模块设备同时上下桥加电测试电路控制结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种模块设备同时上下桥加电测试电路控制结构。涉及测试电路技术领域。包括电源、电压采集模块、功率模块、控制器；其中，所述电源的第一输出端及第二输出端并联在所述功率模块的两端，所述电压采集模块的采样端与所述功率模块中每个功率管的输出端分别连接；所述电压采集装置的受控端与所述控制器的控制端连接；所述控制器的驱动端与所述功率模块的受控端连接；所述功率模块包括上桥臂IGBT和下桥臂IGBT，所述上桥臂IGBT和下桥臂IGBT均反向并联有二极管。本实用新型专利技术结构简单，成本低，测量过程快捷，提高了测试效率。提高了测试效率。提高了测试效率。

【技术实现步骤摘要】
模块设备同时上下桥加电测试电路控制结构


[0001]本技术涉及测试电路
，更具体的说是涉及一种模块设备同时上下桥加电测试电路控制结构。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。随着工业领域中电力电子器件应用的进一步扩展，耐大电流、耐高压、高速和低饱和压降的IGBT器件的应用日益广泛。这对IGBT器件的可靠性提出了更高的要求。目前，检测IGBT好坏的方法主要有两种：第一种是利用万用表测量，万用表只能检测IGBT的部分功能，如果IGBT的内部续流二极管损坏一般可以测出，但是如果IGBT内的CMOS管部分损坏，则无法判定，测量不全面；第二种是用利用晶体管图示仪测试IGBT的好坏，需要对单只IGBT进行离线单独测试，对于已安装使用的IGBT而言，需要拆卸IGBT及其驱动电路，不仅操作繁琐、效率低下，而且可能在拆卸过程中对IGBT造成伤害。因此，对本领域技术人员来说，如何提高所述IG本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模块设备同时上下桥加电测试电路控制结构，其特征在于，包括电源、电压采集模块、功率模块、控制器；其中，所述电源的第一输出端及第二输出端并联在所述功率模块的两端，所述电压采集模块的采样端与所述功率模块中每个功率管的输出端分别连接；所述电压采集模块的受控端与所述控制器的控制端连接；所述控制器的驱动端与所述功率模块的受控端连接；所述功率模块包括上桥臂IGBT和下桥臂IGBT，所述上桥臂IGBT和下桥臂IGBT均反向并联有二极管。2.根据权利要求1所述的一种模块设备同时上下桥加电测试电路控制结构，其特征在于，还包括母线电容，所述母线电容与所述电源并联。3.根据权利要求1所述的一种模块设备同时上下桥加电测试电路控制结构，其特征在于，所述控制器为单片机，用于接收所述电压采集模块的电压以对所述功率模块进行测试。4.根据权利要求1所述的一种模块设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志刚，刘年富，陈益敏，
申请(专利权)人：杭州高裕电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：