一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法技术

本发明专利技术涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法。深紫外化学放大正型光刻胶组合物，包括如下组分：聚合物、含有苯基的化合物、光致产酸剂、含氮化合物、表面活性剂和溶剂；聚合物包括聚合物A，聚合物A具有如式(I)所示的结构：式中，R1选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、环戊基和环己基中的任一种；R2选自氢、甲基和乙基中的任一种；结构单元x与结构单元y的摩尔百分比为65～80mol％：20～35mol％。该光刻胶具有光刻工艺窗口大、曝光宽容度大和焦深大的特点，在无抗反射底层保护的高反射基底上光刻可获得无驻波、CD波动小和侧壁角呈直角的光刻胶图案。案。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法


[0001]本专利技术涉及光刻胶
，尤其是涉及一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法。

技术介绍

[0002]光刻技术随着集成电路集成度的提高、加工线宽的缩小，经历了从G线(436nm)光刻，I线(365nm)光刻，到深紫外KrF(248nm)光刻、ArF(193nm)光刻及EUV(13.5nm)光刻的发展历程。随着曝光波长变化，光刻胶的组成与结构也不断地变化，以使光刻胶的综合性能满足对应集成工艺制程的要求。
[0003]对半导体器件加工关键尺寸大于0.5μm的设计准则，可通过g线(436nm)的曝光波长光刻实现。对半导体器件加工关键尺寸为0.5μm～0.35μm的设计准则，可通过i线(365nm)的曝光波长光刻实现。对半导体器件加工关键尺寸为0.30μm～0.12μm的设计准则，可通过波长为248nm的KrF准分子激光光刻实现。
[0004]与g
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line光刻相比，i
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line光刻时从硅片进入光刻胶膜中的反射光增加了78％本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物，其特征在于，包括如下组分：聚合物、含有苯基的化合物、光致产酸剂、含氮化合物、表面活性剂和溶剂；所述聚合物包括聚合物A，所述聚合物A具有如式(I)所示的结构：式中，R1选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、环戊基和环己基中的任一种；R2选自氢、甲基和乙基中的任一种；结构单元x与结构单元y的摩尔百分比为80～65mol％：20～35mol％。2.根据权利要求1所述的深紫外化学放大正型光刻胶组合物，其特征在于，所述聚合物A的重均分子量为5000～25000。3.根据权利要求1所述的深紫外化学放大正型光刻胶组合物，其特征在于，所述聚合物中，所述聚合物A的质量百分数为1％～20％；优选地，所述聚合物中，所述聚合物A的质量百分数为5％～15％。4.根据权利要求1所述的深紫外化学放大正型光刻胶组合物，其特征在于，所述聚合物还包括聚合物B，所述聚合物B具有如式(II)所示的结构：式中，R3为叔烷基。5.根据权利要求4所述的深紫外化学放大正型光刻胶组合物，其特征在于，所述聚合物B的重均分子量为5000～25000；优选地，结构单元a、结构单元b和结构单元c的摩尔百分比为60～70mol％：10～40mol％：0～25mol％。6.根据权利要求1所述的深紫外化学放大正型光刻胶组合物，其特征在于，所述含有苯基的化合物包括含有联苯基的化合物、含有多苯代脂肪烃基的化合物、含有萘基的化合物、含有蒽基的化合物、含有菲基的化合物和含有苯甲酸酯的化合物中的一种或多种；优选地，所述含有苯基的化合物包括含有蒽基的化合物和/或含有苯甲酸酯的化合物；优选地，所述含有苯基...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑金红，孙嘉，房彩琴，陈崇明，李冰，陈欣，王文芳，董栋，张宁，
申请(专利权)人：上海彤程电子材料有限公司彤程新材料集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：