发光装置及包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

本申请涉及发光装置和包括所述发光装置的电子设备，其中所述发光装置包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及布置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述中间层进一步包括布置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，所述第一电极包含具有5.3eV或大于5.3eV的功函数的金属氧化物，并且所述空穴传输区包含由式1表示的杂环化合物：式1其中式1的详细描述与本说明书中描述的相同。描述与本说明书中描述的相同。描述与本说明书中描述的相同。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月13日提交的第10
‑
2021
‑
0091689号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请出于所有目的通过援引据此并入，如同在本文中完全阐述一样。


[0003]本专利技术的实施方案一般涉及发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]在发光装置中，有机发光装置是自发射装置，与本领域的装置相比，具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。
[0005]在有机发光装置中，第一电极布置在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次堆叠在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
[0006]本
技术介绍
章节中公开的以上信息仅用于对本专利技术构思的背景的理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；布置在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述中间层进一步包括布置在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，所述第一电极包含具有5.3eV或大于5.3eV的功函数的金属氧化物，以及所述空穴传输区包含由式1表示的杂环化合物：式1式2其中，在式1中，X1是单键、*
‑
N(Z
11a
)
‑
*'、*
‑
B(Z
11a
)
‑
*'、*
‑
P(Z
11a
)
‑
*'、*
‑
C(Z
11a
)(Z
11b
)
‑
*'、*
‑
Si(Z
11a
)(Z
11b
)
‑
*'、*
‑
Ge(Z
11a
)(Z
11b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)
‑
*'、*
‑
S(＝O)2‑
*'、*
‑
C(Z
11a
)＝*'、*＝C(Z
11a
)
‑
*'、*
‑
C(Z
11a
)＝C(Z
11b
)
‑
*'、*
‑
C(＝S)
‑
*'或*
‑
C≡C
‑
*'，c1是0或1，Ar
11
至Ar
15
各自独立地是C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，R
11
至R
15
、Z
11a
和Z
11b
各自独立地是由式2表示的基团、氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的
C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，R
11
至R
15
中的至少一个是由式2表示的基团，a11至a15各自独立地是0至10的整数，在式2中，L
21
至L
23
各自独立地是单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团，b21至b23各自独立地是0至5的整数，R
22
和R
23
各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，选自a11数量的R
11
；a12数量的R
12
；a13数量的R
13
；a14数量的R
14
；a15数量的R
15
；R
22
；和R
23
中的两个或多于两个的基团任选地经由单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C5亚烷基基团、或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C8‑
C
60
多环基团，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；各自未取代的或被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴元荣，金敬植，尹锡奎，李在庸，李炫美，赵根昱，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：