【技术实现步骤摘要】
管理存储装置中的调试日志的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月5日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10
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2021
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0087795的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
[0003]示例实施例总体涉及半导体集成电路,更具体地涉及管理存储装置中的调试日志的方法。
技术介绍
[0004]可以在数据存储装置中使用一个或多个半导体存储器件。这样的数据存储装置的示例包括固态驱动器(SSD)。这些类型的数据存储装置相对于硬盘驱动器(HDD)可以具有不同的设计和/或性能优势。潜在优势的示例包括不存在活动机械部件、较高的数据存取速度、稳定性、耐用性和/或低功耗。例如膝上型计算机、汽车、飞机、无人机等的各种系统已经采用了SSD进行数据存储。
[0005]因为技术已经发展并且存储装置的性能已经提高,所以存储装置的操作速度已经提高,并且将其固件配置为使得存储装置包括各种功能。在操作速度或功能方面的这样的增加可以增大存储装置中的操作错误的概率。可以使用用于提取错误信息的单独的调试技术来检测和/或纠正这样的错误。例如,可以使用在存储装置中采集的调试日志执行调试。
技术实现思路
[0006]本公开的至少一个示例实施例提供了一种管理存储装置中的调试日志的方法,该存储装置能够高效地生成并存储调试日志,该调试日志是与存储装置中出现的错误相关联的信息。
[0007]根据示例实施例,在一种管理存储装置中的调试日 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种管理存储装置中的调试日志的方法,所述方法包括:由所述存储装置中包括的存储控制器基于外部电源电压和多个配置控制信号来生成事件触发信号,所述事件触发信号响应于发出感兴趣的事件而被激活,以用于生成并存储所述调试日志,所述调试日志表示与所述存储装置中出现的错误相关联的信息;由所述存储控制器基于所述事件触发信号来生成所述调试日志;以及将所述调试日志存储在所述存储装置中包括的非易失性存储器中,其中,所述感兴趣的事件包括以下至少一项:激活所述外部电源电压的上电事件,用于初始化所述存储控制器的复位事件,完成在所述存储装置外部设置的主机装置与所述存储控制器之间建立通信的链路建立事件,释放所述主机装置与所述存储控制器之间建立的通信的链路断开事件,或使所述外部电源电压去激活的断电事件。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述感兴趣的事件还包括:所述主机装置保持空闲状态超过参考时间间隔的主机空闲事件。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述感兴趣的事件还包括:所述存储装置的操作温度上升到高于参考温度的热事件。4.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述调试日志存储在所述非易失性存储器中包括:将所述调试日志临时存储在所述存储装置中包括的缓冲存储器中;以及通过将临时存储在所述缓冲存储器中的所述调试日志提供给所述非易失性存储器,来将所述调试日志存储在所述非易失性存储器中。5.根据权利要求4所述的方法,其中:将所述调试日志存储在所述非易失性存储器中包括的调试存储器块中,以及所述调试存储器块包括多级存储器单元MLC,每一个所述MLC存储两个或更多个数据比特。6.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述调试日志存储在所述非易失性存储器中包括:通过将由所述存储控制器生成的所述调试日志直接提供给所述非易失性存储器,来将所述调试日志直接存储在所述非易失性存储器中。7.根据权利要求6所述的方法,还包括:将所述调试日志存储在所述非易失性存储器中包括的调试存储器块中,所述调试存储器块包括单级存储器单元SLC,每一个所述SLC被配置为存储一个数据比特。8.根据权利要求1所述的方法,还包括:由所述存储控制器基于所述外部电源电压和所述多个配置控制信号来生成异常事件触发信号,所述异常事件触发信号响应于与异常事件相对应的感兴趣的事件而被激活,其中,基于所述异常事件触发信号将所述调试日志存储在所述非易失性存储器中。9.根据权利要求8所述的方法,其中,将所述调试日志存储在所述非易失性存储器中包括:
响应于与所述异常事件相对应的感兴趣的事件,基于所述异常事件触发信号将所述调试日志立即存储在所述非易失性存储器中;以及响应于与正常事件相对应的感兴趣的事件,将所述调试日志临时存储在所述存储装置中包括的缓冲存储器中,然后将所述调试日志存储在所述非易失性存储器中。10.根据权利要求8所述的方法,还包括:响应于第一时间点与第二时间点之间的时间间隔大于第一参考值,确定所述感兴趣的事件与所述异常事件相对应,其中,所述第一时间点表示与所述复位事件相关联的复位信号被激活的时间点,以及其中,所述第二时间点表示完成在所述主机装置与所述存储控制器之间建立通信的时间点。11.根据权利要求8所述的方法,还包括:响应于第三时间点与第四时间点之间的时间间隔大于第二参考值,确定所述感兴趣的事件与所述异常事件相对应,其中,所述第三时间点表示从所述主机装置提供给所述存储控制器的控制器配置使能信号被激活的时间点,以及其中,所述第四时间点表示由所述存储控制器生成的控制器状态就绪信号被激活的时间点。12.根据权利要求8所述的方法,还包括:响应于第五时间点与第六时间点之间的时间间隔大于第三参考值,确定所述感兴趣的事件与所述异常事件相对应,其中,所述第五时间点表示在所述主机装置与所述存储控制器之间建立的通信被释放的时间点,以及其中,所述第六时间点表示与所述复位事件相关联的复位信号被去激活的时间点。13.根据权利要求1所述的方法,其中:所述非易失性存储器包括多个存储器块,以及所述多个存储器块中的两个或更多个被设置为调试存储器块,所述调试存储器块被配置为存储所述调试...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔宝美,田成勋,金乘延,严在颖,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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