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本发明提供了一种增强型GaN功率器件的制造方法，属于晶体管技术领域。本发明不必采用复杂昂贵的高选择比p
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该专利属于江苏能华微电子科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏能华微电子科技发展有限公司授权不得商用。

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