刷洗装置、刷洗方法及半导体工艺设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种刷洗装置、刷洗方法及半导体工艺设备，用于刷洗晶圆的背面，所述刷洗装置包括：刷头、多个可升降压感部和转台；所述多个可升降压感部间隔地设置于所述转台上，所述刷头设置于所述多个可升降压感部上方，所述转台与所述刷头相接，以使得所述转台带动所述刷头旋转，所述多个可升降压感部用于调整所述刷头对所述晶圆背面刷洗时的压力。本发明专利技术的技术方案能够实现晶圆背面的均匀性刷洗的同时，还能够避免刮伤晶圆背面。还能够避免刮伤晶圆背面。还能够避免刮伤晶圆背面。

【技术实现步骤摘要】
刷洗装置、刷洗方法及半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及晶圆清洗领域，特别涉及一种刷洗装置、刷洗方法及半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]在目前的晶圆加工的各个环节中，清洗工艺必不可少，它主要用于去除晶圆加工过程中上一道工序遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留等等，为下一步工序准备好晶圆的表面条件。随着大规模集成电路的发展，晶圆加工过程中清洗的重要性愈加凸出，且精度要求越来越高。
[0003]在现有的技术中，涂胶显影机台(track机台)会使用背面处理(backside surface treatment，BST)单元对晶圆的背面进行清洗，在刷洗晶圆背面时，晶背刷与晶圆的物理高度采用的是固定的机台参数。但是，晶圆在加工过程中会因为自身应力、热处理、卡盘(chuck)吸附等因素发生形变，导致晶圆的不同部分的物理高度不完全一致。那么，在采用晶背刷刷洗晶圆背面的时候，BST单元上设定的固定的晶背刷与晶圆的物理高度会导致晶背刷对晶圆的不同部分的压力不同，从而导致对整片晶圆的不同部分的刷洗效果有所差异，甚至会对晶背的部分区域造成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刷洗装置，用于刷洗晶圆的背面，其特征在于，所述刷洗装置包括：刷头、多个可升降压感部和转台；所述多个可升降压感部间隔地设置于所述转台上，所述刷头设置于所述多个可升降压感部上，所述转台与所述刷头相接，以使得所述转台带动所述刷头旋转，所述多个可升降压感部用于调整所述刷头对所述晶圆背面刷洗时的压力。2.如权利要求1所述的刷洗装置，其特征在于，所述可升降压感部包括伸缩杆和压力传感器，所述伸缩杆设置于所述压力传感器上，所述伸缩杆与所述刷头相连，所述压力传感器与所述转台相连。3.如权利要求2所述的刷洗装置，其特征在于，所述伸缩杆的伸缩范围为0.01微米～10微米。4.如权利要求1所述的刷洗装置，其特征在于，所述可升降压感部的数量为10个～50个。5.如权利要求1所述的刷洗装置，其特征在于，所述刷头的材料为聚酯纤维。6.如权利要求1所述的刷洗装置，其特征在于，所述转台与所述刷头之间通过轴承相接。7.如权利要求1所述的刷洗装置，其特征在于，所述刷头的中心轴与所述转台的中心轴重合。8.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括晶圆承载台及如权利要求1～7中任一项所述的刷洗装置，所述晶圆放置于所述晶圆承载台上，且所述晶圆背面朝上，所述刷洗装置设置于所述晶圆上方，以用于刷洗所述晶圆的背面。9.如权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：李应祥，朱晓斌，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：