芯片打磨方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片打磨方法，步骤为：准备待处理的样本与硬质的承载片，样本包括芯片与框架，芯片连接于框架的正面，承载片具有相对设置的第一表面与第二表面；将框架的背面与承载片的第一表面贴合；至少在芯片的外侧面包覆隔离层，并在隔离层的外侧面包覆增强层，且至少使承载片的第二表面露出；从第二表面开始向芯片打磨，直至芯片剩余设定厚度；去除隔离层，以使样本与增强层分离。样本的背面与承载片的第一表面贴合，二者之间不存在粘接剂，因此样本不会因粘接剂厚度不均而相对承载片歪斜，有助于改善芯片打磨后厚度不均匀的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
芯片打磨方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件的失效检测领域，尤其是涉及一种芯片打磨方法。

技术介绍

[0002]在对芯片进行失效检测时，为了查清产生在芯片内部的缺陷，需要对芯片的背面进行打磨，便于通过红外线显微镜对芯片的内部缺陷进行观察，或利用EMMI(微光显微镜)进行失效点定位。相关技术中，通常是将芯片的正面通过粘接剂粘接在治具上，然后将治具固定在打磨设备上，并对芯片的背面进行打磨，由于粘接剂的流动难以控制，因此粘接剂很容易出现厚度不均匀的问题，芯片不能水平固定，在后续打磨过程中不同区域的打磨量不一致，导致最后获得的芯片的厚度不均匀，影响检测结果。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种芯片打磨方法，能够改善芯片打磨后厚度不均匀的问题。
[0004]根据本专利技术第一实施例的芯片打磨方法，包括以下步骤：
[0005]准备待处理的样本与硬质的承载片，所述样本包括芯片与框架，所述芯片连接于所述框架的正面，所述承载片具有相对设置的第一表面与第二表面；
[0006]将所述框架的背面与所述承载片的所述第一表面贴合；
[0007]至少在所述芯片的外侧面包覆隔离层，并在所述隔离层的外侧面包覆增强层，且至少使所述承载片的所述第二表面露出；
[0008]从所述第二表面开始向所述芯片打磨，直至所述芯片剩余设定厚度；
[0009]去除所述隔离层，以使所述样本与所述增强层分离。
[0010]根据本专利技术第一实施例的芯片打磨方法，至少具有如下有益效果：
[0011]样本的背面与承载片的第一表面贴合，二者之间不存在粘接剂，因此样本不会因粘接剂厚度不均而相对承载片歪斜，有助于改善芯片打磨后厚度不均匀的问题。
[0012]在本专利技术的其他实施例中，使所述隔离层包覆所述框架除背面之外的其他外表面，且使得所述隔离层与所述承载片的所述第一表面连接。
[0013]在本专利技术的其他实施例中，设置所述隔离层的方法包括：
[0014]当所述样本放置于所述承载片后，在所述芯片的顶部施加固态的隔离材料；
[0015]加热所述隔离材料，使所述隔离材料熔化并向下流动至所述承载片，以覆盖所述芯片与所述框架；
[0016]使熔融的所述隔离材料固化以形成所述隔离层。
[0017]在本专利技术的其他实施例中，所述隔离层的材料为石蜡，加热温度为100℃至105℃。
[0018]在本专利技术的其他实施例中，使所述增强层包覆所述承载片除所述第二表面之外的其他外表面。
[0019]在本专利技术的其他实施例中，设置所述增强层的方法包括：
[0020]设置具有容置腔的模具，将承载有所述样本的所述承载片放置于模具内，使所述第二表面与所述容置腔的底壁贴合；
[0021]向所述容置腔内添加液态的增强材料，直至液面高于所述隔离层；
[0022]使液态的所述增强材料固化以形成所述增强层。
[0023]在本专利技术的其他实施例中，所述增强层的材料为树脂。
[0024]在本专利技术的其他实施例中，通过目数逐渐增加的砂纸分别打磨所述承载片、所述框架与所述芯片。
[0025]根据本专利技术第五实施例的芯片打磨方法，包括以下步骤：
[0026]准备承载片与待处理的芯片，所述承载片具有相对设置的第一表面与第二表面；
[0027]将所述芯片的背面与所述承载片的所述第一表面贴合；
[0028]在所述芯片的外侧包覆隔离层，并在所述隔离层的外侧包覆增强层，且至少使所述承载片的所述第二表面露出；
[0029]从所述第二表面开始打磨，直至所述芯片达到设定厚度；
[0030]去除所述隔离层，以使所述芯片与所述增强层分离。
[0031]根据本专利技术第六实施例的芯片打磨方法，包括以下步骤：
[0032]准备承载片与待处理的样本，所述样本包括模封体，以及位于所述模封体内的芯片与框架，所述芯片连接于所述框架的正面，所述承载片具有相对设置的第一表面与第二表面；
[0033]将所述模封体的背面与所述承载片的所述第一表面贴合；
[0034]在所述模封体的外侧包覆隔离层，并在所述隔离层的外侧包覆增强层，且至少使所述承载片的所述第二表面露出；
[0035]从所述第二表面开始向所述芯片打磨，直至所述芯片剩余设定厚度；
[0036]去除所述隔离层，以使所述样本与所述增强层分离。
[0037]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0038]下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的说明，其中：
[0039]图1为相关技术中芯片与治具连接的简要示意图；
[0040]图2为相关技术中芯片打磨后的简要示意图；
[0041]图3为本专利技术适用的典型样本的内部结构的示意图；
[0042]图4为依靠第一实施例打磨方法打磨时样本的状态变化图；
[0043]图5为采用相关技术打磨后芯片侧边具有倒角的示意图；
[0044]图6为依靠第二实施例打磨方法打磨时样本的状态变化图；
[0045]图7为第二实施例中形成隔离层的示意图；
[0046]图8为依靠第三实施例打磨方法打磨时样本的状态变化图；
[0047]图9为第三实施例中形成增强层的示意图；
[0048]图10为依靠第四实施例打磨方法打磨时样本的状态变化图；
[0049]图11为依靠第五实施例打磨方法打磨时样本的状态变化图；
[0050]图12为依靠第六实施例打磨方法打磨时样本的状态变化图。
[0051]附图标记：
[0052]承载片100、第一表面110、第二表面120；
[0053]样本200、模封体210、芯片220、框架230；
[0054]隔离层300；
[0055]增强层400；
[0056]加热装置500；
[0057]模具600、容置腔610；
[0058]样本10、倒角11、粘接剂20、治具30。
具体实施方式
[0059]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0060]在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0061]在本专利技术的描述中，若干的含义是一个以上，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.芯片打磨方法，其特征在于，包括以下步骤：准备待处理的样本与硬质的承载片，所述样本包括芯片与框架，所述芯片连接于所述框架的正面，所述承载片具有相对设置的第一表面与第二表面；将所述框架的背面与所述承载片的所述第一表面贴合；至少在所述芯片的外侧面包覆隔离层，并在所述隔离层的外侧面包覆增强层，且至少使所述承载片的所述第二表面露出；从所述第二表面开始向所述芯片打磨，直至所述芯片剩余设定厚度；去除所述隔离层，以使所述样本与所述增强层分离。2.根据权利要求1所述的芯片打磨方法，其特征在于，使所述隔离层包覆所述框架除背面之外的其他外表面，且使得所述隔离层与所述承载片的所述第一表面连接。3.根据权利要求2所述的芯片打磨方法，其特征在于，设置所述隔离层的方法包括：当所述样本放置于所述承载片后，在所述芯片的顶部施加固态的隔离材料；加热所述隔离材料，使所述隔离材料熔化并向下流动至所述承载片，以覆盖所述芯片与所述框架；使熔融的所述隔离材料固化以形成所述隔离层。4.根据权利要求3所述的芯片打磨方法，其特征在于，所述隔离层的材料为石蜡，加热温度为100℃至105℃。5.根据权利要求1所述的芯片打磨方法，其特征在于，使所述增强层包覆所述承载片除所述第二表面之外的其他外表面。6.根据权利要求5所述的芯片打磨方法，其特征在于，设置所述增强层的方法包括：设置具有容置腔的模具，将承载有所述样本的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金龙，黄彩清，杨胜坤，
申请(专利权)人：深圳赛意法微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：