一种器件结构模型的建立方法、装置、系统及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种器件结构模型的建立方法、装置、系统及存储介质，涉及仿真技术领域。本发明专利技术所述的器件结构模型的建立方法包括：采用拖拽方式构建二维结构框图，根据属性参数设置器件材料，利用仿真模拟技术，通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型；本发明专利技术所构建的器件结构模型，操作简便、易用性强，能够在复杂结构的器件建模时，实现快速且精准的建模，对复杂结构建模具有指导性建议。对复杂结构建模具有指导性建议。对复杂结构建模具有指导性建议。

【技术实现步骤摘要】
一种器件结构模型的建立方法、装置、系统及存储介质


[0001]本专利技术涉及仿真
，具体而言，涉及一种器件结构模型的建立方法、装置、系统及存储介质。

技术介绍

[0002]随着经济、科技的不断发展，社会对芯片的要求逐年提高；现如今，基于7nm工艺芯片已经在工程应用中实现量产，各大工艺厂商竞相投身到对7nm工艺芯片的增强和5nm工艺芯片的研发之中；为了提高产品性能与芯片的集成度，芯片厂商在完善工艺制作的同时，也要开发更加准确的器件模型来服务用户，因此建模工作是非常重要的。
[0003]在现有技术中，大多数仿真软件采用常规方式建模，这种方式对于复杂器件结构建模，需要耗费大量的时间精力，无法快速又精准的建模。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的问题是在复杂结构的器件建模时，做到快速又精准的建模。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种器件结构模型的建立方法，包括：
[0006]采用拖拽方式构建二维结构框图；
[0007]根据属性参数设置器件材料；
[0008]利用仿真模拟技术，通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型。
[0009]可选地，所述采用拖拽方式构建二维结构框图包括：
[0010]根据所述二维结构框图生成矩形区域。
[0011]可选地，所述根据属性参数设置器件材料包括：
[0012]将所述属性参数输入添加控件；
[0013]根据所述添加控件设置所述器件材料的名称和位置坐标。
[0014]可选地，所述根据属性参数设置器件材料包括：
[0015]根据所述属性参数形成硅衬底、氧化层、钝化层和多晶硅电极；
[0016]调节所述矩形区域，使所述硅衬底、所述氧化层、所述钝化层和所述多晶硅电极移动至相应位置。
[0017]可选地，所述利用仿真模拟技术，通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型后，还包括：
[0018]将所述器件结构模型转化为tcl脚本文件；
[0019]根据所述tcl脚本文件生成对应的脚本语言。
[0020]可选地，所述利用仿真模拟技术，通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型，还包括：
[0021]构建传统器件结构模型；
[0022]将所述器件结构模型与所述传统器件结构模型进行比较，判断对应的脚本语言是否一致；
[0023]若是，则生成最终器件结构模型。
[0024]可选地，所述构建传统器件结构模型包括：
[0025]采用仿真软件构建所述传统器件结构模型；其中，所述仿真软件包括：SILVACO仿真软件。
[0026]本专利技术所述的器件结构模型的建立方法，采用拖拽方式构建二维结构框图，根据属性参数设置器件材料，利用仿真模拟技术，通过器件材料和二维结构框图构建器件结构模型，所构建的器件结构模型操作简便、易用性强，能够在复杂结构的器件建模时，实现快速且精准的建模，对复杂结构建模具有指导性建议。
[0027]本专利技术还提供一种器件结构模型的建立装置，包括：
[0028]构建单元，所述构建单元用于采用拖拽方式构建二维结构框图；
[0029]设置单元，所述设置单元用于根据属性参数设置器件材料；
[0030]仿真单元，所述仿真单元用于利用仿真模拟技术，通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型。
[0031]本专利技术所述的器件结构模型的建立装置与所述器件结构模型的建立方法相对于现有技术的优势相同，在此不再赘述。
[0032]本专利技术还提供一种器件结构模型的建立系统，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现所述器件结构模型的建立方法的步骤。
[0033]本专利技术所述的器件结构模型的建立系统，与所述器件结构模型的建立方法相对于现有技术的优势相同，在此不再赘述。
[0034]本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述器件结构模型的建立方法的步骤。
[0035]本专利技术所述的计算机可读存储介质与所述器件结构模型的建立方法相对于现有技术的优势相同，在此不再赘述。
附图说明
[0036]图1为本专利技术实施例中器件结构模型的建立方法的流程图；
[0037]图2为本专利技术实施例中基于拖拽方式建立器件模型示意图；
[0038]图3本专利技术实施例中基于拖拽方式建立模型转化的脚本语言示意图；
[0039]图4本专利技术实施例中基于拖拽方式建立MOS器件模型示意图；
[0040]图5本专利技术实施例中基于拖拽方式建立MOS器件模型转化的脚本语言示意图；
[0041]图6为本专利技术实施例中器件结构模型的建立装置的结构图。
具体实施方式
[0042]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。
[0043]结合图1所示，本专利技术实施例提供一种器件结构模型的建立方法，包括：
[0044]采用拖拽方式构建二维结构框图；
[0045]根据属性参数设置器件材料；
[0046]利用仿真模拟技术，通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型。
[0047]具体地，采用拖拽方式构建二维结构框图即通过点击拖拽建模设置二维结构框图，通过移动连接器件局部结构，实现对器件结构的区域建模；
[0048]根据属性参数设置器件材料包括，通过属性参数设置进行长、宽、坐标及材料设置，通过多个不同区域及属性参数设置即可形成器件结构的衬底、外延层、氧化层、钝化层和电极；
[0049]图2为基于拖拽方式建立器件模型示意图，结合图2所示，利用仿真模拟技术，通过器件材料和二维结构框图构建器件结构模型；
[0050]其中，在画布内部的拖拽操作是可视化场景中最主要的拖拽操作，拖拽操作分为两类：拖拽图形(改变位置、大小)和拖拽画布。
[0051]在本实施例中，采用拖拽方式构建二维结构框图，根据属性参数设置器件材料，利用仿真模拟技术，通过器件材料和二维结构框图构建器件结构模型，所构建的器件结构模型操作简便、易用性强，能够在复杂结构的器件建模时，实现快速且精准的建模，对复杂结构建模具有指导性建议。
[0052]可选地，所述采用拖拽方式构建二维结构框图包括：根据所述二维结构框图生成矩形区域。
[0053]可选地，所述根据属性参数设置器件材料包括：将所述属性参数输入添加控件；根据所述添加控件设置所述器件材料的名称和位置坐标。
[0054]具体地，属性参数设置器件材料；允许用户定义添加控件，包括器件图形设置、属性设置。也可以通过载入预设模板形式来设置器件材料。
[0055]在本实施例中，通过属性设置可使器件结构模型支持进行关联计算，增加内部的处理逻辑。
[0056]可选地，所述根据属性参数设置器件材料包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件结构模型的建立方法，其特征在于，包括：采用拖拽方式构建二维结构框图；根据属性参数设置器件材料；利用仿真模拟技术，通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型。2.根据权利要求1所述的器件结构模型的建立方法，其特征在于，所述采用拖拽方式构建二维结构框图包括：根据所述二维结构框图生成矩形区域。3.根据权利要求1所述的器件结构模型的建立方法，其特征在于，所述根据属性参数设置器件材料包括：将所述属性参数输入添加控件；根据所述添加控件设置所述器件材料的名称和位置坐标。4.根据权利要求2所述的器件结构模型的建立方法，其特征在于，所述根据属性参数设置器件材料包括：根据所述属性参数形成硅衬底、氧化层、钝化层和多晶硅电极；调节所述矩形区域，使所述硅衬底、所述氧化层、所述钝化层和所述多晶硅电极移动至相应位置。5.根据权利要求1所述的器件结构模型的建立方法，其特征在于，所述利用仿真模拟技术，通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型后，还包括：将所述器件结构模型转化为tcl脚本文件；根据所述tcl脚本文件生成对应的脚本语言。6.根据权利要求1所述的器件结构模型的建立方法，其特征在于，所述利用仿...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，杨剑群，吕钢，崔秀海，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：