一种自动识别测试模式和产品模式的方法及芯片技术

技术编号:36301400 阅读:22 留言:0更新日期:2023-01-13 10:17
本发明专利技术公开了一种自动识别NAND测试模式和产品模式的方法及NAND芯片,通过在NAND芯片中预置用于固件识别的标志数据,当NAND芯片上电开始初始化时,利用NAND芯片中内置的固件即可控制读取标志数据,判断标志数据是否符合判定标准,并根据不同判断结果,对应设置NAND芯片进入测试模式或产品模式。本发明专利技术通过对NAND芯片及其内部的固件进行改进,可在NAND芯片上实现测试模式和产品模式的自动识别,不仅能够减少NAND芯片上原用于模式识别的额外引脚,而且能够兼容现有NAND芯片的上电和初始化流程,从而降低了设计的复杂度,并节约了成本。并节约了成本。并节约了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种自动识别测试模式和产品模式的方法及芯片


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路芯片测试
,尤其涉及一种通过NAND芯片自身固件自动识别NAND测试模式和产品模式的方法及NAND芯片。

技术介绍

[0002]NAND闪存产品在交付客户后,客户需要使用封装上所有的引脚来完成芯片的使用。客户使用模式(产品模式)一般也会被称为全引脚数模式(FPC)。
[0003]但是,在NAND闪存交付客户使用之前,需要经过一系列的测试,包括闪存整列读写功能测试、可靠性测试和闪存外围电路功能测试等。这些测试都需要经过大量的时间。所以,通常为了提高测试效率和缩短出厂时间,测试流程需要对多个芯片进行并行测试,也就是在同一机台同一时间测试多个芯片。与此同时,如果测试还是使用全引脚数模式的话,测试效率会大打折扣,因而测试模式都会使用低引脚数模式(LPC)来进行。这样,同一机台就可以尽可能地测试更多的芯片,从而大大缩短测试时间,也大大减少了测试成本。
[0004]由于NAND闪存芯片在出厂之前,需要经过上述一系列的测试。特别是其中第一部分的测试(闪存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自动识别NAND测试模式和产品模式的方法,其特征在于,包括:NAND芯片上电并开始初始化时,通过所述NAND芯片中内置的固件,控制读取所述NAND芯片中预置的标志数据;以及判断所述标志数据是否符合判定标准,并根据判断结果,设置所述NAND芯片进入低引脚数的测试模式或全引脚数的产品模式;和完成初始化。2.根据权利要求1所述的自动识别NAND测试模式和产品模式的方法,其特征在于,所述读取所述NAND芯片中预置的标志数据,具体包括:读取所述NAND芯片中配置块特定页预留区域上预置的作为所述标志数据的第一数据块数据;所述判断所述标志数据是否符合判定标准,并根据判断结果,设置所述NAND芯片进入测试模式或产品模式,具体包括:判断所述第一数据块数据是无效数据还是有效数据,并根据当所述第一数据块数据是无效数据时,进入测试模式,否则进入产品模式的所述判定标准,当判断结果为所述第一数据块数据为无效数据时,设置所述NAND芯片进入测试模式,当判断结果为所述第一数据块数据为有效数据时,设置所述NAND芯片进入产品模式。3.根据权利要求1所述的自动识别NAND测试模式和产品模式的方法,其特征在于,所述读取所述NAND芯片中预置的标志数据,具体包括:读取所述NAND芯片中配置块特定页上第二数据块中预置的作为所述标志数据的前特定个数据;所述判断所述标志数据是否符合判定标准,并根据判断结果,设置所述NAND芯片进入测试模式或产品模式,具体包括:判断所述前特定个数据中出现的错误数据数量,并根据当所述前特定个数据中的错误数据数量达到第一阈值时,进入测试模式,否则进入产品模式的所述判定标准,当判断结果为所述前特定个数据中出现的错误数据数量达到第一阈值时,设置所述NAND芯片进入测试模式,当判断结果为所述前特定个数据中出现的错误数据数量未达到第一阈值时,设置所述NAND芯片进入产品模式。4.根据权利要求1所述的自动识别NAND测试模式和产品模式的方法,其特征在于,所述读取所述NAND芯片中预置的标志数据,具体包括:读取所述NAND芯片中配置块特定页上作为所述标志数据预置的第二数据块数据;所述判断所述标志数据是否符合判定标准,并根据判断结果,设置所述NAND芯片进入测试模式或产品模式,具体包括:判断所述第二数据块数据中出现的比特位为1的数量占所述特定页比特位全部数量的比率,并根据当所述第二数据块数据中的比特位为1的数量占所述特定页比特位全部数量的比率达到第二阈值时,进入测试模式,否则进入产品模式的所述判定标准,当判断结果为所述第二数据块数据中出现的比特位为1的数量占所述特定页比特位全部数量的比率达到第二阈值时,设置所述NAND芯片进入测试模式,当判断结果为所述第二数...

【专利技术属性】
技术研发人员:周林
申请(专利权)人:仲联半导体上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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