一种增强型GaN功率器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种增强型GaN功率器件的制造方法，属于晶体管技术领域。本发明专利技术不必采用复杂昂贵的高选择比p

【技术实现步骤摘要】
一种增强型GaN功率器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及晶体管
，尤其涉及一种增强型GaN功率器件的制造方法。

技术介绍

[0002]GaN基材料具有禁带宽度大、击穿场强高、极化系数高、电子迁移率和电荷饱和迁移率高的性能优势，是制备新一代高性能电力电子器件的优选材料，具有重要的应用前景。AlGaN/GaN异质结界面处由极化效应产生的二维电子气所制备的高电子迁移率晶体管是目前主要应用的平面结构GaN基功率器件，兼具高耐压、高功率密度、高工作速度等优势。然而由于异质结界面处的二维电子气存在，在实际应用中需要相对复杂的栅驱动电路，因此，在GaN基功率器件应用中，增强型GaN基功率器件成为了重要的技术目标。
[0003]目前，p型GaN帽层（p
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GaN）技术在界面质量、器件开关特性等方面具有潜在优势，成为产业化的主要技术攻克方向。但是，p型GaN帽层技术实现起来比较困难，其中最关键的工艺是p
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GaN刻蚀。需要让p
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GaN对栅极下方的二维电子气耗尽，其他区域的二维电子气不能被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强型GaN功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、AlGaN层和p
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GaN层；保留栅极区域的p
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GaN层，对栅极以外区域的p
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GaN层进行刻蚀，所述刻蚀后余下p
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GaN层的厚度为1~10nm，形成p
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GaN刻蚀区域；在所述栅极区域保留的p
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GaN层上面和侧面包覆钝化保护层，得到第一外延片；将所述第一外延片在氨气氛围中进行退火，所述p
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GaN刻蚀区域发生钝化，得到第二外延片；在所述第二外延片上表面生长SiN薄膜，然后制作源极电极和漏极电极；在栅极区域刻蚀SiN薄膜和钝化保护层，直到暴露出栅极区域的部分p
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GaN，在暴露出的p
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GaN表面制作栅极电极，得到增强型...

【专利技术属性】
技术研发人员：武乐可，范晓成，李亦衡，朱廷刚，
申请(专利权)人：江苏能华微电子科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：