永磁体稳磁方法及永磁体技术

本发明专利技术涉及一种永磁体稳磁方法及永磁体。该永磁体稳磁方法包括如下步骤：将永磁体充磁至饱和状态；对饱和状态的永磁体进行部分退磁，退磁量范围小于或等于21％，退磁后的表观磁畴尺寸为0.1μm

【技术实现步骤摘要】
永磁体稳磁方法及永磁体


[0001]本专利技术涉及永磁体相关
，特别是涉及一种永磁体稳磁方法及永磁体。

技术介绍

[0002]永磁材料内部微观组织结构不均匀，以及充磁、机械加工等加工操作所带来的内应力，都会造成永磁材料的自然磁损，即，随着使用时间的推移以及外界条件的变化，永磁体的磁性能会逐渐减弱；自然磁损的不稳定性会影响永磁材料的可靠性，不利于永磁材料的应用。
[0003]通过传统的保温、高温、冷热循环等退磁方式实现稳磁，其本质是一种老化手段，原理是通过提前释放永磁体内的内应力，以使得永磁体的磁性趋于稳定，避免因自然老化导致该部分内应力释放，进而导致退磁的情况发生。
[0004]上述通过人工老化实现退磁的手段，大多仅限定加工工艺，例如限制加热温度、保温时间或冷热循环间隔等参数，但是，由于永磁体的个体磁性能不同，此类加工方式加工得到的永磁体的稳磁性能存在批次波动以及个体波动，无法应用于航空航天、国防等对稳磁性能具有较高要求的领域中。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对目前的稳磁方法的稳磁效果会受永磁体个体磁性能影响，无法满足航空航天、国防等领域需求的问题，提供一种能够稳定得到较高稳磁效果的永磁体稳磁方法及永磁体。
[0006]本申请首先提供一种永磁体稳磁方法，包括如下步骤：
[0007]将永磁体充磁至饱和状态；
[0008]对饱和状态的永磁体进行部分退磁，退磁量范围小于或等于21％，退磁后的表观磁畴尺寸为0.1μm
‑
1.0μm。
[0009]上述永磁体稳磁方法，从稳定磁畴的角度出发，通过限定退磁量以及表观磁稠尺寸的方式进行部分退磁，以消除磁畴的不稳定状态，使其磁矩提前偏转至稳定状态，大幅减少自然磁损，提高永磁体的时间稳定性。这种部分退磁稳磁方法依靠限定退磁量以及表观磁畴尺寸的方式进行退磁，从而确保永磁体的表观磁畴均能够宽化合并至较为稳定的状态，因此不受永磁体个体磁性能影响，普适性强，简单高效，效果显著，有利于提高关键磁性器件的使用精度以及稳定性。
[0010]在其中一个实施例中，对饱和状态的永磁体进行部分退磁的步骤中，退磁量范围为7％
‑
21％，退磁至表观磁畴尺寸为0.5μm
‑
1.0μm。
[0011]可以理解的是，在该退磁量范围以及该表观磁稠尺寸范围内，退磁完成后的永磁体不但自然磁损较低、稳磁性能较强，同时还保有较强的磁性能，能够满足永磁体的正常使用需求。
[0012]在其中一个实施例中，对饱和状态的永磁体进行部分退磁的步骤中，通过交流脉
冲磁场退磁或直流磁场退磁。
[0013]可以理解的是，通过外加磁场退磁，能够极大的减少退磁所需时间，增加退磁效率。
[0014]在其中一个实施例中，所述交流脉冲磁场退磁以及所述直流磁场退磁均包括如下步骤：
[0015]通过BH仪测量得到永磁体的退磁曲线；
[0016]根据永磁体所需退磁量确定永磁体的剩磁Br，剩磁Br＝100％
‑
退磁量；
[0017]对照退磁曲线，根据剩磁Br确定其所对应的退磁场H1大小；
[0018]参考H1，重复验证试验直至确定交流退磁场H2或直流退磁场H3的大小；
[0019]根据交流退磁场H2或直流退磁场H3对永磁体进行退磁。
[0020]在其中一个实施例中，在参考H1重复验证试验直至确定交流退磁场H2或直流退磁场H3大小的步骤中，还包括如下步骤：
[0021]根据退磁场H1对永磁体进行退磁；
[0022]检验退磁后永磁体的剩磁Br1，若Br1＝Br，则该退磁场H1即为交流退磁场H2或直流退磁场H3，若Br1≠Br，则将永磁体充磁，根据Br1与Br的差值对退磁场H1进行调整后再次进行退磁，重复该步骤至Br1＝Br。
[0023]在其中一个实施例中，在根据交流退磁场H2对永磁体进行退磁的步骤中，还包括如下步骤：
[0024]将永磁体置于充磁机的退磁工装内；
[0025]将充磁机模式设置为退磁模式；
[0026]设定退磁电压V，V＝760
×
H2；
[0027]充磁机进行电容充放电，完成退磁。
[0028]在其中一个实施例中，在根据直流退磁场H3对永磁体进行退磁的步骤中，还包括如下步骤：
[0029]将永磁体置于BH仪内；
[0030]根据直流退磁场H3将BH仪的直流退磁场设定为15A/m
‑
75A/m；
[0031]启动BH仪，完成退磁。
[0032]在其中一个实施例中，在将永磁体置于BH仪内的步骤中，永磁体的取向方向与极头平行。
[0033]在其中一个实施例中，所述永磁体的材料选自铝镍钴磁体。
[0034]可以理解的是，铝镍钴磁体的时间稳定性更强，能够更好地满足航空航天以及国防等领域对于永磁体时间稳定性的高要求。
[0035]本申请第二方面提供一种永磁体，所述永磁体的材料选自铝镍钴磁体，所述永磁体的表观磁畴尺寸为0.1μm
‑
1.0μm。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根
据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1为本专利技术的永磁体稳磁方法的流程示意图；
[0038]图2为实施例一中第一组实验的永磁体124天后的表观磁畴结构；
[0039]图3为实施例一中第四组实验的永磁体124天后的表观磁畴结构；
[0040]图4为实施例一中四组实验的磁通变化示意图；
[0041]图5为本专利技术的永磁体稳磁方法的部分步骤的流程示意图；
[0042]图6为铝镍钴磁体的退磁曲线示意图；
[0043]图7为钐钴磁体的退磁曲线示意图；
[0044]图8为本专利技术的永磁体稳磁方法的部分步骤的流程示意图；
[0045]图9为本专利技术的永磁体稳磁方法的部分步骤的流程示意图；
[0046]图10为本专利技术的永磁体稳磁方法的部分步骤的流程示意图。
具体实施方式
[0047]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0048]需要说明的是，当组件被称为“固定于”或“设置于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种永磁体稳磁方法，其特征在于，包括如下步骤：将永磁体充磁至饱和状态；对饱和状态的永磁体进行部分退磁，退磁量范围小于或等于21％，退磁后的表观磁畴尺寸为0.1μm
‑
1.0μm。2.根据权利要求1所述的永磁体稳磁方法，其特征在于，对饱和状态的永磁体进行部分退磁的步骤中，退磁量范围为7％
‑
21％，退磁至表观磁畴尺寸为0.5μm
‑
1.0μm。3.根据权利要求1所述的永磁体稳磁方法，其特征在于，对饱和状态的永磁体进行部分退磁的步骤中，通过交流脉冲磁场退磁或直流磁场退磁。4.根据权利要求3所述的永磁体稳磁方法，其特征在于，所述交流脉冲磁场退磁以及所述直流磁场退磁均包括如下步骤：通过BH仪测量得到永磁体的退磁曲线；根据永磁体所需退磁量确定永磁体的剩磁Br，剩磁Br＝100％
‑
退磁量；对照退磁曲线，根据剩磁Br确定其所对应的退磁场H1大小；参考H1，重复验证试验直至确定交流退磁场H2或直流退磁场H3的大小；根据交流退磁场H2或直流退磁场H3对永磁体进行退磁。5.根据权利要求4所述的永磁体稳磁方法，其特征在于，在参考H1重复验证试验直至确定交流退磁场H2或直流退磁场H3大小的步骤中，还包括如下步骤：根...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈鑫腾，孙颖莉，丁勇，刘雷，赵江涛，王春国，王朝中，周波，闫阿儒，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：