电子器件以及关断电路制造技术

本公开的实施例涉及电子器件和关断电路。一种电子器件，其特征在于，包括：像素，包括：单光子雪崩二极管SPAD，具有耦合到高电压节点的阴极和通过使能电路选择性地耦合到接地的阳极；以及钳位二极管，具有耦合到SPAD的阳极的阳极和耦合到关断电压节点的阴极；以及关断电路，包括：感测电路，耦合在关断电压节点与接地之间，并且被配置为生成反馈电压；以及调节电路，被配置为基于反馈电压将电流从关断电压节点吸收到接地，使得关断电压节点处的电压大致保持恒定。利用本公开的实施例有利地消耗较少的面积和较少的功率，从而提高效率。从而提高效率。从而提高效率。

【技术实现步骤摘要】
电子器件以及关断电路


[0001]本公开涉及一种用于线性调节用于单光子雪崩二极管SPAD的关断电压的电路。

技术介绍

[0002]单光子雪崩二极管(SPAD)光电探测器基于在超过击穿电压的电压处被反向偏置的PN结。当光生载流子(通过内部光电效应)被注入到PN结的耗尽区中时，自维持雪崩随之发生，并且作为该雪崩的结果的电流输出的检测可以用于指示生成该载流子的光子的检测。
[0003]图1中示出了示例性的现有技术SPAD像素1。像素11包括SPAD D1，其阴极通过猝熄电阻Rq耦合到高压电源VHV，并且其阳极耦合到n沟道晶体管T1的漏极。晶体管T1的源极又耦合到n沟道晶体管T2的漏极，晶体管T2的漏极耦合到接地。晶体管T1由具有固定电压的第一控制信号Ctrl1偏置，而晶体管T2由开关控制信号Ctrl2偏置。钳位二极管D2的阳极耦合到SPAD D1的阳极，其阴极耦合到SPAD D1的关断电压，标为VSPADOFF。
[0004]当控制信号Ctrl2变高时，其接通，将SPADD1的阳极连接到接地，将SPAD D1的反向偏置电压设置为高于击本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件，其特征在于，包括：像素，包括：单光子雪崩二极管SPAD，具有耦合到高电压节点的阴极和通过使能电路选择性地耦合到接地的阳极；以及钳位二极管，具有耦合到所述SPAD的阳极的阳极和耦合到关断电压节点的阴极；以及关断电路，包括：感测电路，耦合在所述关断电压节点与接地之间，并且被配置为生成反馈电压；以及调节电路，被配置为基于所述反馈电压将电流从所述关断电压节点吸收到接地，使得所述关断电压节点处的电压大致保持恒定。2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，其中当所述SPAD的阳极通过所述使能电路与接地断开连接并且暴露于光时所述SPAD生成光电流，所述光电流从所述SPAD的阳极通过所述钳位二极管流向所述关断电压节点，并且所述光电流通过所述感测电路流向接地；以及其中由所述调节电路从所述关断电压节点吸收的电流量与流过所述感测电路的光电流的量成比例。3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述调节电路包括：放大器，具有耦合到参考电压的第一输入和被耦合以接收所述反馈电压的第二输入；以及晶体管，具有耦合到所述放大器的输出的栅极，耦合到所述关断电压节点的第一传导端子，以及耦合到接地的第二传导端子。4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述放大器的所述第一输入是反相输入，并且所述参考电压是带隙电压，并且其中所述放大器的所述第二输入是非反相输入，并且所述第二输入被耦合以接收所述反馈电压。5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述晶体管包括n沟道晶体管，所述n沟道晶体管具有耦合到所述关断电压节点的漏极，耦合到接地的源极，以及耦合到所述放大器的所述输出的栅极。6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述感测电路包括耦合在所述关断电压节点与接地之间的电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：意法半导体Ramp，amp，D有限公司，
类型：新型
国别省市：