一种电池及电池的制备方法技术

本申请公开了一种电池及电池的制备方法，属于电池制造技术领域，用以提高电池的光电转换效率，所述电池包括：电池基体；电极；隧穿层，所述隧穿层的一面与所述电池基体的背面连接，所述隧穿层为五氧化二钽材料；掺杂硅层，所述隧穿层的另一面与所述掺杂硅层的一面连接。隧穿层的另一面与所述掺杂硅层的一面连接。隧穿层的另一面与所述掺杂硅层的一面连接。

【技术实现步骤摘要】
一种电池及电池的制备方法


[0001]本申请属于电池制造
，具体涉及一种电池及电池的制备方法。

技术介绍

[0002]随着光伏电池技术的不断发展，行业研究者一直在追寻更高的光电转换效率，TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触的太阳能电池技术，其电池结构为N型硅衬底电池，TOPCon技术旨在电池背面制备一层超薄隧穿层，并构成一种钝化接触结构，从而有效降低电池的表面复合和金属接触复合。现有的电池制造中，电池背面的隧穿层通常采用氧化硅材料。
[0003]但是氧化硅材料形成的隧穿层膜层光折射率低，透射光谱较窄，使得电池的光电转换效率低下。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种电池及电池的制备方法，能够解决电池光电转换效率低的问题。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种电池，该电池包括：电池基体；电极；隧穿层，所述隧穿层的一面与所述电池基体的背面连接，所述隧穿层为五氧化二钽材料；掺杂硅层，所述隧穿层的另一面与所述掺杂硅层的一面连接。
[0006]第二方面，本申请实施例提供了一种电池的制备方法，该方法包括：在电池基体的背面设置隧穿层，使得所述隧穿层的一面与所述电池基体的背面连接，其中，所述隧穿层为五氧化二钽材料；在所述隧穿层的另一面设置掺杂硅层，以使所述隧穿层和所述掺杂硅层形成隧穿氧化层钝化接触结构；对所述电池基体进行丝网印刷并烧结形成电极。
[0007]第三方面，本申请实施例提供了一种电池的制备装置，该装置包括：第一设置模块，用于在电池基体的背面设置隧穿层，使得所述隧穿层的一面与所述电池基体的背面连接，其中，所述隧穿层为五氧化二钽材料；第二设置模块，用于在所述隧穿层的另一面设置钝化层，以使所述隧穿层和所述钝化层形成隧穿氧化层钝化接触结构；第三设置模块，用于对所述电池基体进行丝网印刷并烧结形成电极。
[0008]第四方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第二方面所述的方法的步骤。
[0009]第五方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第二方面所述的方法的步骤。
[0010]本申请实施例提供的一种电池，包括电池基体；电极；隧穿层，隧穿层的一面与电池基体的背面连接，隧穿层为五氧化二钽材料；掺杂硅层，隧穿层的另一面与掺杂硅层的一面连接，五氧化二钽材料为高介电常数材料，具有很好的化学稳定性和热稳定性，易与半导体工艺相兼容，同时五氧化二钽材料具有高折射率、带隙和亲和性，能产生极高电场提高载
流子的运输，将五氧化二钽材料作为隧穿层设置在电池基体的背面以和掺杂硅层构成隧穿氧化层钝化接触结构，能够有效降低电池的表面复合和金属接触复合，能够使得该隧穿氧化层钝化接触结构具有更好的钝化效果和光电转换效率，能够提高电池中的光电转换效率。
附图说明
[0011]图1是本申请实施例提供的一种电池的结构示意图；
[0012]图2是本申请实施例提供的一种电池的制备方法的流程示意图；
[0013]图3是本申请实施例提供的一种电池的制备装置的结构示意图；
[0014]图4是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
[0015]附图标记：
[0016]100
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电池、110
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电池基体、120
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电极、130
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隧穿层、140
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掺杂硅层、150
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氮化硅钝化层、160
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发射极、170
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氧化铝钝化层、180
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减反射膜层。
具体实施方式
[0017]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0018]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0019]下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的一种电池和电池的制备方法进行详细地说明。
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种电池的结构示意图，如图1所示，所述电池100包括：电池基体110；电极120；隧穿层130，所述隧穿层130的一面与所述电池基体110的背面连接，所述隧穿层130为五氧化二钽材料；掺杂硅层140，所述隧穿层130的另一面与所述掺杂硅层140的一面连接。
[0021]具体的，本申请实施例中的电池100可以是一种基于选择性载流子原理的遂川氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)技术的太阳能电池，该电池100的电池基体110可以为N型硅衬底基体，电池100中设置有电极120，电池100的背面设置有隧穿层130，该隧穿层130的一面与电池基体110的背面连接，该隧穿层130为五氧化二钽(Ta2O5)材料，在电池基体110的背面还设置有掺杂硅层140，掺杂硅层140的一面与隧穿层130的另一面连接，隧穿层130提供钝化作用，掺杂硅层1440提供接触作用，共同形成钝化接触，以使隧穿层130和掺杂硅层140能够构成隧穿氧化层钝化接触结构。在本申请实施例中，掺杂硅层140可以为掺杂磷材料的多晶硅(N+
‑
poly
‑
Si)。
[0022]本申请实施例提供的一种电池100，包括电池基体110；电极120；隧穿层130，隧穿层130的一面与电池基体110的背面连接，隧穿层130为五氧化二钽材料；掺杂硅层140，隧穿层130的另一面与掺杂硅层130的一面连接，五氧化二钽材料为高介电常数材料，具有很好的化学稳定性和热稳定性，易与半导体工艺相兼容，同时五氧化二钽材料具有高折射率、带隙和亲和性，能产生极高电场提高载流子的运输，将五氧化二钽材料作为隧穿层130设置在电池基体110的背面以和掺杂硅层140构成隧穿氧化层钝化接触结构，能够有效降低电池100的表面复合和金属接触复合，能够使得该隧穿氧化层钝化接触结构具有更好的钝化效果和光电转换效率，能够提高电池100中的光电转换效率。
[0023]在一种实现方式中，所述电池100还包括：氮化硅钝化层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池，其特征在于，包括：电池基体；电极；隧穿层，所述隧穿层的一面与所述电池基体的背面连接，所述隧穿层为五氧化二钽材料；掺杂硅层，所述隧穿层的另一面与所述掺杂硅层的一面连接。2.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述电池还包括：氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层与所述掺杂硅层的另一面连接。3.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述电池还包括：发射极，所述发射极位于所述电池基体的正面；氧化铝钝化层，所述氧化铝钝化层的一面与所述发射极层连接；减反射膜层，所述减反射膜层与所述氧化铝钝化层的另一面连接，所述减反射膜层为氮化硅、氢氧化硅和氧化硅的叠层。4.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度大于或者等于1纳米且小于或者等于3纳米。5.一种电池的制备方法，其特征在于，包括：在电池基体的背面设置隧穿层，使得所述隧穿层的一面与所述电池基体的背面连接，其中，所述隧穿层为五氧化二钽材料；在所述隧穿层的另一面设置掺杂硅层，以使所述隧穿层和所述掺杂硅层形成隧穿氧化层钝化接触结构；对所述电池基体进行丝网印刷并烧结形成电极。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在电池基体的背面设置隧穿层，包括：以五氟化钽为钽源、氢气为还原剂、氧气为氧化剂，通过化学气相沉积的方式在所述电池基体的背面设置所述隧穿...

【专利技术属性】
技术研发人员：张满良，徐聪，付少剑，郁寅珑，张明明，王立富，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：