【技术实现步骤摘要】
一种器件结构模型的建立方法、装置、系统及存储介质
[0001]本专利技术涉及仿真
,具体而言,涉及一种器件结构模型的建立方法、装置、系统及存储介质。
技术介绍
[0002]随着经济、科技的不断发展,社会对芯片的要求逐年提高;现如今,基于7nm工艺芯片已经在工程应用中实现量产,各大工艺厂商竞相投身到对7nm工艺芯片的增强和5nm工艺芯片的研发之中;为了提高产品性能与芯片的集成度,芯片厂商在完善工艺制作的同时,也要开发更加准确的器件模型来服务用户,因此建模工作是非常重要的。
[0003]在现有技术中,大多数仿真软件采用常规方式建模,这种方式对于复杂器件结构建模,需要耗费大量的时间精力,无法快速又精准的建模。
技术实现思路
[0004]本专利技术解决的问题是在复杂结构的器件建模时,做到快速又精准的建模。
[0005]为解决上述问题,本专利技术提供一种器件结构模型的建立方法,包括:
[0006]采用拖拽方式构建二维结构框图;
[0007]根据属性参数设置器件材料;
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种器件结构模型的建立方法,其特征在于,包括:采用拖拽方式构建二维结构框图;根据属性参数设置器件材料;利用仿真模拟技术,通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型。2.根据权利要求1所述的器件结构模型的建立方法,其特征在于,所述采用拖拽方式构建二维结构框图包括:根据所述二维结构框图生成矩形区域。3.根据权利要求1所述的器件结构模型的建立方法,其特征在于,所述根据属性参数设置器件材料包括:将所述属性参数输入添加控件;根据所述添加控件设置所述器件材料的名称和位置坐标。4.根据权利要求2所述的器件结构模型的建立方法,其特征在于,所述根据属性参数设置器件材料包括:根据所述属性参数形成硅衬底、氧化层、钝化层和多晶硅电极;调节所述矩形区域,使所述硅衬底、所述氧化层、所述钝化层和所述多晶硅电极移动至相应位置。5.根据权利要求1所述的器件结构模型的建立方法,其特征在于,所述利用仿真模拟技术,通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型后,还包括:将所述器件结构模型转化为tcl脚本文件;根据所述tcl脚本文件生成对应的脚本语言。6.根据权利要求1所述的器件结构模型的建立方法,其特征在于,所述利用仿...
【专利技术属性】
技术研发人员:李兴冀,杨剑群,吕钢,崔秀海,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:
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