集成电路器件及其制造方法技术

一种集成电路器件，包括：多条位线，在衬底上沿与衬底的上表面平行的第一方向延伸；多个绝缘封盖结构，分别布置在多条位线上，沿第一方向延伸，并且包括第一绝缘材料；导电插塞，位于衬底上的多条位线中的两条相邻位线之间；顶部封盖层，布置在多个绝缘封盖结构上，并且包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料；以及着落焊盘，布置在导电插塞上，并布置在多个绝缘封盖结构中的对应的绝缘封盖结构的侧壁上和顶部封盖层上。顶部封盖层上。顶部封盖层上。

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2021年7月5日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
‑
2021
‑
0088103的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术构思涉及集成电路器件及其制造方法，并且更具体地涉及包括位线的集成电路器件和制造集成电路器件的方法。

技术介绍

[0004]随着集成电路器件的小型化，实现集成电路器件所需的单个电路图案的尺寸进一步减小。另外，随着集成电路器件变得高度集成，位线的线宽减小，并且在位线之间形成接触的操作难度增加。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思提供了一种能够降低在位线之间形成接触的操作难度的集成电路器件。
[0006]本专利技术构思提供了一种制造集成电路器件的方法，该方法能够降低在位线之间形成接触的操作难度。
[0007]根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种集成电路器件，包括：多条位线，在衬底上沿与衬底的上表面平行的第一方向延伸；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：多条位线，在衬底上沿与所述衬底的上表面平行的第一方向延伸；多个绝缘封盖结构，分别布置在所述多条位线上，沿所述第一方向延伸，并且包括第一绝缘材料；导电插塞，位于所述衬底上的所述多条位线中的两条相邻位线之间；顶部封盖层，布置在所述多个绝缘封盖结构上，并且包括与所述第一绝缘材料不同的第二绝缘材料；以及着落焊盘，布置在所述导电插塞上，并布置在所述多个绝缘封盖结构中的对应的绝缘封盖结构的侧壁上和所述顶部封盖层上。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：绝缘栅栏，布置在所述衬底上的所述多条位线中的两条相邻位线之间，并与所述导电插塞的侧壁接触；以及绝缘图案，围绕所述着落焊盘的侧壁。3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述绝缘栅栏的上表面与所述多个绝缘封盖结构中的每一个的上表面位于相同平面上，并且所述顶部封盖层覆盖所述绝缘栅栏和所述绝缘封盖结构中的每一个的整个上表面。4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中，所述顶部封盖层在所述绝缘栅栏的上表面上具有弯曲侧壁，并且所述顶部封盖层被布置为与所述着落焊盘竖直重叠。5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第二绝缘材料包括相对于所述第一绝缘材料具有蚀刻选择性的材料，并且所述第二绝缘材料包括金属氧化物。6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述第一绝缘材料包括氮化硅，并且所述第二绝缘材料包括氧化钛。7.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括位于所述多条位线中的每一条的两个侧壁上的间隔结构，其中，所述顶部封盖层的底表面与所述间隔结构的上表面接触。8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：至少一个外围电路栅极结构，位于所述衬底上；上绝缘封盖层，覆盖所述至少一个外围电路栅极结构，并包括所述第一绝缘材料；顶部保护层，布置在所述上绝缘封盖层上，并包括所述第二绝缘材料；以及接触插塞，穿过所述顶部保护层和所述上绝缘封盖层以连接到所述衬底。9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述顶部封盖层在垂直于所述衬底的上表面的第二方向上具有第一厚度，并且所述顶部保护层在所述第二方向上具有与所述第一厚度相等的第二厚度。10.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述顶部保护层被布置为与所述至少一个外围电路栅极结构的全部竖直重叠。11.一种集成电路器件，包括：多条位线，在衬底上沿与所述衬底的上表面平行的第一方向延伸；
多个绝缘封盖结构，分别布置在所述多条位线上，沿所述第一方向延伸，并且包括第一绝缘材料；多个绝缘栅栏，布置在所述多个绝缘封盖结构中的两个相邻绝缘封盖结构之间，并在所述第一方向上彼此间隔开；顶部封盖层，布置在所述多个绝缘封盖结构和所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨同官，崔宰福，安容奭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：