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本发明公开了一种类联二噻唑类宽带隙聚合物，它包括给电子单元和缺电子单元，其中缺电子单元采用含联二噻唑基单体；结构式见式I或式Ⅱ：式中，R选自F、Cl、OR3、甲基或酯基，其中R3选自不同长度的烷基链(C1～C
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该专利属于武汉工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉工程大学授权不得商用。

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