【技术实现步骤摘要】
一种生成静态最优电压值表的方法
[0001]本专利技术涉及存储领域,具体是一种生成静态最优电压值表的方法。
技术介绍
[0002]NAND Flash由于自身存储单元特性在不同环境下进行读取操作会因为电压偏移而产生较多错误位数,因此使用合适的电压读取成为消除影响的方法。静态生成合适电压表有利于降低CPU资源以及软件设计。
[0003]静态生成方法是根据NAND Flash在SSD各类环境下的最优电压值,形成可根据影响条件查找的电压值表,在程序中表示为多维数组,该方法的电压值适配多数Block且使用简便,有利于提升SSD读取性能;但要求模拟环境准确,测试足够多Block,且需多次验证。
技术实现思路
[0004]本专利技术要解决的技术问题是提高一种生成静态最优电压值表的方法,基于该方法,生成一张包含各种影响因素下适合大多数Block的电压值表,减少系统资源损耗,提升读取性能。
[0005]为了解决所述技术问题,本专利技术采用的技术方案是:一种生成静态最优电压值表的方法,包括以下步骤:S01)、磨 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种生成静态最优电压值表的方法,其特征在于:包括以下步骤:S01)、磨损多个SSD,在每个SSD的每个寿命阶段,施加影响到nand的其他因素;S02)、在每个寿命阶段及其他影响因素下,使用shift read命令以NAND不同电压读取所有block;统计每页数据内数据为0的总数、数据为1的总数、数据0变为数据1的总数以及该页总错误数,从而得到该block的所有数据信息;S03)、统一分析步骤S02)得到的block所有数据信息,具体分析数据0变为1的个数以及总错误数,根据电压变化查找数据0变为1的总数和数据1变为0的总数,在两者持平时为适合该block的最佳电压值;S04)、采用步骤S03)分析所有block数据,得到每个block在每个寿命阶段各种影响因素下的最佳电压值;S05)、汇总每个寿命阶段每个条件下所有block的最佳电压值,查找出适配所有block最好的电压值,这样便得到该条件下的最佳电压值;S06)、结合每个寿命阶段各个影响因素与S05)查找到的最佳电压值,绘制为二维表,横坐标为寿命...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹成,李瑞东,沈力,
申请(专利权)人:山东华芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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