一类联二噻唑类宽带隙聚合物及其在光电器件中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种类联二噻唑类宽带隙聚合物，它包括给电子单元和缺电子单元，其中缺电子单元采用含联二噻唑基单体；结构式见式I或式Ⅱ：式中，R选自F、Cl、OR3、甲基或酯基，其中R3选自不同长度的烷基链(C1～C

【技术实现步骤摘要】
一类联二噻唑类宽带隙聚合物及其在光电器件中的应用


[0001]本专利技术属于光电材料及其器件
，具体涉及一类联二噻唑类宽带隙聚合物及其在光电器件中的应用。

技术介绍

[0002]社会的急速发展离不开各种能源的消耗，但无论是化石能源还是核能源，都不可避免地面临着一些严峻的问题，如能源短缺、环境污染以及使用安全等。因此，对绿色清洁能源的需求日益迫切。其中，太阳能作为绿色无污染的可再生能源受到人们的重视。作为能够将光能转变为电能的器件，近些年关于有机太阳能电池的研究已经引起了学术界和社会的广泛关注。有机太阳能电池相比于传统无机半导体太阳能电池，具有很多优点，如成本低、重量轻、制备工艺简单、可制备成半透明器件和柔性器件等，展现出了很高的研究价值和可观的应用前景。
[0003]为了实现高效率的有机光伏材料，需要将光伏参数(FF、J
sc
、V
oc
)最大化。而提高这些参数可以通过添加剂、改变器件正反向结构以及热处理等方法。但是最主要的还是对给受体单元结构优化实现聚合物带隙、能级以及形貌的有效调控。尤其是，近本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一类联二噻唑类宽带隙聚合物，其特征在于，它包括给电子单元和缺电子单元，其中缺电子单元采用含联二噻唑基单体；结构式见式I或式II：式中，R选自F、Cl、OR3、甲基或酯基，其中R3选自不同长度的烷基链；Ar选自呋喃、噻吩、锡吩或并二噻吩；n取值为10～100。2.跟据权利要求1所述的联二噻唑类宽带隙聚合物，其特征在于，所述给电子单元的结构式包括；其中R2选自碳数为1～30的烷基链；X选自H、F或Cl；X1选自H、F或Cl。3.跟据权利要求1所述的联二噻唑类宽带隙聚合物，其特征在于，所述含联二噻唑基单体的结构式见式IV；式中，R选自F、Cl、OR1、甲基或酯基(R1选自不同长度的烷基链(C1～C
30
)；Ar选自呋喃、噻吩、锡吩或并二噻吩。4.权利要求1～3任一项所述联二噻唑类宽带隙聚合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将给电子单元单体、含联二噻唑基单体和催化剂加入有机溶剂中混合均匀，然后在110～150℃和保护气氛下，反应24～72h；其中D单元单体、A单元单体和催化剂的摩尔比为1:1:(0.02～0.05)。5.跟据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述给电子单元单体的结构式见式V
中的一种：...

【专利技术属性】
技术研发人员：高建宏，朱晓东，刘治田，何燕君，冯继宝，尹昊阳，
申请(专利权)人：武汉工程大学，
类型：发明
国别省市：