所述的提高大带宽下线性度的功率放大器，其特征在于，所述输出匹配网络包括电容c4和接地电感l3，所述电容c4的一端作为输出匹配网络的输...
【专利技术属性】
技术研发人员：覃明，王测天，童伟，廖学介，邬海峰，羊洪轮，刘莹，姚伟，喻涛，罗彬，张帆，郑其进，黄敏，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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